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相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 156 毫秒
1.
采用三点弯曲及扫描电镜等方法研究了SiCw/Al2O3,SiCw/ZrO2)及SiCw/Al2O3+ZrO2(Y2O3)陶瓷复合材料的抗热震性。结果表明SiCw的加入使Al2O3,ZrO2(Y2O3)以及Al2O3+ZrO2(Y2O3)基体的抗热震性显著提高,Al2O3陶瓷基复合材料的抗热震性明显优于ZrO2(Y2O3)陶瓷基复合材料。同时发现在Al2O3+SiCw材料基础上再加入少量ZrO292  相似文献   

2.
采用三点弯曲及扫描电镜等方法研究了SiCw/Al2O3、SiCw/ZrO3(Y2O3)及SiCw/Al2O3+ZrO2(Y2O3)陶瓷复合材料的抗热震性.结果表现SiCw的加入使Al2O3、ZrO2(Y2O3)以及Al2O3+ZrO2(Y2O3)基体的抗热震性显著提高,Al2O3陶瓷基复合材料的抗热震性明显优于ZrO2(Y2O3)陶瓷基复复合材料.同时发现在Al2O3十SiCw材料基础上再加入少量ZrO2(2Y)颗粒(10Vo1%),也可进一步提高Al2O3+SiCw材料的抗热震性.  相似文献   

3.
SiCw/ZrO2(6mol%Y2O3)陶瓷的实验研究表明,晶须桥联和裂纹偏转是其主要增韧机制。在两种机制协同增韧的基础上,建立了晶须增韧的数值模型,对材料的于点弯曲断裂过程的计算结果表明:载荷/位移曲线呈锯齿状,是由于晶须桥联作用使得裂纹扩展与停止这一过程反复出现而引起的,;随晶须含量增加,复合材料韧性提高,晶须桥联和裂纹偏转两种增韧贡献都增加,但是占主层地位的增韧机制由裂纹偏转机制逐步过渡到裂  相似文献   

4.
根据各种助烧剂在相应的氧氨玻璃中的作用,通过晶界相预合成和改变Al2O3和MgO的添加量,研究了不同La/Y比及Al2O3和MgO含量对SiC(w)/Si3N4复合材料力学性能的影响,从而实现了对晶界和界面的调控,优化了助烧剂体系和制备工艺,达到了最佳的晶须增韧强效果。  相似文献   

5.
本文从理论上分析了SiC(w)TZP+mullite(p)复合材料界面残余热应力及其在基质内的分布规律。提出在SiC(w)表面涂复Al2O3和在PZT中加入mullite(p)联合作用来降低晶须/基质界面残余热应力的界面设计方案,导出SiC(w)和mullite(p)协同补强PZT的匹配条件。制备了SiC(w)/TZP+mullite(p)复合材料并了SiC(w)表面涂层Al2O3厚度和SiC(w  相似文献   

6.
研究了碳化硅晶须(SiCw)增强,Y2O3稳定的ZrO2四方多晶体(Y-TZP)复合材料(SiCw/Y-TZP)在循环压应力作用下的疲劳特性,单边缺口弯曲试样在纵向循环压应力作用下缺口根部产生垂直于压应力的I型裂纹,类似于金属材料,在室温下循环应力导致I型裂纹的稳定扩展。压应力在缺口根部产生的不可逆损伤区在循环卸载过程中形成较大的残余拉伸应力场,使裂纹萌生并长大,同时,裂纹面产生的碎粒及晶须拔出导  相似文献   

7.
本文对Al2O3基陶瓷复合材料Al2O3-ZrO2-SiCw进行了干摩擦磨损试验,并运用了SEM,TEM和XRD等手段对其显微结构、力学性能及它们与GCr15钢对摩时的摩擦磨损行为进行了系统分析,在此基础上深入探讨了SiC晶须(SiCw)增韧补强作用对复合材料的摩擦磨损性能的影响。  相似文献   

8.
Al2O3/TiB2/SiCW陶瓷材料的高温力学性能研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
采用热压法制备了不同SiC晶须含量的Al2O3/TiB2/SiCw复合材料.研究了该复合材料的强度、断裂韧性随温度的变化规律.结果表明:添加SiC、有利于提高材料的高温韧性和高温强度.晶须含量越高,高温增韧效果越明显.  相似文献   

9.
本以SiC板粒、ZrOCl2·8H2O、AlCl3和Y(MO)3为原料,利用共沉淀和热压烧结工艺,制备SiC板粒/Y-TZP和(含Al2O3)SiC板粒/Y-TZP复合材料。测试了材料的室温和高温力学性能。研究了添加Al2O3对SiC板粒/Y-TZO复合材料的影响。结果表明,SiC板粒/Y-TZP复合材料与Y-TZP复合材料与Y-TZP陶瓷相比,其室温强度和韧性出现明显下降,高温强度也没有改善;  相似文献   

10.
本文对Al_2O_3(Ti,W)C和SiCw-Al_2O_3(Ti,W)C的力学性能进行了分析对比,研究了热压工艺、SiC晶须含量、晶须分散效果和晶须/基体的复合情况等对Al_2O_3(Ti,W)C复相陶瓷力学性能的影响。从热膨胀系数失配角度分析和微观结构的观察证实,SiC晶须及(Ti,W)C固溶体对改善Al_2O_3陶瓷力学性能的效果是显著的,SiC_w-Al_2O_3.(Ti,W)C陶瓷材料的增韧机制主要是裂纹偏转和裂纹桥接。  相似文献   

11.
对压铸法制造的SiCw/Al复合材料拉伸强化机理进行了研究,分析了晶须尺寸和基体合金对Si/Cw/Al复合材料拉强度的影响规律,随晶须长径比的增大,复合材料拉伸强度提高。TEM观察发现复合材料的基体合金中晶粒细小,并且位错密度较高,使基体合金与没有晶须增强的相同分成铝合上比强度有较大提高,这是复合材料高度较原高,使基体合金与没有晶须增强的相同成分铝合金相比强度有较大提高,这是复合材料高强度的原因之  相似文献   

12.
The microstructure, mechanical properties, fracture behaviour and toughening mechanisms of 20 vol% SiCw–ZrO2 (2 mol% Y2O3) composite were investigated by X-ray diffraction, scanning and transmission electron microscopies, energy dispersive analysis of X-rays, high-resolution electron microscopy techniques and the three-point bending test. The results show that the ZrO2 (2 mol% Y2O3) matrix is well strengthened and toughened by 20 vol% SiCw. The SiC whiskers are directly bonded to the matrix with no interfacial reaction layer or amorphous phase. The main toughening mechanisms of the composite are crack deflection, dynamic tetragonal to monoclinic ZrO2 transformation, whisker pull-out and crack bridging. In addition, the fracture behaviour of the composite was observed using an in situ fracture technique.  相似文献   

13.
碳化硅晶须补强氧化铝复合材料的制备及其力学性能   总被引:5,自引:0,他引:5  
本论文利用商用γ-Al2O3粉体和上海硅酸盐所制备的碳化硅晶须,通过热压工艺来制备碳化硅晶须补强氧化铝复合材料.当晶须含量为30vol%时,室温下复合材料的抗弯强度为812±38MPa,断裂韧性为8.8±0.1MPa·m1/2;在1200℃、Ar气氛下,分别为560±61MPa和6.1±0.4MPam1/2.在氮气氛下,由于晶须的损伤易导致材料的力学性能下降.添加剂可降低复合材料的烧结温度,但不利于其力学性能.显微结构观察发现,不同温度下,AS复合材料的增韧机理有变化.  相似文献   

14.
对SiC晶须增韧Al_2O_3陶瓷刀具材料的晶须配比进行了理论分析,提出了最佳晶须配比的原则,导出了晶须含量与界面最大剪应力对基体最大正应力比值的关系。采用SEM和有限元法分析了该材料的断裂模式。结果表明晶须含量为20~30Vol%时增韧效果最佳,在此配比范围内的SiC晶须增韧Al2O3陶瓷材料的断裂过程为:晶须和基体界面拉伸开裂→晶须基体界面剪切分离→晶须或基体断裂。  相似文献   

15.
对SiCw/LD2、SiCw/LC9复合材料进行了热挤压加工并沿其纵向进行了拉伸对比试验。结果表明:SiCw/LD2的抗拉强度为590MPa,而SiCw/LC9复合材料的抗拉强度高达750MPa。SEM分析发现,上述两种复合材料均为切应力作用下的韧窝形断口,但SiCw/LD2的断口有明显的晶须拔出。低于临界长径比的晶须被拔出是SiCw/LD2断裂的主要形式;高于临界长径比的晶须被拉断是SiCw/LC9断裂的主要形式;基体合金的不同导致了复合材料具有不同的晶须临界长径比,这也是SiCw/LC9复合材料较SiCw/LD2复合材料有更高抗拉强度的根本原因。  相似文献   

16.
[1]S.Ryu, J.Kaneko and M.Suganuma: J. Japan Inst. Metals, 1997, 61, 1160. [2]H.Hu: J. Mater. Sci., 1998, 33, 1579. [3]B.L.Mordike, K.U.Kainer and B.Sommer: in Proc.3rd Inter. Magnesium Conf., Manchester, UK, 1996, 637. [4]S.Kamado, T.Shikawa, T.Wada and Y.Kojima: J. Japan. Inst. Light Metal, 1996, 46, 71. [5]M.Vedani, E.Gariboldi, G.Silva and C.Di. Gregorio: Mater. Sci. Tech., 1994, 10, 132. [6]B.R.Henriksen and T.E.Johnsen: Mater. Sci. Tech.,1990, 6, 857. [7]Mingyi ZHENG: Ph.D. Thesis, Harbin Institute of Technology, 1999. (in Chinese)  相似文献   

17.
SiCw/Al复合材料的界面   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
本文研究了SiCw/Al金属基复合材料的界面问题。用俄歇电子谱仪(AES)对断口表面和对它进行溅射剥层后分析的结果表明SiC晶须与基体Al结合良好。通过透射电镜和X射线能谱观测,没有发现界面反应层存在的迹象。分析表明既没有C、Si元素通过界面向基体中的扩散,也没有Al通过界面向晶须中的扩散。X射线衍射试验结果进一步证实了这一点。研究还表明SiC晶须与其周围的Al基体可能存在某种位向关系。   相似文献   

18.
碳化硅晶须和颗粒增强铝基复合材料的时效行为EI   总被引:4,自引:0,他引:4  
综述了近年来碳化硅晶须(SiCw)和碳化硅颗粒(SiCp)增强铝基复合材料(SiCw(p)/Al)时效行为的研究发展状况。主要包括碳化硅晶须与颗粒对基体时效硬化动力学、基体沉淀脱溶过程的影响规律和作用机制,以及影响SiCw(p)/Al复合材料时效特性的因素。  相似文献   

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