程控电话交换机过电流保护用PTC陶瓷材料的制备

程控电话交换机过电流保护元件要求用低电阻率高性能的ＰＴＣ陶瓷材料来制备．本文叙述了在（Ｂａ－Ｓｒ－Ｐｂ）ＴｉＯ３固溶体为基的化学组成中，通过对原材料特性的控制、多种添加物改性以及特定的烧成工艺等手段，获得了居里温度为９０°Ｃ、室温体积电阻率为３０Ω．ｃｍ和电阻率随温度的变化幅度超过１０５的ＰＴＣ陶瓷材料，并成功地制得了用于程控电话交换机过电流保护元件．     

陶瓷PTC过流保护元件所用原料的选择

在配方确定以后，原料的档次与含杂量对陶瓷ＰＴＣ过流保护元件的性能有极大的影响。本文通过各种试验、分析与比较，说明只能用高纯、低有害杂质原料，方能做出优质过流保护元件。本文还证实了，国内有的厂家的原料，已达到制备陶瓷ＰＴＣ过流保护元件的需求。     

低电阻率高性能PTCR陶瓷材料及其元件

报道了低电阻率高性能ＰＴＣＲ陶瓷和元件的制备及其性能。采用高纯原料和特定的烧成工艺方法，得到了居里温度分别为１８０℃和９０℃，室温电阻率分别为５０Ω．ｃｍ和３０Ω·ｃｍ，可应用于汽车歧管加热器和电话交换机过电流保护器的ＰＴＣＲ材料和元件。     

陶瓷PLC过流保护元件所用原料的选择

在配方确定以后，原料的档次与含杂量对陶瓷ＰＴＣ地流保护元件的性能有极大的影响。本文通过各种试验，分析与比较，说明只能用高纯，低有害杂质原料，方能做出优质过流保护元件。     

限流BaTiO3陶瓷PTCR元件化学沉积欧姆电极的研究

本文对程控交换机用过流保护ＢａＴｉＯ３陶瓷ＰＴＣＲ元件不同化学沉积镍和铜电极的耐工频电流冲击性能和稳定性进行了比较研究，对所得结果进行了充分的讨论。     

低电阻率高性能PTCR陶瓷材料-汽车闭锁器马达过电流保护元件的制备

为满足汽车电器等低电压下的保护元件的需求,研制低电阻率高性能PTCR陶瓷材料已成为研究的热点．本工作采用通常的混合氧化物工艺制备了室温电阻率＜10Ω·cm,电阻率的突变达到10⁵的高性能PTCR热敏电阻陶瓷．并研究了原材料,固溶体的基方组成,各种添加物以及烧结工艺等对PTCR陶瓷性能的影响,特别注意了用液相方式添加施主和受主杂质在制备低电阻率的高性能PTCR陶瓷时起的更为有效的作用,对材料的化学组成,制备（烧结）工艺,显微结构和PTCR效应之间的关系进行了讨论．用本材料制备的元件能用于汽车闭锁器马达的过电流保护．     

V2O3系新型PTC热敏元件的实用研究

对Ｖ２Ｏ３系新型ＰＴＣ热敏元件进行实用性研究。结果表明，元件的性能指标达到：常温电阻率８．０×１０＾－４Ωｃｍ，升阻比３８０倍，电阻纱数６％／℃，额定电流密度１Ａ／ｍｍ＾２，响应时间０．５ｓ。该元件用作大电流过流保护元件。     

PTCR陶瓷材料的超低温烧结

主要研究了ＢＮ对ＰＴＣＲ陶瓷材料低温烧结的作用．对Ｌａ掺杂ＢａＴｉＯ_３ＰＴＣＲ陶瓷,在１１００℃的低温下烧结可以得到室温电阻率为１５０Ω·ｃｍ、升阻比为４．９个数量级的样品．对居里温度为３６０℃的高居里点（Ｂａ_０．４Ｐｂ_０．６）ＴｉＯ_３ ＰＴＣＲ陶瓷材料,选用 Ｎｂ_２Ｏ_５为半导化剂,ＢＮ和ＡＳＴ为助烧剂时,可以在１０００℃左右的超低温下烧成．同时,对ＢＮ助烧剂的液相烧结机制进行了初步的探讨．     

ZnO非欧姆陶瓷材料的介电和损耗特性

本文研究了不同工艺条件制备的ＺｎＯ非欧姆陶瓷材料的介电和损耗特性，根据介电频谱和低温温谱，认为音频损耗机理是载流子跳跃传输，低温－１３８°Ｃ和－８７．５°Ｃ处的损耗机制是热离子极化．实验发现并理论推导了ＺｎＯ非欧姆陶瓷元件的阻性电流正比于其电容和压敏电压的乘积，这一关系可作为ＺｎＯ元件的质量控制手段．     

铬/PTC陶瓷复合材料研究

本文研究了以ＢａＴｉＯ３为基的铬／ＰＴＣ陶瓷复合材料的配方、制备工艺、组成结构对其性能的影响。在一定配方及工艺条件下,获得的铬／ＰＴＣ陶瓷复合材料具有低的室温电阻率和ＰＴＣ特性,并探讨了复合材料阻温特性的微观机理。     

化学均匀性对PTCR陶瓷材料阻温系数α的影响

本文研究了两种不同化学组成均匀性的ＰＴＣＲ陶瓷材料晶相转变特性和电容－温度关系，初步探究了化学组成均匀性对于ＰＴＣＲ陶瓷材料阻温系数α的影响关系，结果表明；提高ＰＴＣＲ陶瓷材料的化学组成均匀性，可以使其晶相转变温区变窄以及电容随温度变化陡度增大，从面导致了ＰＴＣＲ陶瓷材料阻温系数的增大。     

化学镀镍溶液渗透对多孔PTC陶瓷影响的机理研究

通过对比实验研究了化学镀镍溶液渗透对多孔ＰＴＣ陶瓷影响的机理。结果表明，这种影响是由溶液中的还原剂引起的，镀液中的其它物质的渗透对ＰＴＣ陶瓷的性能没有影响或者影响很小。提出了化学镀镍溶液中的还原剂对ＰＴＣ陶瓷的晶界产生还原从而影响ＰＴＣ效应的观点。化学镀镍溶液渗透造成的这种影响可以通过一定温度下的氧化热处理而消除。     

化学法制备的（Sr,Pb）TiO3基PTCR陶瓷

通过化学工艺制备（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３半导体陶瓷，首次获得了与ＢａＴｉＯ３陶瓷相类似的典型ＰＴＣ特性，样品耐压强度大，室温电阻率低于１０＾２Ω．ｃｍ，升阻比高达１０＾６．３３，烧结温度可以降低至１１００℃以下。     

蒸汽掺杂-一种新的钛酸钡基PTCR陶瓷的掺杂方法

晶界铲应是陶瓷材料所固的的特性,利用某些氧化物在高温下具有较高的蒸汽压,在烧成过程对陶瓷材料进行掺杂改性,可以有效地控制晶界行为,改善材料性能,钛酸钡基半导体陶瓷中存在的ＰＴＣＲ效应,是一种典型的晶界效应。     

金属—PTC陶瓷复合材料制备工艺及机理的研究

金属－ＰＴＣ陶瓷复合材料是电子功能型的陶瓷基复合材料。本文介绍了Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ－ＰＴＣ陶瓷复合材料的制备方法，测定了材料的阻温特性，讨论了样品的ＮＴＣ现象及阻温特性机理。     

金属－PTC陶瓷复合材料制备工艺及机理的研究

金属－ＰＴＣ陶瓷复合材料是电子功能型的陶瓷基复合材料［１］．本文介绍了Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ－ＰＴＣ陶瓷复合材料的制备方法，测定了材料的阻温特性，讨论了样品的ＮＴＣ现象及阻温特性机理．     

TiO2对Y掺杂PTCR陶瓷材料性能的影响

本文对ＴｉＯ２原料的晶型、颗粒状况和纯度对Ｙ＾３＋掺杂ＢａＴｉＯ３基ＰＴＣＲ材料的显微结构、电性能的影响作了探讨，结果表明，ＴｉＯ２原料的晶型、颗粒大小和团聚状况都将影响到ＰＴＣＲ陶瓷的显微结构，ＴｉＯ２原料的晶型对ＰＴＣＲ陶瓷半导化过程有影响，原料存在杂质和团聚，将使ＰＴＣＲ陶瓷的电阻－温度特性变差。     

掺杂V2O3系PTC陶瓷的研究及进展

简要介绍了掺杂Ｖ２Ｏ３中的Ｍ－Ｉ相变以及相关ＰＴＣ特性，综述了国内外掺杂Ｖ２Ｏ３系ＰＴＣ陶瓷的研究现状，论述了近期在掺杂体系、淬冷处理工艺和金属添加剂等方面的研究进展，并展望了掺杂Ｖ２Ｏ３系ＰＴＣ陶瓷的应用前景。     

掺杂V2O3素PTC陶瓷中金属相的研究

报导在掺杂Ｖ２Ｏ３系ＰＴＣ陶瓷中引入Ｆｅ金属相，采用ＸＲＤ，ＳＥＭ分析技术确定Ｆｅ金属相在材料中的结构状态，并结合材料ＰＴＣ性能测试结果讨论了Ｆｅ金属相对材料烧结性能和ＰＴＣ性能的影响。     

复合X7R多层陶瓷电容器

介电常数Ｋ高于 ７２００的、具有满足 Ｘ７Ｒ（－５５～１２５℃,±１５％）规范要求的低烧复合多层陶瓷电容器（ＣＭＬＣＣｓ）已经研制成功．该电容器是由四种具有不同介温特性的ＰＭＮ－ＰＮＮ－ＰＴ和ＰＭＮ－ＰＴ体系的瓷介质膜片按一定布局复合构成．其内部显微结构良好．本研究表明,采用不同材料共烧以得到具有优良性能的片式元件是可行的．