溶胶—凝胶法合成了PZT—TiNi复合膜

以醋酸铅、异丙醇锆和钛酸正丁酯为先驱物,利用溶胶－凝胶在ＴｉＮｉ形状记忆合金箔基片上成功合成了ＰＺＴ铁电陶瓷薄膜,并研究了ＰＺＴ薄膜的晶化过程,结果表明,所得ＰＺＴ薄膜属钙钛矿结构无裂纹,与ＴｉＮｉ合金基结合牢固。     

溶胶-凝胶法合成PZT-TiNi复合膜

以醋酸铅、异丙醇锆和钛酸正丁酯为先驱物,利用溶胶-凝胶技术在TiNi形状记忆合金箔基片上成功合成PZT铁电陶瓷薄膜,并研究了PZT薄膜的晶化过程.结果表明,所得PZT薄膜属钙钛矿结构无裂纹,与TiNi合金基片结合牢固.     

溶胶凝胶法制备的PbTiO3薄膜的表面层

利用Ｘ射线光电子能谱研究了溶胶凝胶法制备的ＰｂＴｉＯ３薄膜表面态。结果表明薄膜表面会出现一层在烧结过程中形成的富含ＰｂＯ的非计量的表面层，厚约４０ｎｍ。薄膜经溅射及空气中６００℃热处理后，其表面转化为化学计量比的ＰｂＴｉＯ３。     

溶胶-凝胶法制备纳米PZT粉体及结构表征

采用改进的溶胶-凝胶法,以乙二醇为溶剂,硝酸锆为锆源,制备了纳米Pb(Zr0.52Ti0.48)O3粉体.通过溶胶的红外光谱分析给出了溶胶、凝胶形成的机理.通过IR,TG-DTA,XRD,SEM,TEM分析对PZT纳米晶的生长过程及性能进行了表征.实验证明:在650℃热处理2h,获得较完整钙钛矿型PZT,粒径约为50～100nm.     

溶胶—凝胶法制备MoO3陶瓷薄膜

以钼酸铵为原料，乙二醇为溶剂，用溶胶－凝胶法制备ＭｏＯ３薄膜，通过对干凝胶粉做ＤＴＡ和ＴＧ分析，用ＳＥＭ和ＸＲＤ分析胶膜，热处理后氧化物膜多次重复浸涂热处理薄膜的显微结构和晶相组成，研究了氧化物薄膜的形成过程，重复４次浸涂热处理可得到的约２μｍ厚连续臻密的，主晶相为择优取向的斜方ＭｏＯ３薄膜。     

用溶胶—凝胶法制备铁电薄膜

介绍了溶胶－凝胶技术制备铁电薄膜的基本原理，工艺过程及工艺特点，综述了溶胶－凝胶法制备铁电薄膜的最新进展。     

用溶胶—凝法制备锆钛铅铁电薄膜：1994年7月1日收到,8月20日修回

利用溶胶－凝胶法在镀铂硅片上制备了ＰＺＴ铁电薄膜，利用ＸＲＤ、ＳＥＭ和ＴＥＭ观察了ＰＺＴ薄膜的组成与形貌，测定了ＰＺＴ薄膜的电学性能。防防止薄膜发生龟裂，在前体溶液中加入了干燥控制化学添加剂，并采用慢速变温的热处理过程，ＰｂＴｉＯ３过渡层保证了ＰＺＴ薄膜晶完好。     

溶胶—凝胶法制备Al2O3—SiO2陶瓷薄膜的研究

研究了溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）法制备Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２体系多孔的陶瓷膜过程中的溶胶、凝胶反应，通过冷冻复型法观察到溶胶颗粒的微观形貌，认为组分之间的去极化作用是导致溶胶颗粒团聚的原因，利用ＦＴＩＲ地复合交的热处理过程反应情况进行观察，结果表明，组分各自的相变互不影响，也不发生反应，由此可制得保持各组分特性的Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２复合陶瓷薄复合薄膜的ＴＥＭ形貌表明，组分在溶胶状太的去极化作用地致     

用溶胶－凝法制备锆钛铅铁电薄膜

利用溶胶－凝胶法在镀铂硅片上制备了ＰＺＴ铁电薄膜。利用ＸＲＤ、ＳＥＭ和ＴＥＭ观察了ＰＺＴ薄膜的组成与形貌，测定ＰＺＴ薄膜的电学性能。为防止薄膜发生龟裂，在前体溶液中加入了干燥控制化学添加剂，并采用慢速变温的热处理过程。ＰｂＴｉＯ３过渡层保证了ＰＺＴ薄膜结晶完好。     

PZT铁电薄、厚膜及其制备技术研究进展

铁电薄、厚膜材料具有良好的铁电、压电、热释电、电光及非线性光学特性,在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域有许多重要的应用.近年来,随着铁电薄、厚膜制备技术的发展,PZT厚膜材料及厚膜器件成为科学工作者研究的热点.介绍了PZT铁电薄、厚膜材料与器件的研究进展以及PZT铁电薄、厚膜制备技术及几种典型的PZT铁电薄、厚膜材料制备技术的特点,并指出了目前存在的一些问题和未来的发展方向.     

溶胶-凝胶薄膜的制备和应用

概述了溶胶—凝胶薄膜的制备方法和在各个领域的应用。并对溶胶—凝胶薄膜制备的基本原理、制备过程中薄膜质量的影响因素和存在的问题进行了探讨和总结。     

溶胶－凝胶方法制备PZT铁电薄膜材料的研究

本文介绍了用ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制备ＰＺＴ铁电薄膜的工艺，并指出采用快速热处理工艺能有效地防止薄膜开裂。比较了用３种不同锆盐原料制备的ＰＺＴ薄膜的性能。实验结果表明，用无机盐硝酸锆制备的ＰＺＴ铁电薄膜的性能最好。     

用Sol─Gel法制备PZT铁电陶瓷及薄膜

用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备了Ｐｂ（Ｚｒ＿（０．５）Ｔｉ＿（０．５））Ｏ＿３（ＰＺＴ）铁电陶瓷与薄膜，观察了它们的结晶情况并测定了它们的电学性能。利用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法，可降低ＰＺＴ陶瓷粉料的预烧温度约２００℃，所得陶瓷致密，晶粒均匀；具有较好的介电性能。ＰＺＴ陶瓷显示弥散相变特征。ＰＺＴ薄膜的晶化受基底影响很大。基底晶格越完整，与ＰＺＴ薄膜的晶格失配率越小，ＰＺＴ薄膜的晶化就越好。采用ＰｂＴｉＯ＿３过渡层促进ＰＺＴ薄膜在镀铂硅片上晶化。ＰｂＴｉＯ＿３过渡层与ＰＺＴ薄膜构成串联电路。其表现电学性能与相应的ＰＺＴ体材料相近。     

Sol-gel法制备PZT铁电薄膜的疲劳影响因素研究进展

简述了PZT铁电薄膜在制备和应用当中遇到的问题.围绕提高薄膜的疲劳性能,介绍了PZT铁电薄膜近年来在热处理、底电极、过渡层和掺杂等方面的研究进展,并分析了它们对材料电性能和疲劳性能的影响.最后提出了展望.     

退火温度对Sol-gel法制备的BiFeO3薄膜结构及电性能的影响

采用溶胶-凝胶法在ITO/glass衬底上制备了BiFeO3薄膜,退火温度分别为500℃和550℃.实验结果表明,550℃退火的薄膜晶粒较大且不均匀,并有杂相产生,薄膜的漏电流较大,没有得到饱和的电滞回线;而在500℃退火的薄膜晶粒较小且均匀,没有杂相产生,相对于550℃退火的薄膜,其漏电流密度降低了约2个数量级,铁电性得到明显增强,剩余极化强度约为40μC/cm2,矫顽场约为75kV/cm,最大的测试电场为130kV/cm.     

Sol-Gel法制备 BaxSr1-xTiO3铁电薄膜化学机制的探讨

用ＦＴＩＲ分析,结合ＤＳＣ、ＸＲＤ、ＡＦＭ实验结果,展示了ｓｏｌ－ｇｅｌ法制备ＢａｘＳｒ１－ｘＴｉＯ３（ＢＳＴ）薄膜热演化过程的化学机制．研究表明：螯合剂ＨＡＣＡＣ的引入减缓钛醇盐水解速率、改善晶化途径、降低结晶起始温度,从而制得了晶化完善、致密无裂纹的ＢＳＴ薄膜．     

锆钛酸铅95/5纳米粉体Sol-Gel法制备与改进

以醋酸铅、硝酸锆、钛酸丁酯为原料,改进溶胶-凝胶法,制备得到锆钛酸铅95/5纳米粉体.改进溶胶-凝胶法省去溶胶加水、凝胶干燥、干凝胶研磨等步骤,采用加热蒸馏溶胶制备凝胶,蒸馏回收溶剂并干燥凝胶,凝胶分段加热处理等方法,简化了加工工艺,大大缩短了合成周期,降低了成本.XRD和TEM分析表明,用改进sol-gel法制备得到的PZT粉体煅烧温度低、晶粒细小、均匀,直径约10nm.     

以溶胶-凝胶法PZT薄膜为驱动的微泵研制

采用溶胶-凝胶法(sol-gel)制备技术制作了Pb(Zr,Ti)O3(PZT)压电薄膜,并以PZT薄膜为驱动制作了微泵.采用了V型微阀的微泵主要利用PZT的压电效应.针对微泵的关键结构--复合驱动膜,探索了一种Si/SiO2/Ti/Au/PZT/Cr/Au多层驱动膜结构制备方法,解决了在硅基底上制备PZT薄膜的问题,同时探讨并解决了硅各向异性刻蚀微泵的微驱动腔、单向阀的工艺问题,并通过SEM照片对V型阀和多层驱动膜进行了表征.研究结果表明,采用MEMS技术成功地完成了微驱动器的研制,得到的驱动腔硅杯平坦均匀.在V型阀微泵整体设计中需要的硅片数目少,降低了器件的复杂性,可以满足功耗低、小型化和批量生产的要求.