电子俘获材料CaS：Eu,Sm红外上转换光衰减特性的研究

根据电子俘获机制，提出了CaS：Eu,Sm红外上转换的衰减模型，建立了速率方程并进了初步的求解，其解具有三级指数衰减的形式。从实验上测定了CaS：Eu,Sm在不同温度下的红外土转换光衰减特性，对实验结果进行了非线性拟合，拟合结果也具有三级指数衰减规律的形式。     

红外上转换材料CaS：Eu，Sm的制备

采用碳还原法，制备了电子俘获型红外上转换材料（CaS：Eu，Sm）．研究了反应机理、还原原理、红外上转换机理以及灼烧温度对CaS品格形成和发光性能的影响．样品的XRD测试结果表明，CaS：Eu，Sm为面心立方结构，样品的激发谱位于200—600nm，样品的荧光发射光谱是峰值分别位于567nm，606nm和630nm的宽带谱，上转换发光峰值位于625nm，上转换发光的光谱响应范围位于800～1600nm．     

电子俘获光存储材料的最新研究进展

电子俘获材料是一类有着巨大应用潜力的光存储材料，它能将写入光照射材料后产生的电子(空穴)束缚在材料的某些稳定的高能级(陷阱)上。只有经过合适的读出光照射，被束缚住的电子(空穴)才能脱离陷阱复合发光。发光在空间的强度分布与写入光的分布一致，即再现了写入光的信息。电子俘获材料的种类很多，研究进展各不相同。其中，以作为X光影像存储材料的BaFBr：Eu为代表的碱土金属氟卤化物已经广泛应用于医疗诊断方面。本文分类介绍了近年来几种典型的电子俘获材料在发光机理和应用方面的最新进展，尤其重点介绍了新兴的玻璃陶瓷型电子俘获材料的研究工作情况。     

电子俘获光存储材料的最新研究进展

电子俘获材料是一类有着巨大应用潜力的光存储材料,它能将写入光照射材料后产生的电子(空穴)束缚在材料的某些稳定的高能级(陷阱)上。只有经过合适的读出光照射,被束缚住的电子(空穴)才能脱离陷阱复合发光。发光在空间的强度分布与写入光的分布一致,即再现了写入光的信息。电子俘获材料的种类很多,研究进展各不相同。其中,以作为X光影像存储材料的BaFBr:Eu为代表的碱土金属氟卤化物已经广泛应用于医疗诊断方面。本文分类介绍了近年来几种典型的电子俘获材料在发光机理和应用方面的最新进展,尤其重点介绍了新兴的玻璃陶瓷型电子俘获材料的研究工作情况。     

不同聚集态色心对BaFBr:Eu2+光激励发光的影响

BaFBr:Eu^2 作为一种优良的光激励发光材料,广泛应用于生物学、医学、同步辐射等领域。BaFBr:Eu^2 粉末材料涂覆在基片上做成X线影像板（简称IP板）,可以代替X线感光胶片记录X线影像。本文系统研究了在BaFBr:Eu^2 中掺杂不同的金属离子,促使BaFBr:Eu^2 的光激励波长峰值红移以及对其发光强度的影响,并在理论上探讨了不同金属离子的掺入所形成色心的类型。     

紫外线辐照能量对BaFCl：Eu^2＋光激励发光的影响

通过改变紫外线辐照能量，研究了ＢａＦＣｌ：Ｅｕ＾２＋的光激励发光性质，发现当紫外线能量大于或小于Ｅｕ＾２＋最低激发态能量两种情况下，光激励发光有明显的差异，还分析了产生差异的原因，并且给出了紫外线辐照能量与Ｆ／Ｃｌ比值的关系。     

Eu3+掺杂钙钛矿结构的MSnO3(M＝Ca,Sr,Ba)发光粉的发光特性研究

利用高温固相反应法合成了MSnO3:Eu3+ (M=Ca,Sr,Ba)发光粉末样品,采用X射线衍射技术和荧光光谱等测试手段对样品的结构、固相反应机理及发光特性进行了研究.结果表明:Eu3+离子的掺杂未明显改变MSnO3 (M＝Ca,Sr,Ba)的晶体结构.荧光光谱测试显示Ca0.98Eu0.02SnO3样品的发射以电偶...     

X射线存储材料Si4 掺杂BaFBr:Eu2 中电子陷阱的研究

在BaFBr：Eu^2 中掺人Si^4 合成了一种新的X射线影像板材料，其主要光激励发光(PSL)性能，如射线敏感度和长波可激发性都优于低价阳离子掺杂的BaFBr：Eu^2 。用喇曼和顺磁共振(EPR)等手段表征了掺Si^4 后BaFBr：Eu^2 中电子陷阱的结构，并根据此结构解释了其激发波长的红移量比其它低价阳离子掺杂都高的原因。     

BaFBr:Eu2 中Al3 的最佳掺杂浓度研究

把Al^3 掺入BaFBr：Eu^2 中，取代了其中部分Ba^2 ，这些金属离子将影响到色心F(Br^-)，使其激发能变小。通过电子顺磁共振(EPR)谱研究了掺杂Al^3 的量值对光激励发光强度的影响，确定光激励发光强度最大时的最佳掺杂比例为0．015％。对这一结果从色心的形成机理上进行了讨论，指出掺杂量不是越多越好，过多的掺杂Al^3 能导致俘获电子的空位发生聚集，俘获电子的能力变弱，使光激励发光强度降低。     

混晶GaAs1—xPx：N（x=0.4）中的Nx和NГ发光带的研究

本文采用变温条件下的光致发光谱和选择激发发光谱对混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．４）中的Ｎｘ和ＮГ发光带进行了研究。在选择激发条件下,实验未观察到混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．４）中ＮГ→Ｎｘ的带间能量转移现象。从变温光致发光谱得到在温度Ｔ〈５０Ｋ时,ＮГ和Ｎｘ的激活能分别为Ｅａ（ＮГ）＝５．８ｍｅＶ和Ｅａ（Ｎｘ）＝１１．２ｍｅＶ;在温度Ｔ〉５０Ｋ时,ＮГ和Ｎｘ的激活能分别为Ｅａ（ＮГ）     

SrS:Eu,Sm光存储材料的制备及表征

采用湿法在还原气氛下制备了SrS:Eu,Sm电子俘获光存储材料,研究了制备条件(灼烧温度、灼烧时间、助熔剂含量)对样品光激励发光性能的影响。XRD图谱表明,样品在750°C就可以形成SrS晶格。光谱分析表明,先将样品用紫外光饱和激发后,再用980nm半导体激光照射,具有光激励发光现象,发光峰值位于599 nm。对这种稀土掺杂硫化物材料的光存储机理进行了探讨。     

宽频谱红外上转换材料CaS:EU,Sm的快速合成及表征

分别以尿素、甘氨酸及二者一定比例混合体作为有机燃料，采用低温燃烧法快速合成了宽频谱红外上转换发光材料CaS：Eu，Sm，反应时间为2～3min，产物为红色疏松多孔的超细粉末。研究了燃料种类、燃料用量对于燃烧反应现象、燃烧产生的气体量及终产物表观状态的影响；研究了辅助氧化剂用量对于燃烧反应的影响。X射线衍射（XRD）物相分析表明样品为面心立方CaS晶格结构。光谱分析表明样品在800-1600nm之间具有宽频谱红外响应效应，上转换发光峰值波长位于655nm，对应于Eu^2＋离子的4f^65d→4f^7（^8S7/2）跃迁。     

Trapping and luminescence mechanisms in manganese-doped zinc silicate phosphorsa tunneling model

We have investigated electron trapping and luminescence (phosphorescence, thermoluminescence and photostimulated luminescence) mechanisms in Mn and Mn+As doped Zn₂SiO₄ phosphors. The intensities of both the phosphorescence and photostimulated luminescence are found to decay with time approximately as (time)^-1. The generally accepted model of such a decay of phosphorescence, based on thermal release of electrons from a broad distribution of trap energy levels, cannot explain the observed decay of the photostimulated luminescence. In order to explain both results we have developed a new model based on radiative recombination by tunneling between holes trapped on Mn ions and electrons in shallow traps or in excited states of the deeper traps. We derive a simple expression which describes for both experiments at all times the decay of the light intensity and its dependence on experimental conditions. The agreement between theory and experiment is found to be excellent.     

电子俘获材料KCl:Eu2+的光存储特性研究

采用高温固相反应法制备出了粉末态的 KCl:Eu2 样品 ,研究了 Eu掺杂浓度与光激励发光的关系。测试了样品的发光性能和存储性能 ,并分析了 KCl:Eu2 的光存储的机制。     

宽频谱红外上转换材料CaS∶Eu,Sm的快速合成及表征

分别以尿素、甘氨酸及二者一定比例混合体作为有机燃料,采用低温燃烧法快速合成了宽频谱红外上转换发光材料CaS∶Eu,Sm,反应时间为2~3 min,产物为红色疏松多孔的超细粉末。研究了燃料种类、燃料用量对于燃烧反应现象、燃烧产生的气体量及终产物表观状态的影响;研究了辅助氧化剂用量对于燃烧反应的影响。X射线衍射(XRD)物相分析表明样品为面心立方CaS晶格结构。光谱分析表明样品在800~1600 nm之间具有宽频谱红外响应效应,上转换发光峰值波长位于655 nm,对应于Eu2 离子的4f65d→4f7(8S7/2)跃迁。     

电子俘获得光存储材料的研究进展

电子俘获存储技术是一种新型的存储技术，有望从存储机制方面突破现有的光存储介质的限制，实现大密度稳定可重复擦写存储，文中详细报道了近年来电子俘获光存储材料的研究进展。着重介绍了电子俘获材料光存储机制，以及各种材料的存储特性，并探讨了存在的问题。