射频/微波开关测量及测量不确定度研究

该文着重介绍了射频/微波开关的测量方案,并在此方案基础上对测量不确定度建立了数学模型,并进行了详细的分析。经过实例证明,射频/微波开关的隔离度、开关时间等能够准确测量,并且能应用到实际工程中去。     

一种温控VO2射频开关及其特性研究

文中提出了一种温控二氧化钒(Vanadium Dioxide, VO₂)射频开关,在共面波导传输线上验证了其温度控制的开关特性。采用直流磁控溅射工艺在蓝宝石基底上形成70 nm厚的VO₂薄膜,并将其切成可独立控制的VO₂单元。将VO₂单元镶嵌在共面波导传输线中,通过改变外加温度来控制VO₂开关的电阻率,使其在高阻态和低阻态间切换,从而实现传输线的状态在“导通”和“关断”间切换。对由这种VO₂射频开关构成的器件进行了仿真设计和实验测试,仿真和测试结果吻合较好。温控VO₂开关具有低温截止射频信号、高温导通射频信号的特性,为可调微波器件的实现提供了新思路。     

一种100 MHz~12 GHz高功率SPDT射频开关

基于0.13 μm CMOS SOI工艺,设计并实现了一种100 MHz~12 GHz高功率SPDT射频开关。该射频开关为吸收式射频开关,开关支路为串并联的拓扑结构。采用负压偏置设计,减小了插入损耗,提高了隔离度。采用多级开关管堆叠设计,提高了开关的输入1 dB 压缩点。测试结果表明,在100 MHz~12 GHz频率范围内,该射频开关插入损耗小于1.5 dB,隔离度大于31 dB,输入1 dB 压缩点大于40 dBm。芯片尺寸为1.1 mm ×1.1 mm。     

一种新型微波射频开关(4×2)的设计与应用

介绍了一种新型利用pin diodes的4输入2输出射频开关的设计,给出了设计思想和详细的电路图,并介绍了这种射频微波器的印刷电路板的设计及其电磁兼容特性.准确分析了器件良好的散射和传榆性能.该射频开关稳定性高,微波特性良好,能够准确应用于测试系统中电路的切换.目前,该射频开关已应用于某核磁共振测试系统中,效果良好,可靠性高.     

一种基于电流微变检测的微波故障检测组件设计方法

本文设计了一种射频通道微波开关的故障检测方法,并基于此方法研制了一种射频通道微波开关的故障检测组件。该组件可以在不明显增加使用微波开关的大功率功放或大功率收发组件重量、体积,不增加发射通道插损、驻波的情况下,明显提高射频通道微波开关的可靠性和使用寿命,同时提供了大功率击穿报警信号和故障检测信号。     

射频开关及其在通信系统中的应用

主要针对无线通信系统中的身频电子开关进行分类讨论。总结了射频开关的带宽、插入损耗、隔离度、功率容量、开关速度、VSWR、功耗、使用寿命和尺寸等主要性能指标。讨论了铁氧体／机械开关、固态开关(PIN开关和FET开关)和MEMS开关的工作机理、各项技术指标以及优缺点。列表比较了各类开关。简述了开关矩阵在未来无线通信系统阵列天线中的作用及应用。最后,指出了射频开关的发展方向和动态。     

一种基于Au-TiW触点的提高RF MEMS开关寿命的方法

针对基于Au-Au触点的射频微电子机械系统(RF MEMS)开关寿命低的问题,提出了一种高寿命RF MEMS开关的研制方法。对比Au与其他金属的硬度、杨氏模量以及方阻,最终选择性能优良的TiW金属作为新触点材料,其制备参数为溅射功率300 W,气压5 mTorr(1 mTorr=0.133 Pa),溅射时间1 568 s。设计了基于Au-TiW触点的RF MEMS开关工艺流程,给出了详细工艺参数,为进一步提高可靠性,设计了RF MEMS开关封装工艺流程并制作了封装样品。测试比较了基于Au-Au触点的RF MEMS开关与基于Au-TiW触点的RF MEMS开关的寿命与射频性能。结果表明,虽然基于Au-TiW触点的RF MEMS开关的射频性能有所降低,但开关寿命提高了两个数量级。该研究为提高RF MEMS开关的寿命提供了一种解决办法。     

一种基于MMIC技术的S波段GaAs单刀单掷开关

射频开关作为一个系统的重要组成部分其性能直接影响整个系统的指标和功能。其中插入损耗和隔离度以及开关速度是射频开关最重要的几个指标。在实际测试中,S波段脉冲信号源需要产生快前沿的窄脉冲信号。在此基于上述需求,利用了射频开关模块设计的基本原理,并结合了PCB上微带线的特性阻抗分析,且设计了合适的开关驱动电路,最终设计出一种高隔离度,低插入损耗,高速射频开关,开关控制电压为（0,-5V）。在频率2～4GHz的条件下,插入损耗小于1．7dB,隔离度大于48dB,结果满足设计要求。     

微机械微波/射频开关的制备和功能测量研究

讨论了微机械微波/射频开关的原理、制备工艺和功能测试.微机械接触式微波/射频开关的基本结构是微波共平面波导,在制备工艺中首先考虑的是工艺兼容性,为此选择以PECVD生长的氮化硅为悬臂梁,聚酰亚胺为牺牲层.功能测试表明,该工艺制备的微机械开关的执行电压只有25V,优于同类微机械开关的指标,同时它具有良好的响应特性.     

全集成2.4 GHz CMOS对称式收发开关的设计

文章设计了一种应用于无线通信的2．4GHz全集成对称式串并型射频收发开关，详细分析了影响这种射频收发开关性能的各种因素，并采用了相应的优化方案。经仿真，在2．5V电压下获得了插入损耗1．0dB、隔离度30．5dB和1dB压缩点为16．1dBm的较好结果。该开关采用TSMC0．25μm工艺设计实现，版图面积(包括pad)为0．6mm^2。