悬臂梁的受控源等效电路宏模型的建立及验证

针对能代表MEMS器件特征的悬臂梁结构,采用了SPICE中标准多项式受控源的形式建立悬臂梁的多模态小信号等效电路宏模型.在外力的作用下,用SPICE软件对此悬臂梁宏模型和外加电路进行了系统级的模拟,得到分布参数的力传感器的输出电压幅频特性曲线;最后采用COVENTORWARE软件进行了模型的各个模态的谐振频率和相关曲线的验证.     

悬臂梁的受控源等效电路宏模型的建立及验证

针对能代表MEMS器件特征的悬臂梁结构，采用了SPICE中标准多项式受控源的形式建立悬臂梁的多模态小信号等效电路宏模型。在外力的作用下，用SPICE软件对此悬臂梁宏模型和外加电路进行了系统级的模拟，得到分布参数的力传感器的输出电压幅频特性曲线；最后采用COVENTORWARE软件进行了模型的各个模态的谐振频率和相关曲线的验证。     

固支梁微传感器等效电路宏模型及IP库的建立

针对 MEMS器件中的固支梁结构 ,采用了 SPICE中标准多项式受控源的形式和模态分析的方法 ,运用 F-I类比的电路形式建立了固支梁微传感器的多模态小信号等效电路宏模型 ,并建立了相应的 IP模型库单元。在外加力作用下 ,用 SPICE软件调用固支梁的 IP库并结合外加电路进行了系统级的模拟 ,得到微传感器分布参数的电学参量输出特性曲线 ;最后采用 COVENTORWARE软件进行了模型的各个模态的谐振频率和相关曲线的验证     

理想静电传感器的大信号等效电路宏模型

从MEMS器件的机电耦合关系式出发，采用关系式各项与电路相对应的方法，研究了刚性平行极板纵向运动静电换能器的大信号等效电路的宏模型，其中利用了SPICE中的多项式受控源的形式来简化等效电路结构。对带有此刚性极板结构的集总参数的理想静电传感器进行系统级模拟，并对所建立的传感器大信号等效电路宏模型进行了分析及验证。     

利用受控源构建直流电机等效电路的新方法

利用受控电压源构建了他励直流电机机电一体化动态等效电路,并将该等效电路推广到其它类型的直流电机。这种机电一体化等效电路有助于数字仿真和电机控制。     

含受控源网络戴维宁等效电路的一种求解方法

提出了含受控源网络戴维宁等效电路的一种求解方法。该法尤其适用于受控源控制量为端口变量或可将受控源控制量方便转移为端口变量的含受控源网络的戴维宁等效电路的计算。     

梳状谐振器的大信号等效电路宏模型

研究了梳状谐振器在大信号作用下的机电特性方程.采用SPICE中的多项式受控源,给出了其F - I类比的大信号等效电路,同时根据所得到的等效电路宏模型运用SPICE软件进行了系统级的模拟,并采用两种方法进行了验证.     

梳状谐振器的大信号等效电路宏模型

研究了梳状谐振器在大信号作用下的机电特性方程.采用SPICE中的多项式受控源,给出了其F-I类比的大信号等效电路,同时根据所得到的等效电路宏模型运用SPICE软件进行了系统级的模拟,并采用两种方法进行了验证.     

含受控源电路的等效含源支路的求解方法

本文根据受控电源在电阻电路中所表现出的电源和电阻的二重特性,就如何在含受控电源电路中利用戴维南定理求等效含源支路的方法进行了较为详细的讨论。文章对利用戴维南定理求解含受控源电阻电路时可能出现的情况分别提出了相应的求解方法,并对各种方法在不同情况下应用的优、缺点进行了比较,可以帮助我们加深对受控电源特性的理解和掌握,提高对含受控源电路问题的分析能力。     

F-I类比方法及MEMS梁的等效电路宏模型

建立了一种基于力-电流( F- I)类比、适用于梁结构机电耦合系统小信号时域及频域分析的等效电路宏模型,与已有的基于力-电压( F- V)类比的等效电路宏模型相比,基于F- I类比的等效电路宏模型的电网络与原来的机械网络具有相同的拓扑结构,因此,基于F- I类比的等效电路宏模型能为复杂机电系统等效电路宏模型的建立带来很大的方便.模拟结果表明该模型具有较高的精度.     

多层梁机电耦合系统的等效电路宏模型

实现MEMS器件系统级模拟的关键是建立其宏模型。由单层梁构成的机电耦合系统的等效电路宏模型 ,已做过深入的研究 ,但实际的MEMS器件通常都是多层的 .本文提出了一种基于力 电压 (F V)类比的、适用于由多层梁构成的机电耦合系统的等效电路宏模型 ,该模型可进行小信号时域和频域分析 ,能为多层梁机电耦合系统的设计带来很大的方便。模拟结果表明 ,该模型具有较高的精度     

高压LDMOS I—V特性宏模型的建立

目前LDMOS已经广泛应用于功率集成电路和微波集成电路中,建立LDMOS的SPICE等效电路变得很重要。以往的模型都是将LDMOS分为线性区和饱和区两段来分析,公式复杂而且计算量大。因此在数值模拟的基础上提出了全导通区域的伏安特性方程,建立了LDMOSI-V特性的宏模型。该模型的特点是参数少,易于提取,得到的SPICE等效电路简单,仿真容易收敛。     

含受控源电路的分析与等效计算

从线性电路中任两个支路的电压或电流之间存在一次函数的角度出发,系统地分析了受控源所表现的电路性质,给出了受控源的等效计算方法。     

（英）片上叠层式变压器的建模及参数提取

结合分析法和优化法,针对片上叠层式变压器提出了一种参数提取方法.分析法得出的参数值作为优化法的初始值,从而得出最终的模型参数值.结果表明,在100 MHz~60 GHz频率范围内,硅衬底的叠层式变压器S参数的仿真结果和测试结果吻合很好.     

同轴均衡器等效电路模型研究

建立了同轴均衡器单子结构的等效电路模型,从理论上解释了均衡器单子结构谐振腔的最大衰减量及谐振频率的变化规律。根据等效电路分析知:当探针插入深度增加时,谐振频率变低,衰减幅度变大;当腔长变长,谐振频率变低,衰减变小。计算机仿真结果和调试情况证明了等效电路的正确性。     

用于红外焦平面阵列的等效像元电路设计

提出了一种用于300×400红外焦平面阵列读出电路的等效像元电路结构。该电路与氧化钒(VOx薄膜)制成的微机械系统(MEMS)的电特性等效,并能够模拟MEMS像元改变时支路电流的变化。红外面阵探测器读出电路在流片后,生长MEMS物理结构(VOx薄膜)前,该等效像元电路结构用于读出电路的电性能测试,从而剔除不良品,减少封装成本。该电路采用了Global Foundry 0.35μm工艺设计并流片。测试结果表明,当积分电流为0~200nA时,该等效像元电路的电性能与MEMS像元一致。     

电子倍增CCD中电荷载流子倍增寄存器的分布式等效电路模型

为了研究电子倍增电荷耦合器件(EMCCD)中电荷载流子倍增寄存器(CCM)内部电荷的倍增及转移特性,提出了一种适用于CCM的电荷传输机制仿真的分布式等效电路模型.利用泊松方程求解了均匀掺杂条件下CCM单元的电势分布,通过基尔霍夫电压定律(KVL)得到了该单元的最大电势表达式,从而得到了其分布式等效电路.同时,结合该单元...