应用材料公司推出面向3D芯片结构的先进离子注入系统

正应用材料公司Applied Varian VIISta 9003D系统成为集成电路芯片生产中先进的电流离子注入设备,该系统专为2x纳米以下节点的Fin FET和3D NAND工艺流程而开发,具有超凡的控制能力,可以帮助高性能、高密度的复杂3D器件实现器件性能优化,降低可变性,提高合格率,是应用材料公司在精密材料工程领域的又一重大突破。VIISta 900 3D系统能有效提高离子束角度精度和束线形状准确度,并且还能够出色地控制离子     

应用材料公司推出关键离子注入技术实现未来芯片微缩化生产

近日,应用材料公司宣布推出半导体单硅片大电流离子注入系统,即全新的AppliedVarianVIISta Trident系统。通过嵌入“掺杂物”原子以调整芯片电性能,新型VIIStaTrident系统是唯一一台被证明能够确保成品率,在20纳米技术节点实现高性能低功耗逻辑芯片制造的离子注入系统。     

应用材料公司推出存储器件先进图形生成解决方案

正全球领先的半导体、平板显示和太阳能光伏行业精密材料工程解决方案供应商应用材料公司,日期宣布与三星电子有限公司及韩国领先的光刻去胶设备制造商PSK公司合作,开发出一款面向下一代N AND和DRAM存储器件的先进图形生成解决方案。这款全新解决方案包括两大部分——以应用材料公司的Producer XP Precision TM CVD*系统沉积出的Saphira TM APF*硬掩膜,以及利用PSK公司的OMNIS TM去胶机清除Saphira硬掩膜的工艺。该解决方案目前已开始销     

应用材料公司推出钨平坦化技术助力先进芯片设计

应用材料公司宣布其成功的Applied Reflexion GT CMP1系统工艺已经扩展．增加钨薄膜平坦化工艺。该CMPT艺对于制造先进的动态随机存储器（DRAM）、NAND闪存和逻辑器件的晶体管触点和通孔至关重要。依托经过验证的Reflexion GT双硅片架构,     

应用材料公司推出Centris^TM刻蚀系统，开启智能高产芯片制造新纪元

日前,应用材料公司宣布推出强大的Applied Centris^TM AdvantEdge^TM Mesa^TM刻蚀系统,它是面向世界上最先进的存储和逻辑芯片的批量生产而推出的智能化程度最高、速度最快的硅刻蚀系统,开启了芯片制造的新纪元。     

应用材料公司宣布推出全新Centura？AvatarTM刻蚀系统

今天,应用材料公司宣布推出全新的Ap-plied Centura Avatar刻蚀系统。该系统主要针对高深宽比刻蚀应用,如制造新兴的三维NAND存储结构。     

应用材料公司推出突破性刻蚀技术

近日,应用材料公司推出了Applied Centura@ AvatarTM电介质刻蚀系统,提升了尖端刻蚀技术。该突破性系统能够解决三维存储结构制造过程中所面临的最严峻的挑战,提供未来数据密集型移动终端所需的高密度万亿比特存储能力。     

应用材料推出钨平坦化技术，打造先进芯片设计

应用材料公司（APPlied Materials）宣布．成功将Applied ReflexionR GT化学机械研磨（CMP）系统,延伸至钨膜平坦化技术。     

应用材料公司推出UVision 3系统

近日，应用材料公司推出具有业界最高生产力的DUV（深紫外）亮场硅片检测工具UVision3系统，它能满足45纳米前端制程和浸没式光刻对于关键缺陷检测灵敏度的要求。这个新一代的系统为应用材料公司突破性的UVision技术带来了重要的进步，它将扫描硅片的激光束数量提升至3倍，使其生产速度比任何竞争对手的系统快40％。两个新的成像模式将灵敏度扩展至20纳米，全新灵活的自动缺陷分类引擎能够迅速标定出有害缺陷从而达到更快的成品率学习进程。     

应用材料公司推出全新PVD沉积系统

应用材料公司日前宣布推出Endura Ventura MPVD系统。该系统沿袭了应用材料公司的PVD技术,并融入了公司最新创新成果,能够完成连续薄的阻挡层和种子层的硅通孔（TSV）沉积,帮助客户以更低廉的成本制造出体积更小、功耗更低、性能更高的集成3D芯片。Ventura系统还与众不同地采用钛作为阻隔材料,从而在量产的情况下很好的实现降低成本的目的,     

应用材料公司完成对维利安半导体设备有限公司的收购

该收购使应用材料公司在晶体管技术设备和服务方面成为了行业领先的供应商该收购提升了应用材料公司支持客户生产更快、更高性能节能芯片的能力     

应用材料公司推出先进全自动硅片检测系统

正日期在上海召开的SNEC第八届国际太阳能产业及光伏工程(上海)展览会暨论坛上,应用材料公司宣布推出具备全新功能的AppliedVericellTM太阳能硅片检测系统,以减少厂商生产成本并提高高效太阳能电池生产的总体平均良率。这些新功能包括:100%在线硅片检测,以解决人工检查的质量局限;以及通过光致发光(PL)技术自动预测硅片电池转换效率的能力,     

应用材料联合IME设立3D芯片封装研发实验室

应用材料公司和新加坡微电子研究院(IME)合作在新加坡第二科学园区成立先进封装卓越中心并举行揭幕典礼。该中心由应用材料和IME合资设立,总投资超过1亿美元,     

应用材料公司推出针对万亿比特世代的突破性刻蚀技术

·Applied Centura Avatar系统克服挑战,刻蚀全新的三维NAND闪存芯片·在同一工艺中实现80：l深宽比结构和渐变深度差异很大结构的刻蚀     

应用材料公司推出15年来在互连科技中最大的材料变革

正应用材料公司全新Endura Volta系统独特的钴制程可减少互连的瓶颈,助力摩尔定律的延续。钴制程两项突破性互连应用支持下一代高性能、低能耗芯片,工业界首次应用选择性化学气相沉积(CVD)金属制程,展示了应用材料公司在精密材料工程中的领导地位。位于美国加州圣克拉拉的应用材料公司推出Applied Endura Volta CVD Cobalt系统,这是现今唯一一款在逻辑芯片铜互连工艺中能够通过化学气相沉积实现钴薄膜的系统。钴薄膜在铜工艺     

应用材料公司推出先进化学气相淀积薄膜技术

在日前举办的SEMICONChina上,应用材料公司向业界展示了全新等离子体增强化学气相淀积（PECVD）薄膜技术,用于制造适用于下一代平板电脑和电视的更高性能高分辨率显示。这些源自应用材料公司业界领先的AKT—PECVD系统的先进绝缘薄膜,使得基于金属氧化物的晶体管的应用成为可能,制造出尺寸更小、开关速度更快的像素,从而帮助客户推出更受消费者欢迎的高分辨率显示屏。     

意法半导体发布支持3D的机顶盒芯片

意法半导体公布新一代解码器芯片的产品细节。STi7108可实现互联网和电视广播双模机顶盒（STB）．为消费者提供更出色的使用体验,在电视上随时直观地收视电视、互联网或个人内容。sTi7108是意法半导体成功的STi710x视频解码器系列的最新产品,新增3D图形用户控制、3D电视、内容保护和外部设备接口等支持功能。     

面向CMOS图像传感器芯片的3D 芯粒(Chiplet) 非接触互联技术

在后摩尔时代,3D芯粒(Chiplet)通常利用硅通孔(TSV)进行异构集成,其复杂的工艺流程会提高芯片制造的难度和成本。针对背照式(BSI)CMOS图像传感器(CIS)的倒置封装结构,该文提出了一种低成本、低工艺复杂度的3D Chiplet非接触互联技术,利用电感耦合构建了数据源、载波源和接收机3层分布式收发机结构。基于华润上华(CSMC)0.25 μm CMOS工艺和东部高科(DB HiTek)0.11 μm CIS工艺,通过仿真和流片测试验证了所提出的互联技术的有效性。测试结果表明,该3D Chiplet非接触互联链路采用20 GHz载波频率,收发机通信距离为5～20 μm,在数据速率达到200 Mbit/s时,误码率小于10^–8,接收端功耗为1.09 mW,能效为5.45 pJ/bit。     

应用材料公司推出制造高效能移动显示屏幕用的先进技术

应用材料公司推出全新的Applled AKT-20KPX电浆强化化学气相沈积（PECVD）系统,可用于制造最先进智能型手机及平板计算机所需的高效能主动矩阵式有机发光二极管（OLED）及平面显示屏幕。新系统采用关键的低温多晶硅（LTPS）技术,可将高度均匀的薄膜沈积于较先前标准尺寸超出3倍的195m^2玻璃片上。这项功能让制造业者得以大幅增加产量并降低成本,藉此加速开发具有更大、更高分辨率屏幕的消费性移动产品。