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本文论述引入籽晶技术定向生长HgCdTe体单晶,通过石英管相对于加热器的缓慢移动来使熔区移过均匀的合成锭达到晶体生长的目的。其结构完整性及组分均匀性得到改善,并且电参数优良。已制出多元光导及光伏器件。 相似文献
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回顾了GaN体单晶材料的发展历程并介绍了研究现状.主要讨论了HVPE法和气相传输法等气相生长方法,以及HNPSG、助溶剂法、氨热法、提拉法等熔体生长方法.针对每种生长方法,阐述了其生长原理、特点及研究现状. 相似文献
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随着研究生产高质量HgCdTe晶体的工作日益增多,HgCdTe作红外探测器材料用的潜力正在被越来越多的认识到。因为存在高的汞蒸汽压、大的熔体分凝效应,以及晶体的密度会随熔体组分的变化而发生很大的改变,所以生长块状晶体总是要遇到一些特别困难的问题(图1)。尽管存在这些特殊的困难,用常规的方法还是能够生长出直 相似文献
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本文采用有机偶然性沉积法在CaAs衬底上先开展生长双色HgCdTe材料的研究,总结了生长CdTe缓冲层和隔离层x=0.2、x=0.3的HgCdTe晶膜工艺条件,总结出了HgCdTe双色材料的组分均匀性,厚度、表面形貌,结构和电性能。 相似文献