晶圆片级芯片规模封装技术(WLCSP)

本文主要介绍了一种新型的 CSP 高级封装——晶圆片级芯片规模封装技术(WLCSP)及其特点,并简述了 CSP 封装的主要特点及发展前景。     

倒装片及其封装技术的现状和趋向

倒装片,系统级芯片,可编程逻辑器件,电子设计自动化,专用集成电路,数字信号处理等等技术是1999年中国电子界的技术热点。本文就倒装片和底部填充材料的现状与趋向作一介绍。1.倒装片倒装片(FlipChip)是在60年代发明的,是表面安装技术(SMT)最早使用的半导体封装片,也是最早...     

倒装芯片封装极具竞争力

随着倒装芯片封闭在成本和性能上的不断改进，加上键合金线价格的不断攀升，从手机到游戏机芯片的各种应用领域里，倒装芯片技术都变得更具竞争力。     

中国及亚太地区的倒装芯片封装技术

在亚太地区的中国和其它国家中,电子封装业和电子装配制造业方面增长的潜力仍然是巨大的。尽管西方国家和日本目前还控制着技术和市场发展的局势,然而通过发展合适的基础设施和制造能力,中国和亚太地区的其它国家将在新世纪内起到重要的作用,通过与各种传统的引线框架的比较,技术上我们对中国和其它亚太国家在开发倒装芯片封装所面的风险,要求及其优点进行了评估,阐述了开发倒装芯片封装技术的指导方针。     

步入主流领域的倒装芯片封装

倒装芯片与传统的引线键合封装技术相比较,可以拥有许多的优点,其中包括优异的导热性能和电性能、可以具有众多的IO接点、非常灵活地满足各种各样性能的基层、很好地利用现有的工艺技术、利用现有的基础装备,以及降低器件的外形尺寸。     

倒装芯片及封装技术

介绍了倒装芯片的发展过程，其中主要对制造技术、封装方法及倒装焊焊点的可靠性进行了评述。     

低成本的倒装芯片封装技术

倒装芯片互连技术有诸多优点，但是由于其成本高，不能够用于大批量生产中，所以使其应用受到限制。而本推荐使用的有机材料的方法能够解决上述的问题。晶圆植球工艺的诞生对于降低元件封装的成本起到了重要作用，此外，采用化学镀Ni的方法实现凸点底部的金属化也是可取的方法。本主要介绍了美国ChipPAC公司近几年来针对倒装芯片互技术的高成本而开发研制出的几种新技术。     

MEMS传感器的封装

首先通过对MEMS封装所面临的挑战进行分析,提出了MEMS封装所需要考虑的一些问题。然后从芯片级、晶片级和系统级三个方面详细介绍了倒装焊、BGA、WLP、MCM和3D封装等先进的封装技术,并给出了一些应用这些封装方式对MEMS系统封装的实例。最后对MEMS和MEMS封装的走向进行了展望,并对全集成MEMS系统的封装进行了一些探讨。     

现代圆片级封装技术的发展与应用

本文论述了圆片级封装的发展、优势、种类、应用、研究课题及产业化注意事项。     

IC芯片凸点的制作与可靠性考核

用多种方法制作了Ａｕ凸点、Ｃｕ／Ａｕ凸点、Ｎｉ／Ａｕ凸点、Ｃｕ／Ｐｂ－Ｓｎ凸点及Ｃ４凸点微型Ａｕ凸点直径为１０μｍ,间距３０μｍ高度５～８μｍ,芯片上微凸点近１０００个,还对各种不同的制作方法进行了研究,并对芯片凸点的可靠性进行了一定的考核,效果良好。文中给出一组试验芯片的Ｃｕ／Ｐｂ－Ｓｎ凸点可靠性考核数据：经１２５℃,１０００ｈ电老化,其接触电阻变化范围为０．１％～０．７％,经－５５℃～＋１２５     

0.5mm间距CSP/BGA器件无铅焊接工艺技术研究

芯片级封装器件因其小尺寸、低阻抗、低噪声等优点广泛应用于电子信息系统中.从器件封装、印制板焊盘设计、焊膏印刷、贴装以及回流焊接等方面探讨了0.5 mm间距CSP/BGA器件无铅焊接工艺技术.     

USB控制器芯片性能比较及发展展望

目前,USB接口技术应用广泛.本文对有代表性的新型USB控制器芯片的性能进行了比较.并对USB新技术的发展进行了展望.     

传统PQFP与BGA封装技术的比较及其发展趋势

本文简要论述了传统 PQFP 封装技术,并根据 I/O 数、密度(面积)、电性能、生产量及“爆玉米花”效应,对它们进行了比较,最后简述了这两种封装技术的发展趋势。     

战储包装综合评价及优化设计方法研究

通过战储装备器材储存和使用特点,建立了战储包装综合评价指标体系模型,并提出了AHP-模糊综合评价计算公式和优化方法,通过实例验证了模型的可行性,具有较强的适用性.     

阵列单脉冲比幅和干涉仪测向精度比较

数字阵列系统通过对每通道信号单独采集,运用灵活的数字信号处理方法易于采用多种方法实现相同的系统功能。针对数字阵列条件下不同测向方法比较问题,分析比较了单脉冲比幅测向和干涉仪测向的最优测向精度。通过分析不同测向方法的最优测向精度、阵列增益和单元增益之间的关系,推导出了数字阵列条件下两种测向精度的对比结果。结果表明：当天线单元数目与阵列合成损耗之比小于8时,干涉仪具有更优的测向精度;反之,单脉冲比幅具有更优的测向精度。     

互联网与图书馆的发展

本文从互联网的特点入手,分析了互联网对图书馆的影响,并对图书馆的未来发展方向进行了探讨.     

IGZO TFT与ZnO TFT的性能比较

分析比较了ZnO TFT与IGZO TFT的主要光电学特性以及阈值电压稳定性。结果表明:ZnO薄膜与IGZO薄膜在可见光波长范围内都有着较高的光学透过率;在同等制备条件下,IGZO TFT器件的场效应迁移率、开关电流比、阈值电压及亚阈值系数等方面的特性均明显好于ZnO TFT;二者都有着较低的泄漏电流,并且差别很小。另外,ZnO TFT在正负偏压下阈值电压都有漂移,而IGZO TFT在正偏压下阈值电压漂移比ZnO TFT的小且在负偏压下阈值电压没有漂移,由此可见IGZO TFT比ZnO TFT有着更好的稳定性。总之,IGZO薄膜比ZnO薄膜更适合作为下一代TFT的有源层材料。