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《电子工业专用设备》2012,41(3):59-60
目前国际领先的Ic设计公司及一站式服务供应商——灿芯半导体(上海)有限公司(以下简称“灿芯半导体”)与中芯国际集成电路制造有限公司及ARM联合宣布, 相似文献
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灿芯半导体(上海)有限公司(以下简称“灿芯半导体”)日前宣布基于中芯国际集成电路制造有限公司(简称“中芯国际”)的0.11微米和0.13微米工艺平台成功开发了USB2.0物理层设计(PHY),该设计为采用USB2.0的器件提供了尺寸更小、性能更好以及更经济的解决方案。 相似文献
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《电子工业专用设备》2006,35(6):12-12
日前,全球领先的代工厂商中芯国际集成电路制造有限公司和ARM公司共同宣布:中芯国际采90nm LL(低渗漏)和G(主流)处理工艺。该协议通过在ARM网站免费下载的方式进一步增进了两家公司在推动前沿设计和制造方案的协作和承诺。 相似文献
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<正>全球领先的半导体设计、验证和制造软件及知识产权(IP)的供应商新思科技有限公司和中芯国际集成电路制造有限公司11月15日宣布已正式提供用于中芯国际先进65nm工艺的系统级芯片(SoC)综合设计解决方案。该解决方案将Synopsys丰富的Design Ware(?)接口、模拟IP产品组合和 相似文献
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全球领先的半导体设计、验证和制造软件及知识产权(IP)供应商新思科技公司与中国内地最大的芯片代工企业中芯国际集成电路制造有限公司日前宣布,将携手推出全新的65纳米RTL-to-GDSII参考设计流程4.0(Reference Flow 4.0)。作为新思科技专业化服务部与中芯国际共同开发的成果,该参考流程中增加了Synopsys Eclypse ^TM低功耗解决方案及IC Compiler Zroute布线技术, 相似文献
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