中芯国际和灿芯半导体携手合作提供集成电路整合性生产服务

中芯国际集成电路制造有限公司日前宣布即将投资灿芯半导体,一家上海ASIC设计以及Turnkey服务公司。该协议允许灿芯为客户提供基于中芯国际领先的代工制造和IP技术的完整的设计以及制造方案。具体的增值服务包括：特定应用架构和RTL设计,领先的物理设计,以及包括测试和包装等完整的产品化服务。     

中芯与灿芯40LL ARM Cortex—A9成功流片

目前国际领先的Ic设计公司及一站式服务供应商——灿芯半导体（上海）有限公司（以下简称“灿芯半导体”）与中芯国际集成电路制造有限公司及ARM联合宣布，     

中芯与灿芯40LLARMCortex—A9成功流片

国际领先的IC设计公司及一站式服务供应商——灿芯半导体（上海）有限公司与中芯国际集成电路制造有限公司及ARM今日联合宣布,采用中芯国际40nm低漏电工艺的ARM CortexTM．A9MPCoreTM双核测试芯片首次成功流片。     

中芯与灿芯40LL ARM Cortex-A9成功流片

测试芯片性能已达900MHz国际领先的IC设计公司及一站式服务供应商--灿芯半导体(上海)有限公司(以下简称"灿芯半导体")与中芯国际集成电路制造有限公司(http://www.smics.com)("中芯国际",纽约证券交易所:SMI,香港联合交易所:0981.HK)及ARM今日联合宣布,采用     

中芯国际与灿芯半导体的40LLARMCortex-A9双核测试芯片成功流片

灿芯半导体（上海）有限公司与中芯国际集成电路制造有限公司及ARM公司日前联合宣布,采用中芯国际40纳米低漏电丁艺的ARMCodex．A9MPCore双核测试芯片首次成功流片。该测试芯片基于ARMCortex-A9双核处理器设计,采用了中芯国际40纳米低漏电工艺。其处理器使用了一个集32KI-Cache和32KD。Cache、128TLBentries、NEON技术,以及包括调试和追踪技术的CoreSight设计     

灿芯半导体研发出基于中芯国际0．11微米和0.13微米工艺的USB2．0OTGPHY

灿芯半导体（上海）有限公司（以下简称“灿芯半导体”）日前宣布基于中芯国际集成电路制造有限公司（简称“中芯国际”）的0．11微米和0．13微米工艺平台成功开发了USB2．0物理层设计（PHY）,该设计为采用USB2．0的器件提供了尺寸更小、性能更好以及更经济的解决方案。     

中芯国际、灿芯半导体、浙江大学创办合作实验室

中芯国际集成电路制造有限公司（以下简称“中芯国际”）和IC设计公司及一站式服务供应商—灿芯半导体（上海）有限公司（以下简称“灿芯半导体”）及浙江大学集成电路与基础软件研究院（以下简称“浙大”）近日宣布，共同创办IC研究合作实验室。     

灿芯半导体参展DAC2014 推中芯国际半导体生态圈

正在美国旧金山举行的第51届设计自动化会议DAC2014云集了众多的系统设计师、系统架构和逻辑电路设计师、验证工程师、CAD工程师以及行业专家学者。灿芯半导体与战略合作伙伴中芯国际首次联手参加此次盛会,重点展示了基于中芯国际先进技术工艺的多元化应用平台和设计服务能力。作为中芯国际重要的ASIC设计服务合作伙伴,灿芯半导体在展会期间力推中芯国际半导体生态     

高通与中芯国际签署半导体制造测试协议

美国高通公司宣布，与全球领先的芯片代工公司之一，中芯国际集成电路制造有限公司签署战略协议。中芯国际将采用专门的BiCMOS处理技术在其天津工厂为高通公司提供集成电路生产服务。这一合作将综合中芯国际晶片制造能力以及转包能力和高通公司在3G无线产业的领导地位，重点将放在电源管理芯片方面。     

中芯国际采用ARM物理IP支持90nm技术下的低功耗高性能设计

日前，全球领先的代工厂商中芯国际集成电路制造有限公司和ARM公司共同宣布：中芯国际采90nm LL（低渗漏）和G（主流）处理工艺。该协议通过在ARM网站免费下载的方式进一步增进了两家公司在推动前沿设计和制造方案的协作和承诺。     

Synopsys和中芯国际合作推出65nm～40nm的SoC设计解决方案

<正>全球领先的半导体设计、验证和制造软件及知识产权(IP)的供应商新思科技有限公司和中芯国际集成电路制造有限公司11月15日宣布已正式提供用于中芯国际先进65nm工艺的系统级芯片(SoC)综合设计解决方案。该解决方案将Synopsys丰富的Design Ware(?)接口、模拟IP产品组合和     

中芯国际与灿芯半导体40LL双核ARM Cortex-A9测试达1．3GHz

中芯国际和灿芯半导体近日宣布采用中芯国际40纳米低漏电工艺的ARM CortexTM--A9MPCoreTM双核芯片测试结果达到1．3GHz。该测试芯片基于ARMCortex—A9双核处理器设计,采用了中芯国际的40纳米低漏电工艺。     

中芯国际和新思科技携手推出Reference Flow4．0

全球领先的半导体设计、验证和制造软件及知识产权（IP）供应商新思科技公司与中国内地最大的芯片代工企业中芯国际集成电路制造有限公司日前宣布,将携手推出全新的65纳米RTL-to-GDSII参考设计流程4．0（Reference Flow 4．0）。作为新思科技专业化服务部与中芯国际共同开发的成果,该参考流程中增加了Synopsys Eclypse ^TM低功耗解决方案及IC Compiler Zroute布线技术,     

Synopsys和中芯国际合作推出65-nm到40-nm的SoC设计解决方案

全球领先的半导体设计、验证、和制造软件及知识产权（IP）的供应商新思科技有限公司和中芯国际集成电路制造有限公司宣布已正式提供用于中芯国际先进65-nm工艺的系统级芯片（SoC）综合设计解决方案。该解决方案将Synopsys丰富的DesignWare接口、模拟IP产品组合和其他基础性IP,通过可调参考流程与Galaxy TM实施平台集成在一起。     

中芯国际采用低功耗Silicon Realization技术构建其65nm参考流程

电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司宣布中国最大的半导体晶圆厂中芯国际集成电路制造有限公司（中芯国际）,     

中芯国际与美国高通公司合作推进中国28纳米晶圆制造

中芯国际集成电路制造有限公司与美国高通公司共同宣布,中芯国际将与美国高通公司的子公司-美国高通技术公司（Qualcomm Technologies,Inc.）在28纳米工艺制程和晶圆制造服务方面紧密合作,在中国制造高通骁龙处理器。美国高通技术骁龙处理器专为移动终端而设计。该合作将会提升中芯国际28纳米制程的成熟度及产能,     

中芯国际和新思科技扩展40nm低功耗Reference Flow5．0

全球领先的半导体设计、验证和制造软件及知识产权（IP）供应商新思科技公司,与世界领先半导体代工企业之一中芯国际集成电路制造有限公司今日宣布：从即日起推出其40nmRTL—to—GDSII参考设计流程的5．0版本。此款经过生产验证的流程借助Synopsys的完整工具套件,将多样化的自动化低功耗和高性能功能整合在其中,给中芯国际的客户带来了目前芯片设计所需要的差异化性能和功耗结果。     

Spansion与中芯国际签署晶圆代工协议

Spansion Inc．——全球纯闪存解决方案供应商之一，为加强对中国市场的关注力度，已与晶圆代工领域的领先企业中芯国际集成电路制造有限公司（中芯国际；SMIC）展开合作。Spansion将向中芯国际转让65纳米MirrorBit技术，用于其在中国的300毫米晶圆代工服务。Spansion与中芯国际还签署了一项初步谅解备忘录，将授权中芯国际为中国的与内容发布相关的产品应用市场制造和销售90纳米、65纳米以及将来的Spansion MirrorBit Quad产品，从而使中芯国际进入特定的闪存细分市场。     

新思科技与中芯国际合作推出DesignWare USB 2.0 nano PHY

<正>全球半导体设计制造软件和知识产权领先企业新思科技有限公司和全球领先的半导体制造商中芯国际集成电路有限公司于5月18日宣布开始提供用于中芯国际65nm低漏电     

Spansion与中芯国际签署晶圆代工协议

纯闪存解决方案供应商Spansion Inc宣布，为加强对中国市场的关注力度，Spansion已与晶圆代工领域的领先企业中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”）展开合作。Spansion将向中芯国际转让65纳米MirrorBit技术，用于其在中国的300毫米晶圆代工服务。中芯国际与Spansion还签署了一项初步谅解备忘录，将授权中芯国际为中国的与内容发布相关的产品应用市场制造和销售90纳米、65纳米以及将来的Spansion MirrorBit Quad产品，从而使中芯国际进入特定的闪存细分市场。