Dy2O3掺杂对钛酸锶钡陶瓷结构性能的影响

采用草酸盐沉淀法,以硝酸锶、硝酸钡、钛酸丁酯和草酸为原料,Dy2O3为掺杂剂,制得了Ba0.6Sr0.4TiO3粉体,并于1 250 ℃将其烧结成Ba0.6Sr0.4TiO3系电介质陶瓷.利用扫描电镜、X射线衍射及TH2818自动元件分析仪对Dy2O3 掺杂量为0.2%～2%的Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷的微观结构和介电性能进行研究.结果表明,Dy2O3的掺杂没有影响到BST陶瓷的主晶相钙钛矿结构,且一定量的Dy3+进入到BST晶格中.BST陶瓷的介电损耗随着掺杂量的增加而逐渐减小,介电常数随着掺杂量的增加呈现先增大后减小的趋势,当掺杂量为0.5%时,介电常数最大,为4 474.48.     

Dy_2O_3掺杂对钛酸锶钡陶瓷结构性能的影响

采用草酸盐沉淀法,以硝酸锶、硝酸钡、钛酸丁酯和草酸为原料,Dy2O3为掺杂剂,制得了Ba0.6Sr0.4TiO3粉体,并于1250℃将其烧结成Ba0.6Sr0.4TiO3系电介质陶瓷。利用扫描电镜、X射线衍射及TH2818自动元件分析仪对Dy2O3掺杂量为0.2%~2%的Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷的微观结构和介电性能进行研究。结果表明,Dy2O3的掺杂没有影响到BST陶瓷的主晶相钙钛矿结构,且一定量的Dy3+进入到BST晶格中。BST陶瓷的介电损耗随着掺杂量的增加而逐渐减小,介电常数随着掺杂量的增加呈现先增大后减小的趋势,当掺杂量为0.5%时,介电常数最大,为4 474.48。     

钛酸锶钡的类频域介电谱

用钛酸锶钡陶瓷在10^-4～10^5Hz范围内证明了虽可用常规方法测出一个复介电常数，但因样品中慢极化效应比熟知的快效应大得多，使交流测量所依据的公式不再正确，故得到的复介电谱只是形式上的，并没有具体的物理意义。     

Nb和Co掺杂对PZT铁电薄膜电性能的影响

用Sol-Gel法在ITO玻璃衬底上制备了不同比例Nb和Co掺杂的PZT铁电薄膜,薄膜呈以(1 0 1)为首要方向的多晶结构.测试结果表明:Co掺杂的PZT薄膜的剩余极化、矫顽场、介电常数和漏电流密度均大于PZT薄膜的相应值,但在1 mol%到10 mol%Nb掺杂范围内漏电流密度随着Nb掺杂比例的增加而减小,薄膜的剩余极化强度和介电常数也有所减小.     

掺杂Fe3+对钛酸锶氧敏薄膜电阻的影响

利用溶胶-凝胶的方法制备钛酸锶氧敏薄膜,掺杂不同含量的铁离子,测试在不同氧分压、温度下薄膜的电阻.所得到的结果和镁离子的掺杂一样,可以改善阻温特性,降低薄膜电阻.铁离子的摩尔分数在20%～25%之间时,薄膜电阻在一定的温度区间内降低,表现出较好的氧敏特性,在该区间内阻温特性很好,电阻不受温度变化的影响.     

掺杂Fe^3＋对钛酸锶氧敏薄膜电阻的影响

利用溶胶—凝胶的方法制备钛酸锶氧敏薄膜 ,掺杂不同含量的铁离子 ,测试在不同氧分压、温度下薄膜的电阻。所得到的结果和镁离子的掺杂一样 ,可以改善阻温特性 ,降低薄膜电阻。铁离子的摩尔分数在 2 0 %～ 2 5 %之间时 ,薄膜电阻在一定的温度区间内降低 ,表现出较好的氧敏特性 ,在该区间内阻温特性很好 ,电阻不受温度变化的影响     

Sr掺杂对TiO2双功能压敏陶瓷介电性能的影响

着重探讨了Sr掺杂对TiO2双功能压敏陶瓷介电性能的影响。经研究发现，Sr掺杂能显著提高TiO2双功能压敏陶瓷的介电性能。随着Sr含量的变化，TiO2双功能压敏陶瓷的介电性能在一个很宽的范围内变化。当Sr含量增加时，介电常数εeff的变化规律是先减小后增大，增大到一定值时又减小，而介电损耗则是先减小后一直增大，可在协调εeff和tanδ的情况下，取得较好的实验结果。     

掺杂对SnO2薄膜性能影响研究

SnO2薄膜具有良好的光学特性,优良的气敏特性越来越受到人们的普遍重视,本文就各种掺杂对SnO2薄膜性能的影响进行了综合评述,并探讨了掺杂作用机理。     

掺杂对SnO_2薄膜性能影响研究

ＳｎＯ２薄膜具有良好的光学特性,优良的气敏特性越来越受到人们的普遍重视。本文就各种掺杂对ＳｎＯ２薄膜性能的影响进行了综合评述,并探讨了掺杂作用机理。     

锆和铈掺杂对钛酸锶钡结构的影响

铈和锶、锆和锶两组不同元素离子在钛酸钡的双位掺杂的固溶性对室温高介电扩散的材料开发具有研究价值．由冷压陶瓷技术制备了以上两组离子共同掺杂的钛酸钡陶瓷．XRD被测量,比较并评价了铈和锶、锆和锶在钛酸钡晶格双位并入与锶在钡位并入对钛酸钡晶格固溶性的影响．     

Cu离子掺杂Ni—Zn铁氧体的结构和介电性能

用传统的陶瓷制备工艺制备了Ni0.5-xCuXZn0.5Fe2O4铁氧体,其中x=0．12,0．16,0．20,0．24,0．28。对不同Cu掺杂量的Ni—Zn铁氧体样品的结构、微结构和介电性能进行了研究．结果表明：所有的样品均生成子立方尖晶石结构,x=0．24,0．28时,出现了杂相CuO和CuFe2O4;介电常数随频率变化的曲线显示了尖品行结构铁氧体的正常的介电行为,不同频率下介电常数均随cu含量的增加,先减小后增大,在x=0．20时达到最小值;似介电拟耗角正切曲线随频率变化出现异常行为,所有的样品都出现了多个峰值。     

Sol-Gel法制备BST铁电薄膜及性能研究

采用溶胶-凝胶法在LaNiO3基底上制备了Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)铁电薄膜。研究了不同退火温度对薄膜结晶性能的影响,并测试了各种BST薄膜的介电性能、铁电性能。实验结果表明经700℃退火处理的BST铁电薄膜具有比较优越的电性能,在测试频率为1 kHz时,700℃退火的BST薄膜的介电常数为384.1,介电损耗为0.018 6,在室温下外加偏压为1 V时,700℃退火的BST薄膜漏电流密度达到6.7×10-8A/cm2,其剩余极化强度和矫顽场分别为4.85μC/cm2和65.2 kV/cm。     

The Dielectric Properties and Preparation Method of BaTiO_3/PVDF 0-3 Composites

1　ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｓｃｅｒａｍｉｃ/ｐｏｌｙｍｅｒｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓｗｉｔｈｄｉｆ ｆｅｒｅｎｔｃｏｎｎｅｃｔｉｖｉｔｙｐａｔｔｅｒｎｓｈａｖｅａｔｔｒａｃｔｅｄｒｅｃｅｎｔｒｅｓｅａｒｃｈｉｎｔｅｒｅｓｔｓｂｅｃａｕｓｅｏｆｔｈｅｉｒｐｏｔｅｎｔｉａｌｕｓｅａｓｈｉｇｈ ｅｎｅｒｇｙｓｔｏｒａｇｅｃａｐａｃｉｔｏｒｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｓａｎｄａｓｔｒａｎｓｄｕｃｅｒｓａｎｄｓｅｎ ｓｏｒｓｉｎｓｍａｒｔｓｙｓｔｅｍｓ[1 3 ] .Ｏｎｅｏｆｔｈｅａｔｔｒａｃｔｉｖｅ…     

Effects of NaNbO_3-Co_2O_3 Co-additive on the Properties of PZN-PZT Ceramics

NaNbO_3-Co_2O_3 co-added PZN-PZT(PZCNNT)ceramics were prepared using conventional solid state reaction.The piezoelectric and dielectric properties were measured.The experimental results show that the addition of 0.3mol% Co_2O_3 leads to low dielectric loss(tgδ)in PZCNNT ceramics and the proper addition of NaNbO_3 not only improves piezoelectric properties but also decreases intensively dielectric loss and mechanical loss.The optimal ceramic having d_(33)=310 pC/N,k_p=0.59,ε_r=985,tgδ=0.0034,Q_m=1380 was obtained.     

BiSI棒状纳米晶薄膜的物性研究

采用改进的喷雾热解方法——异步脉冲超声喷雾热解法（APUSP），以BiCl3、硫脲和碘溶液为前驱液，在非晶衬底上成功地制备了BiSI纳米棒阵列薄膜．对采用异步脉冲超声喷雾热解法所制备的棒状BiSI纳米晶薄膜样品的介电特性和光吸收特性进行了测试．结果表明，采用该法所制备的棒状纳米结构薄膜与传统喷雾热解法所制备的薄膜，由于结构的不同，其介电特性和可见光吸收特性具有明显的区别．该方法与传统喷雾热解法相比，所制备的纳米晶薄膜具有较高的介电常数、较小的介电损耗和较大的光吸收强度，     

Mg掺杂对 Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜介电性能的影响

应用Sol-Gel工艺制备了组份为(1-y)Ba 0.6Sr0.4TiO3-yMgO的薄膜材料,研究了Mg掺杂BST薄膜晶相结构、介电性能以及绝缘性能的影响规律.实验发现随着Mg掺杂量的增加,BST薄膜的介电常数、损耗因子以及电容变化率减小,其电阻率则增加;当Mg掺杂量分数为5%时,其介电常数为380,损耗因子为0.013,电容变化率为17.5%,电阻率为1.0×1012Ω@crm.     

8mm复介电常数测试的理论与实践

对毫米波段电介质测试系统进行了理论分析及实验研究,解决了εｒ多值解及利用点频源测量开腔Ｑ值的技术难点,提出了综合运用测试数据和图形,计算开腔Ｑ值的独特方法,利用国产设备实现了基于此方法的测试系统,对毫米波段一般介质及高介电常数,低损耗角的介质作了测试,得出了满意的结果。     

溶胶-凝胶法制备BST/MgO陶瓷及其介电性能

为获得致密细晶、介电性能优良的BST/MgO陶瓷,采用溶胶-凝胶法制备包裹MgO粉体的BST凝胶.凝胶预烧温度为750℃,粉体烧结工艺为1300℃保温2 h.实验结果表明该方法制备出的BST/MgO陶瓷包含BST和MgO两相,无任何杂相,陶瓷晶粒生长完整且均匀,气孔呈现圆形,相对密度达92.4%,具有良好的介电性能.     

CuBi2O4掺杂对BNBCT基陶瓷介电性能的影响

采用氧化铋、碳酸钠、氧化钛、钛酸钡、碳酸钙为原料,制备了二元体系BNBCT陶瓷。研究了CuBi2O4掺杂对BNBCT系陶瓷的介电性能和容温变化率的影响。结果发现,随着CuBi2O4加入量的增加,体系的损耗不断降低,并在3.6wt%CuBi2O4添加量下,制得了在-55℃～250℃的宽温范围内,容温变化率都在±15%以内的耐高温MLCC。