特许半导体拟用45nm技术向AMD提供芯片代工

芯片代工商新加坡特许半导体公司日前表示,目前特许半导体正在与PC芯片厂商AMD进行探讨如何使用更为先进的芯片工艺,在与英特尔竞争的微处理器芯片市场上推出更具市场竞争力的产品。最近的几个月内,英特尔公司在电脑处理器芯片市场上重新夺回了由AMD攫取的部分市场份额,AMD市场     

2004爱德万测试技术研讨会在京、沪成功召开

AMD和特许半导体制造公司日前宣布，双方达成了微处理器供应和生产技术许可协议。根据这项协议，特许半导体将获得AMD的自动精确生产(APM)软件套件的使用许可，并成为AMD64微处理器的另一个制造商。     

特许专注工艺开发终有收获以老三身份入选TI65nm代工厂

德州仪器公（Texas Instruments Inc．）日前正在调整其制造策略，特许半导体制造公（Chartered Semiconductor Manufacturing）将成为其65nm生产的第三家代工企业。     

IBM与特许半导体发表32nm代工服务蓝图

<正>美国IBM与新加坡特许半导体制造联合发表了32nm工艺代工服务的发展蓝图。根据公布的蓝图,二者已于4月4日开始提供宏设计使用的工艺设计工具包(PDK),从2008年9月起,将开始提供IP内核试制用Shuttle Service(以低价格试制5个～100个少量芯片的服务)。     

TI欲选特许为其65nm节点产品代工

德州仪器公司（TI）日前正在调整其制造策略，特许半导体制造公司将成为其65nm生产的第三家代工企业。 联华电子已于今年3月宣布已经符合标准，可进行65nm生产，台积电则并计划在第三季度达到合格标准，特许将于明年中期达到合格标准。在130nm生产方面，上海中芯国际也在考虑范围之内，负责处理TI自有加工厂晶圆最后的金属化层工序。     

特许半导体透露40nm、32nm和28nm制程进展

为了在代工市场上获得更领先的地位,新加坡特许（Chartered）半导体透露了公司的全新发展路图,其中包括可能于明年开发出28nm制程。特许已公开发布了45nm制程,目前已推向市场,现正在悄悄开发40hm半节点制程。据特许副总裁WalterNg介绍,特许目标在2008年内投产40nm制程产品。他同时透露了32nm制程将于2009年推出,但Ng拒绝对28nm技术进行详细介绍。     

明、后年跨入新制程时代，45nm制程设备销售增温

为迎接45nm制程时代，英特尔（Intel）计划于2007年投产，劲敌超微（AMD）也规划与IBM最快在2008年中投严45nm制程芯片，加上台积电、联电、新加坡特许半导体（Chartered Semiconductor）皆将于2007年下半年启动量产，使得45nm制程设备近期市场热度升温，知名设备商应用材料（Applied Materials）、荷商ASML趁热打铁推出45nm制程所需浸润式显影、化学气相沉积、干式微显影机等新设备产品。     

英飞凌与特许半导体签订65nm制造协议

英飞凌科技公司与特许半导体制造公司联合宣布,双方已签订65nm逻辑产品制造协议。这次合作是在IBM、英飞凌、特许和三星共同开发65nm技术项目的基础上开展的。特许半导体将为英飞凌制造低功耗移动电话芯片产品,首批产品原型将于2006年第一季度完成,并计划于2006年第四季度正式投产。英飞凌与特许半导体签订65nm制造协议@章从福     

90nm工艺及其相关技术

ITRS2001规划2004年实现90nm工艺,英特尔、AMD等世界顶级半导体公司将于2003年采用90nm工艺量产微处理器和逻辑器件。这样使ITRS2001整整提前了一年。90nm工艺包括193nm光刻技术、高k绝缘材料、高速多层铜互连技术、低k绝缘材料、应变硅技术和电压隔离技术等新技术。193nm光刻技术是实现90nm工艺达量产的最关键技术,为此,必须采用193nmArFstepper(准分子激光扫描分步投影光刻机)。讨论了90nm工艺达量产的难点,如掩模版成本较高、成品率较低和应用面暂时不宽等。     

日本Elpida完成90nm 512Mb XDR DRAM量产准备

日本Elpida于2005年3月开始100nm工艺XDR DRAM的出货。由于看好市场前景，当时也同时进行了90nm工艺产品的开发。日本Elpida日前表示，该公司已成功开发采用90nm工艺技术生产的512Mb XDR DRAM，并已完成量产的准备。和100nm相比较，采用90nm工艺可将生产效率提升20％以上。     

90nm与65nm光刻工艺各有千秋

2003年下半年起英特尔等世界顶级IC公司陆续量产90nm芯片，比国际半导体技术蓝图ITRS2001／2003要求2004年实现90nm工艺的规划提前了一年。2005年底、2006年初世界半导体市场“霸主”英特尔量产65nm芯片，比ITRS2003要求2007年实现65nm工艺的规划整整提前了一年，两者如出一辙。光刻工艺是量产90／65nm芯片最重要、最关键的工艺之一，也是使用频率最高的工艺，如90／65nm铜互连需8层金属布线，那至少要进行15次光刻，因为金属互连层间还需绝缘层隔离。目前光刻工艺能量产的只有光学光刻技术，它是通过不断缩短曝光波长（λ）、增大数值孔径（NA）和降低工艺因子（k1）来提高其水平，从而达到不断缩小芯片的特征尺寸的目的，如从90nm——65nm。     

中芯国际2006年3月开始量产90nm产品

中国的半导体代工企业——中芯国际集成电路制造（SMIC：Semiconductor Manufacturing International）将于2006年3月进入90nm工艺量产体制，预计90nm工艺产品的销售额将出现在2006年第二季度（2006年4月～6月）的业绩中。中芯国际社长兼CEO张汝京表示，除了已经公开的德国英飞凌以外，还有数家公司计划委托中芯国际使用90nm工艺进行代工。     

IBM联盟研制出22nm SRAM

IBM联合联盟厂商AMD、意法半导体、Freescale、东芝以及CNSE发布首款22纳米技术工艺生产的SRAM芯片，SRAM存储单元由传统的6个晶体管集成在0．1μm^2区域中。传统的SRAM芯片集成密度受到堆积基础尺寸影响，也就是一个单元的面积，不过IBM联盟研究机构优化了单位存储单元设计，以及电路设计，以增强其可靠性，借助新技术使得提升SRAM单元存储密度成为可能。     

东芝和NEC联合开发45nm CMOS工艺

随着半导体制作工艺的日益复杂、耗时的增加以及价格的益加昂贵，东芝公司和NEO电子公司宣布将要联合进行45nm的OMOS的逻辑加工工艺，共同负担成本预算并加速发展，同时提升LS1系统的性能和质量。两家公司将要开始讨论全面的联合研发，例如设计环境和产品开发，以及在联合完成制造时更有效地安排使用资金总额并提高产能利用率。工程师将在横滨的东芝的微电子发展中心合作进行CMOS加工工艺的开发，此工艺将可以在两家公司的制造工厂进行运用。通过这种合作关系，东芝和NEC改变以前那种单独研发的方式而改变成整体的加工工艺，分享最新研发的工艺。     

三星成功流片全球第一颗20nm工艺试验芯片

三星电子日前宣布，已经成功实现了20nm工艺试验芯片的流片，这也是迄今为止业内最先进的半导体制造工艺。三星电子此番利用了美国加州电子设计自动化企业Cadence Design Systems提供的一体化数字流程RTL—to—GDSII。     

中芯国际2006年3月开始量产90nm产品

中国的半导体代工企业——中芯国际集成电路制造（SMIC：Semiconductor Manufacturing International）将于2006年3月进入90nm工艺量产体制，预计90nm工艺产品的销售额将出现在2006年第二季度（2006年4月-6月）的业绩中。中芯国际社长兼CEO张汝京表示，除了已经公开的德国英飞凌以外，还有数家公司计划委托中芯国际使用90nm工艺进行代工。英飞凌委托中芯国际使用90nm工艺制造的是DRAM产品，预定于2006年第三季度进入量产阶段；而对于在第二季度就能带来销售额的90nm产品，张汝京并没有公开委托公司的具体名称，只是表示是从两家公司接到了逻辑LSI产品的委托制造订单。     

GlobaIFoundries宣布将开发20nm工艺

GlobalFoundries近日宣布将会开发20nm半导体制造工艺，但与台积电不同，新工艺将与22nm共存，而且GF认为这种半代工艺并不会消失。GF目前的业务主要有两种，一是继续为AMD制造微处理器，二是开拓新的代工业务，为其它芯片厂商代丁更简单一些的各类芯片，这就需要新的制造工艺，特别是半代工艺。     

美应用材料称：45nm IC将于明年“摆上货架”

日前，在旧金山举行的美国国际半导体设备及材料展览会上，美国应用材料公司（AppliedMaterial）推出多款新型制造工具，并表示全球首款采用45nm制程工艺生产集成电路于2007年将摆上货架，另外以32nm节点生产的芯片将只能在2007年之后推出。     

Intel 2017年迈向7nm工艺

Intel技术与制造事业部副总裁、元件研究主管Mike Mayberry今天公布了一份半导体工艺路线图,展示了Intel在未来几年的制造工艺规划情况。按照这份路线图,Intel的半导体工艺将继续严格执行Tick-Tock策略,每两年升级一次。目前正在开发的是22 nm工艺,预计下半年量产、明年上半年发     

半导体新闻

ASM获利增长放缓 预期全球芯片业在Q2复苏 Hynix将在无锡采用90nm工艺生产闪存 AMD苏州芯片工厂3月投产投资高达1亿美金 力晶半导体计划24亿元大陆兴建芯片厂 台积电将在北京设办公室争夺IC设计客户群 索尼将斥资2-75亿美元建立半导体研发中心