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针对雪崩光电二极管(APD)应用多样化的需求,提出多模式控制的APD偏压电路模块设计方案。基于APD工作原理,分析了APD增益系数、反向偏置电压、工作温度三者之间的关系,设计了具有多模式工作的APD偏压模块硬件电路,开展了详细的单片机软件功能设计。结合雪崩光电二极管进行了实验验证,结果表明在-40~+60℃温度范围内,该偏压电路模块具有温度补偿及多模式切换功能,输出电压偏差小于0.5 V,纹波小于100 mV,可实现APD多模式工作,满足工程化应用需要。 相似文献
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目前光缆监测系统采用光端机架告警方式和购买厂商的告警监控信息代码,均不能较好地解决对光纤的劣化和障碍情况进行实时监测。采用光功率监测方法可以人为地对光功率变化的门限值进行设置,当光纤的光功率衰减超过门限值时,光功率系统便会自动向光缆监测系统报警。 相似文献
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目前光缆监测系统采用光端机架告警方式和购买厂商的告警监控信息代码,均不能较好地解决对光纤的劣化和障碍情况进行实时监测。采用光功率监测方法可以人为地对光功率变化的门限值进行设置,当光纤的光功率衰减变化超过门限值时,光功率系统便会自动向光缆监测系统报警。光功率监测系统与光缆监测系统合理地融合进行监测,是光缆监测系统的发展方向。(ed) 相似文献
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激光窄脉冲探测系统主要是由发射和接收两部分组成,小功率的激光窄脉冲信号比较微弱,所以提高光增益增加探测效率是亟待解决的。传统的解决手段是选择灵敏的光电探测器件,后续经过放大电路进行解决。这里采用具有内部增益的雪崩二极管作为光敏元件,在此基础上增加光学系统,使探测前就进行放大处理,进而有效地提高探测效率。 相似文献
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A 2.4-GHz SiGe HBT power amplifier (PA) with a novel bias current controlling circuit has been realized in IBM 0.35-μm SiGe BiCMOS technology, BiCMOS5PAe. The bias circuit switches the quiescent current to make the PA operate in a high or low power mode. Under a single supply voltage of +3.5 V, the two-stage mode-switchable power amplifier provides a PAE improvement up to 56.7% and 19.2% at an output power of 0 and 20 dBm, respec- tively, with a reduced quiescent current in the low power mode as compared to only operating the PA in the high power mode. The die size is only 1.32×1.37mm^2. 相似文献
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A 2.4-GHz SiGe HBT power amplifier (PA) with a novel bias current controlling circuit has been realized in IBM 0.35-μm SiGe BiCMOS technology, BiCMOS5PAe. The bias circuit switches the quiescent current to make the PA operate in a high or low power mode. Under a single supply voltage of 3.5 V, the two-stage mode-switchable power amplifier provides a PAE improvement up to 56.7% and 19.2% at an output power of 0 and 20 dBm, respectively, with a reduced quiescent current in the low power mode as compared to only operating the PA in the high power mode. The die size is only 1.32 × 1.37 mm2. 相似文献