金属磁记忆检测中应力集中区信号的识别

金属磁记忆技术可以快速检测出铁磁构件的应力集中区,对其故障进行早期诊断。磁记忆信号非常微弱,容易受到外来噪声和干扰影响,使得难以准确确定应力集中区。针对含有噪声非平稳性的漏磁信号,在原有信号特征量梯度的基础上,给出了新的时域空间梯度和峰-峰值组合特征量,以及能量峰值处理方法,有效消除了随机噪声对磁记忆信号的影响,提高了应力集中区的识别率;从磁记忆信号的奇异性检测角度出发,通过多尺度小波系数的平方相关一致性来确定真正的应力集中区;实验验证了所提方法的有效性。     

圆孔缺陷直径与应力集中对金属磁记忆信号的影响

制备了含有圆孔缺陷的试样,通过磁学分析和磁记忆检测,研究了圆孔缺陷直径和应力集中对磁记忆检测结果的影响。结果表明,磁场强度梯度平均值K_(ave)和最大值K_(max)、磁场强度梯度曲线围成的面积S(K)、金属极限状态系数m_(max)随着圆孔缺陷直径的增大而增大;缺陷位置因磁导率变化而引起磁记忆信号变化;缺陷位置磁场强度梯度曲线相邻两个峰值的间距W_(P-P)随着圆孔缺陷直径的增加而增大。同一缺陷的磁场强度最大值H_(max)、磁场强度曲线围成的面积S(H)随着外加载荷的增加逐渐增大。     

金属磁记忆诊断技术及其对电站高温高压螺栓的检测

介绍了金属磁记忆检测 (MMT)技术原理及其应用于电站高温高压紧固螺栓的快速检测实例。     

基于振动法的磁记忆检测系统研究与设计

提出基于振动法的金属磁记忆信号检测方法。设计相应的金属磁记忆检测系统,包括带有磁场屏蔽外壳的传感器探头结构、磁记忆信号预处理模块和正交矢量锁相放大模块,并基于 STM32F107VCT6芯片设计下位机模块。利用研制的系统对经过加工的标准试件进行检测,通过测量法向磁场梯度的方法可以检测出试件应力集中区域,验证法向磁场梯度和应力集中系数的关系。     

小波熵自适应阈值的电能质量信号去噪新方法

针对电能质量信号去噪问题,提出改进的小波熵自适应阈值去噪法。利用小波变换分解电能质量信号,计算小波分解后信号子带区间的小波熵,将小波熵和自适应阈值相结合确定高频系数阈值门限,采用改进折中指数阈值函数对电能质量信号去噪处理,最后重构降噪后的电能质量信号。通过对四种典型带噪电能质量信号(电压突降信号、暂态振荡信号、电压中断信号、谐波信号)去噪处理,并与无偏风险阈值、极大极小阈值的去噪性能比较,对比可知在输入信噪比为20dB时,对于不同的电能质量信号,改进的小波熵自适应阈值去噪法的输出信噪比是最大的。     

金属磁记忆检测技术及初步应用

简要介绍了金属磁记忆检测技术的产生、基本原理、现状、应用范围和前景,以及目前存在的不足。     

基于小波的自适应阈值白光干涉数据去噪

在Daubechies小波分解变换的基础上,研究一种自适应阈值白光干涉数据去噪方法——自适应阈值去噪方法(adapt threshold shrink,ATS)的白光干涉数据去噪方法。这种方法是基于Bayes框架,在不同子带上选择不同的最佳阈值。结合软阈值法对白光干涉信号进行去噪,与传统方法相比,此种方法提高了去噪后白光干涉数据的信噪比,而且使数据波形更加清晰。基于Daubechies小波的自适应阈值白光干涉数据去噪法实现简单、计算速度快、去噪效果好。     

自适应小波阈值去噪算法用于局部放电白噪声去噪

为增强局部放电信号白噪声去噪算法的自适应能力,文中提出了 一种自适应选择小波、分解层数与阈值的局部放电去噪算法.首先,在对信号进行逐层小波分解的基础上,以近似系数能量占比表征小波的能量特点,以小波能量熵表征信号波形分布特点,以二者比值作为每层分解最优小波的评价指标,选取比值最高的小波为最优小波,兼顾了信号的能量特点与波...     

磁记忆检测技术及应用研究

阐述了金属记忆检测技术（MMT）的原理及优点，并就磁记忆与磁粉探伤的技术特点进行了比较，同时列举了几个使用MTT法检测电站部件角焊缝的应用实例，认为使用金属磁记忆检测技术，能够评价在役部件的应力分布情况，能够及时发现焊缝应力集中指示区和表面裂纹，为在役设备的寿命评估提供测试依据。     

基于磁记忆方法的管道应力检测设备的开发

为了解决管道应力检测中难以自动判断的问题,开发了一种基于磁记忆方法的管道应力检测设备。首先介绍了磁记忆方法实现管道应力检测的原理,搭建了以S3C2140芯片作为核心的检测系统,其中选用各项异性磁阻(AMR))传感器HMC 5883L作为弱磁场采集探头,开发了基于Linux嵌入式系统的显示终端,根据GB/T 35090制定应力集中判定方法,实现了对管道应力集中的定量评价。该设备的磁场检测精度与TSC系列检测仪无显著性差异。最后采用了残余应力XRD测量法对试样应力集中情况进行验证。实验表明,该设备能够反映材料内部应力集中情况,适用于输送管道的应力集中的检测。     

金属磁记忆检测中测量方向和提离值的选取

为了定量研究测量方法对磁记忆检测结果的影响,制取了含圆孔缺陷的试样,通过实验定量研究了试样放置方位和传感器提离值对磁记忆检测信号的影响,并与理论计算结果进行了比较。研究结果表明,试件放置方位对缺陷漏磁场的分布规律没有影响,仅对磁场强度数值有影响,试件铅垂并且东西方向放置时,检测结果更为明显。传感器提离值只对磁场强度数值有影响,对其分布规律没有影响,提离值越小,磁场强度值越高。研究结果对于金属磁记忆检测现场测量与提离值的选取具有借鉴意义。     

金属磁记忆无损检测的应用

针对沙角C电厂3台机组末级再热器炉顶穿墙管爆漏的严重情况，应用金属磁记忆无损检测技术对爆管原因进行分析，为此，介绍了金属磁记忆无损检测技术的原理、检测仪器、检测方法；比较分析了金属磁记忆无损检测技术和传统无损检测技术的根本区别，指出它所具有的优越性。文章最后总结出：磁记忆检验是这类爆漏管子事故早期诊断并实现状态检修的有效手段。     

基于金属磁记忆技术的车桥桥壳损伤检测

为探索金属磁记忆现象的物理本质,深入研究车桥桥壳损伤的磁记忆无损检测方法,首先对标准试件进行测试,然后对某系列新桥壳进行疲劳试验,得出桥壳危险区域不同位置、不同加载次数下磁记忆信号法向分量及其梯度值K的变化,并用X射线检测残余应力与磁记忆检测结果进行对比;再以疲劳试验为基础,针对退役驱动桥壳进行变形量测定及对其危险区域进行磁记忆检测,确定桥壳变形量与磁记忆信号间的关系。研究表明:施加载荷前桥壳表面的初始磁状态不同,施加载荷后磁记忆信号呈现规律性的变化;随着循环次数的增加,梯度K值峰值增大;利用磁记忆检测与X射线复合检测的方法能较好的判断出构件缺陷;桥壳的变形量和磁记忆信号梯度K值以及加载的循环次数之间有良好的对应关系,可以为驱动桥壳再制造检测提供依据。     

建筑钢板件三点弯曲试验及磁记忆信号研究

为研究适用于钢结构建筑中以受弯为主的试件的损伤评价,通过对Q235钢板试件进行三点受弯试验,采集了试件加载阶段的磁记忆信号值Hp(y),引入多个磁记忆信号特征量,进行对钢结构损伤的表征研究.试验结果表明,通过磁记忆曲线的"波峰"和"波谷"现象以及磁记忆梯度曲线的"峰-峰值"现象,可以判断试件的应力集中区域.通过其余相关...     

铁磁性材料拉/压疲劳磁记忆信号研究

为探索金属磁记忆信号变化的物理本质,研究不同类型的疲劳载荷对磁信号的影响,首先利用金属磁记忆的基本原理对磁信号的产生过程进行分析和预测,然后对低碳钢Q345分别进行拉伸和压缩疲劳试验,比较不同循环周次下的磁信号法向分量曲线;分析不同检测点在拉伸、压缩疲劳循环中的磁记忆信号变化规律;并从磁畴和位错的角度解释了磁信号在整个疲劳阶段的变化情况。结果表明:在1个循环周次的作用下,检测线的磁信号发生了很大变化;随着加载循环周次的增加,磁信号法向分量Hp(y)整体上保持顺时针旋转,拉伸试件在接近断裂时的磁信号幅值急剧增大;对拉伸及压缩疲劳试件,均可通过磁信号法向分量平均值Hp(y)ave表征应力集中和疲劳损伤程度大小,并且损伤积累参数ΔHN可以用来判断试样所处的损伤阶段。     

Resistive switching effect in metal/insulator/metal heterostructures and its application for non‐volatile memory

This paper presents two types of resistive switching effects observed in metal/insulator/metal heterostructures: one is the forced‐switch type, and the other is the memory‐switch type. The former was observed in metal/semi‐insulating GaAs hybrid structures. The nonlinear resistive switch showed a strong magnetic field dependence at room temperature. The latter, described in this report, appears in the Pt/Co oxide/Pt capacitor structures. The resistive switch showed bistability, which is certainly a phenomenon with great promise of application to nonvolatile solid state electronic memory. For both cases, the recent experimental evidences show that the electronic state of the interface between the metal electrode and the insulator plays a crucial role in the resistive switching effect. © 2007 Institute of Electrical Engineers of Japan. Published by John Wiley & Sons, Inc.