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<正> 适用于单片机A/D、D/A 转换器参考电源及传感器桥压的高精密基准电压源电路原理图如图l所示。电路工作原理是:基准电压源U_1的输出为A_1提供+2.5V 基准电压并接至其同相输入端,经A_1放大,在V_(01)点输出+5V、20mA 供A/D、D/A 转换器用。A_2, 相似文献
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0.18μm CMOS带隙基准电压源的设计 总被引:1,自引:1,他引:0
基准电压源可广泛应用于A/D、D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中.使用0.18 μm CMOS工艺设计了具有高稳定度、低温漂、低输出电压为0.6 V的CMOS基准电压源. 相似文献
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《电子制作.电脑维护与应用》2016,(4)
本文设计了一种适用于DC—DC转换器的带隙基准电压源,在0.18μm的SI MC工艺下,采用Cadence Spectre对电路进行仿真分析。结果表明,在5V的电源电压下,基准输出电压为1.214 V,在-40~+85℃范围内,基准电压的温度系数为2.46x 10-6/℃。 相似文献
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随着数字集成电路的日臻完善,A/D和D/A转换器技术已越来越广泛地应用于仪器仪表领域,使电压源、电流源、信号源等传统仪器都面临着一场变革。这种新颖仪器的构成与传统仪器结构截然不同,不仅易于智能化,而且只要集成转换器精度足够高,所组成仪器的性能也必然是很理想的。一、D/A转换器的两种基本等效电路图1(a)是一个梯型电阻网络的D/A转换器,图1(b)是其等效电路。集成电路内部包括运算放大器A的是电压输出型D/A转换器;反之是电流输出型D/A转换器。 相似文献
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双积分式 A/D转换器具有一个除法运算功能,其输出数字量N正比于输入电压U_i和基准电压U_R比值,即:N=N_0×(U_i/U_R) (1)而双积分A/D转换器的常规用法,是用一个高精度稳压源提供U_R,使N正比于U_i,这就构成一个数字电压表.但是,理论和实践都证明,对于双积分A/D转换器,U_R在一定范围内变化时,式(1)所示的关系,不会随U_R的变化而变化.利用双积分 相似文献
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提出了一个适用于无源RFID温度检测标签芯片的低压、低功耗、快速A/D转换的数字温度传感器电路。采用BJT管的Vbe电压和PTAT电流相结合的方法,同时使用SAR A/D转换器,避免了使用带隙基准电压电路所需的较高工作电压,使电路在1 V以上就可工作。电路的功耗电流约4μA,使用80 kHz的时钟,A/D转换时间小于100μs。 相似文献
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<正> 一、双积分A/D转换器的基本工作原理CH259A/D为一种电压型的双积分模数转换器逻辑系统,工作原理是将输入电压变换成与其平均值成正比的时间间隔,然后用脉冲发生器和计数器测量该时间间隔。CH259A/D 是采用双基准电压方法的逻辑系统,其框图如图1所示。 相似文献
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用A/D转换器实现铂电阻温度计的非线性校正 总被引:3,自引:0,他引:3
针对铂电阻传感器的非线性校正,一般需要另加一个特别校正电路的问题;提出了在测量温度的应用中利用A/D转换器作非线性转换,实现铂电阻传感器的非线性校正;同时将输入信号的一部分送到A/D转换电路的基准电压端,并恰当地选择A/D转换电路的设计参数的方法,使铂电阻传感器在用于-15~200℃范围的温度测量时的非线性误差不超过0.01℃.这样既简化了电路设计,又有效提高了铂电阻测量温度的精度. 相似文献
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设计了一种利用电阻比值校正一阶温度系数带隙基准电路的非线性温度特性来实现低温度系数的高精度低温度系数带隙基准源;同时设置了修调电路提高基准电压的输出精度.该带隙基准源采用0.8μm BiCMOS(Bipolar-CMOS)工艺进行流片,带隙基准电路所占面积大小为0.04 mm2.测试结果表明:在5 V电源电压下,在温度-40℃~125℃范围内,基准电压的温度系数为1.2×10-5/℃,基准电流的温度系数为3.77×10-4/℃;电源电压在4.0 V~7.0 V之间变化时,基准电压的变化量为0.4 mV,电源调整率为0.13 mV/V;基准电流的变化量为变化量约为0.02μA,电源调整率为6.7 nA/V. 相似文献
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为了满足温度传感器芯片对带隙基准源高性能的要求,设计了一种高精度低温度系数带隙基准源。该带隙基准源利用电阻比值校正了一阶温度系数带隙基准电路的非线性温度特性,使得输出的基准电压的精度和温度系数有了很大提高。采用0.8μm BiCMOS(Bipolar-CMOS)工艺进行流片,带隙基准电路所占面积大小为0.04mm???2。测试结果表明:在5V电源电压下,在温度-40~125℃范围内,基准电压的温度系数为1.2×10-5/℃,基准电流的温度系数为3.77×10-4/℃;电源电压在4.0~7.0V之间变化时,基准电压的变化量为0.4 mV,电源调整率为0.13mV/V;基准电流的变化量为变化量约为0.02μA ,电源调整率为6.7nA /V。 相似文献
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数字系统中A/D和D/A转换器的基准电压随温度变化而给系统精度造成不良影响,故在关键元件处采用恒温槽是必要的.本文即阐述了一种恒温槽的结构、数学模型、控制系统的组成及其分析方法,并给出了系统实测的动态响应曲线. 相似文献
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提出了一款应用于RF无线收发芯片的高精度电流偏置电路。综合考虑功耗、面积和失调电压对基准电压的影响,设计了一款符合实际应用的带隙基准电路。并以带隙基准电路作基准电流源的偏置,采用电压电流转换器结构设计了具有高电源电压抑制比(PSRR)的基准电流源。电流镜采用辅助运放的设计方法来提高电流镜的输出阻抗,减小沟道调制效应对输出的基准电流的影响,从而提高输出基准电流的精度。采用0.35μzmCMOS工艺设计芯片版图,版图面积为0.18mm^2。提取寄生参数(PEX)仿真结果表明,该电路在-55℃~+90℃范围内的温度系数为15.5ppm/℃,室温下基准电压为1.2035V;在低频段电流源的电源抑制比为90dB;在外接电阻从1kΩ~400kΩ变化时,输出基准电流误差范围是0.0001μA。 相似文献
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本文较为详细地介绍了一种简单易行的提高A/D转换器分辨率的方法。它是通过改变A/D转换器的参考电压而得到A/D转换器分辨率非线性的提高。 相似文献
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一种低功耗高精度带隙基准的设计 总被引:2,自引:0,他引:2
基于U MC 0.25μm BCD工艺,在传统带隙基准结构的基础上,设计了一种具有低功耗、高精度的基准,同时利用N MOS管工作在亚阈值区域时漏电流和栅极电压的指数特性,对基准温度特性曲线进行二阶补偿。仿真结果表明,电源电压5V时,静态电流功耗为3.16μA;电源电压2.5 V~5.5 V,基准电压变化53μV;温度在-40℃~130℃内,电路的温度系数为0.86×10-6/℃;三种工艺角下,低频时电路电源抑制比都小于-95 d B。 相似文献
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<正> 逐次比较式8位A/D转换器的分辨率比较低只有1/256,但价格很便宜。12位的逐次比较式A/D转换器的价格要比8位的A/D芯片价格贵十几倍。虽然高位的双积分式A/D转换器的价格比较便宜,但其转换时间要比逐次比较式A/D转换器多上百倍,故在需要快速采样的场合则不能应用。本文介绍一种方法利用8位A/D芯片只增加很少元件就可以获得1/2048或更高的分辨率,其速度基本上接近8位逐次比较式A/D转换器的速度,在实际应用中效果很好。这种方法的基本设计思想是这样的:把输入范围0~5V电压分为8档,相邻两档间隔为5V/8=0.625V。若输入信号介于某两档电压之间则把输入信号与较低档的电压相减,其差必然小于0.625V,再把这个电压信号放大8倍使之变为0~5V间的信号送到8位 相似文献
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针对实际电路中的电源噪声对带隙基准精度的影响问题,设计一款具有高电源抑制比的带隙基准源。设计包含专用的电源抑制比提高电路,辅以启动电路、带隙主体电路、温度补偿电路等。利用电压负反馈技术,使带隙基准输出电压获得高电源抑制比,减少电源对输出基准电压的干扰。对带隙基准电路设计温度补偿,显著减小温度漂移,可稳定输出2.5 V基准电压。电路在Candance Spectre环境下进行温度特性和电源抑制比的仿真,实验结果表明带隙具有较的低温度系数和较高的电源抑制能力,适用于A/D转换器,DC-DC转换器等高精度电路应用场合。 相似文献
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Microchip公司的MCP3421与其他A/D转换器相比,特点主要表现在:全差分输入;18位分辨率;精密的连续自校准功能;可选择3.75、15、60或240 sps采样速率进行转换;可工作在连续转换或单次转换模式,在单次转换后的空闲期内自动进入待机模式,极大地减小了电流消耗;内部集成2.048 V±0.05%精度,且温度漂移仅为5 ppm/℃的基准电压源;可编程增益放大器(PGA)提供1/2/4/8倍增益,允许测量极小的信号并且具有很高的分辨率;内部集成振荡器电路并提供I2C串行接口等. 相似文献