密排六方结构晶体SADP标定中的问题及解决途径

钛的α相选区电子衍射花样（ＳＡＤＰ）标定的实践表明，现有的方法，包括标准图表和计算机程序在标定时只能对ｈ．ｃ．ｐ．结构晶体部分的ＳＡＤＰ实现正确的标定。运用纯ｈｋｌ法和根据ｈ．ｃ．ｐ．结构衍射条件及二次衍射规律编制的分析用计算机程序，可实现ｈ．ｃ．ｐ．结构晶体全部ＳＡＤＰ的正确标定     

钛薄壁管在MSF型海水淡化厂的应用

以钛合金中相的单晶选区电子衍射花样（ＳＡＤＰ）的标定为例，探讨了复杂结构单晶ＳＡＤＰ的标定。指出，对复杂结构的晶体可按其衍射条件从下述方法中选择一种对其单晶ＳＡＤＰ进行标定：１、按其所属布喇菲点阵用现有方法分析后直接标定；２、按适当布喇菲点阵用现有方法分析然后将结果进行数学变换后进行标定；３、对现有方法无法进行协定的复杂结构按其衍射条件对现有分析程序修改后（纯ｈｋｌ法）进行分析标定。当存在结构消光时，二次衍射对标定方法有影响：可分别用已有程序和修改后的程序对ＳＡＤＰ进行分析，然后选择正确的结果进行标定；理想的途径是在修改的程序中包括二次衍射的影响，从而直接得出正确的结果。     

难熔金属及其合金单晶的发展

主要介绍了难熔金属W，Mo，Ta，Nb及其合金单晶的制备技术，单晶的发展现状，并对单晶制备技术和单晶材料的发展方向提出了一些合理化建议。     

单晶UBM在电子封装微互连中的研究进展

3D封装是未来电子封装制造技术领域的重要发展方向,3D封装中微凸点的尺寸将急剧降低,此时,芯片凸点下金属层(UBM)可能仅包含几个甚至单个晶粒。因此,UBM的晶体取向对界面金属间化合物(IMC)的形核和生长过程将具有显著影响,而界面IMC的特性会直接影响到凸点微/纳尺度互连的可靠性。因此,以单晶作为UBM研究界面物质的传输与IMC的生长规律,具有重要的理论和应用价值。本文对近年来以单晶Cu、Ni和Ag作为UBM焊点的界面反应进行综合分析,总结了单晶UBM上特殊形貌IMC晶粒的形成条件、界面IMC与单晶基体的位向关系、IMC的生长动力学过程、柯肯达尔空洞的形成规律、单晶UBM上IMC的晶体取向调控方法及晶体取向对无铅焊点力学性能和可靠性的影响,为评价单晶UBM凸点的力学性能和可靠性及提供指导。     

钨钼材料在蓝宝石单晶炉中的应用

蓝宝石单晶由于具有良好的物理特性,在LED衬底、国防军工等领域具有广泛的应用。难熔金属钨钼材料熔点高,高温下饱和蒸气压很低,是制备蓝宝石单晶炉的关键材料。本文就钨钼材料在蓝宝石单晶炉中的应用领域、性能要求及制备方法进行了详细分析,并对其失效机理进行了探讨。蓝宝石单晶炉所使用的坩埚大部分是采用粉末冶金的压制烧结方法生产的钨坩埚和钼坩埚,也有少部分采用旋压法生产的薄壁坩埚;通过把钨杆弯折成一定的形状,用钨丝将纵向钨杆和横向钨杆固定,形成一个温度均匀的环境,保证生长出合格的单晶体;隔热屏一般采用多层薄钼片通过层间距5 mm的组合方式,实现良好隔热效果;最内层钼屏在真空高温环境下,有较快的挥发,造成钼屏变薄破损。     

模糊PID在电子束单晶熔炉高压电源控制系统中的应用

以西北有色金属研究院难熔金属研究所的20 kW电子束单晶熔炉改造项目为研究对象,对原来高压电源系统进行了改进,采用模糊PID控制高压电源,并且使用Matlab进行仿真,仿真效果良好,现场应用表明完全达到工程的实际要求。     

模糊PID在电子束单晶熔炉高压电源控制系统中的应用

以西北有色金属研究院难熔金属研究所的20kw电子束单晶熔炉改造项目为研究对象．对原来高压电源系统进行了改进，采用模糊PID控制高压电源，并且使用Matlab进行仿真，仿真效果良好，现场应用表明完全达到工程的实际要求。     

铌硒化合物单晶的制备及其I-V曲线的测试

用气相输运法成功制备出了铌硒化合物(NbSe3)单晶，用电子扫描电镜(SEM)观测发现制备出的单晶结晶性很好。另外，还对制备出的单晶进行了不同温度下的I-V曲线测试。     

单晶金刚石刀具的应用

在加工非铁材料(如硅铝合金)时，一般不采用单晶金刚石刀具(SCD)进行加工，而采用寿命高的聚晶金刚石刀具(PCD)进行加工。     

CBN大单晶的生长及其在电子元件方面的应

CBN是由R．H．温托夫于1957年首次合成出来的。这种材料也可以做为一种极其重要的电子材料。对于CBN的电子结构，有几种理论研究和试验测试结果。理论计算表明其最窄的禁带是间接型的。精确的禁带宽值还没有确定。理论值分散在3～10eV的范围内。     

工业CT技术在航空发动机单晶叶片壁厚测量中的应用

通过对工业CT技术原理及特点的分析,从检测试验过程及应用案例等方面简单介绍工业CT技术在单晶叶片壁厚精确测量中的应用,并对工业CT测厚误差进行了分析。试验结果表明:工业CT技术能有效解决单晶叶片壁厚精确测量的技术难题,具有推广应用的价值。     

单晶Nb循环变形过程中疲劳裂纹的萌生及其机制

用光学显微镜，扫描电镜和透射电镜观察了Ｎｂ单晶在循环变形后的表面形貌和饱和时的错组态。发现疲劳裂纹的萌生和表面形变带有关，当滑移线和形变带方向平行时，在双形变带的公共皱折处很容易萌生疲劳裂纹，已萌生裂纹呈交滑移特征，在裂纹萌生处附近，有很多由交滑移引起的滑移台阶，根据我们的实验结果，从理论上对Ｍｏｔｔ的疲劳裂纹萌生模型进行修正，也为Ｍｏｔｔ模型提供了实验依据，     

铌单晶循环变形过程中的表面形变带

用光学显微镜和扫描电镜观察了〔321〕和〔110〕位向的铌单晶在循环变形时的表面形貌变化.研究了圆形试样经过循环变形到饱和阶段表面出现的皱褶.本文用形变带这个词来表示材料经不均匀变形后产生的这种皱带,它不同于有特定位向的扭折带.根据表面形貌细节把形变带分成五类,并对形变带的形成过程进行了讨论.形变带所在平面和轴向夹角均在≈45°,说明宏观应力状态对形变带的形成起重要作用.     

镍基单晶合金蠕变过程中的组织演变

研究了镍基单晶合金Ni-9.0Cr-5.0W-5.5Al-4.5Co-1.7Ti在蠕变过程中的组织演变。结果表明,热处理后,[011]取向镍基单晶合金为白色的γ基体相,其中以共格方式镶嵌着黑色的立方γ′相。蠕变前,立方γ′相沿100与[011]方向呈45°角规则分布;蠕变后,γ′相沿[001]取向呈筏状分布。     

单晶铜线在强冷变形过程中的组织性能转变

研究了强冷变形条件下单晶铜的组织性能变化,并探讨了强冷加工对单晶铜组织性能的影响规律及其机制.结果表明,由于单晶铜特殊的组织结构,其在强冷变形加工过程中,一些亚晶、微结构等在变形后期不断产生,呈现出类似多晶体的组织形貌;单晶铜线的电导率随变形量增加而不断降低,降低速率呈S型变化,先慢后快再慢;形变初期OCC单晶铜杆的加工硬化率高,进入强冷加工阶段时,加工硬化速率降低,伸长率呈小幅下降趋势,强度增幅下降,趋于持平;在伸长率低于3％的情况下单晶铜线仍能实现大变形量的变形.     

氢在镍基单晶高温合金中的扩散和溶解

本工作采用超高真空气相渗透技术，在３００￣４２０℃温度范围内，测定了氢在ＤＤ８，Ｒｅｎｅ＇Ｎ４两种单晶高温合金中的扩散系数，渗透率和溶解度常数，分析了缺陷对扩散系数的影响及氢溶解放热的原因。结果表明，在实验温度范围内，氢在两种单晶高温合金中的扩散系数，渗透率和溶解度常数均遵循Ａｒｒｈｅｎｉｕｓ关系，空洞不是造成氢溶解放热的原因。     

高纯铝单晶在拉压疲劳早期过程中的行为

系统地研究了［１１０］与［１００］两种特殊晶轴取向的高纯铝单晶在１×１０（－４）－６×１０（－４）室温拉压疲劳应变振幅条件下的应力σｍ、内耗Ｑ（－１）和加载最大处超声衰减△αｔ，的循环响应行为，对疲劳不同阶段的位错组态作了详细的ＴＥＭ观察。结果表明：两种单晶的循环应力均显示出“硬化－软化－二次硬化”的三个阶段特征。内耗的变化和应力进程同步，但趋势相反．超声衰减开始随圈数增大，达到一极大值后减小。这三种参数的变化是由位错与位错的相互作用机制控制。     

单晶DD3合金在混合盐介质中的蠕变的断裂特性

应用扫描电镜、剖面分析和ＥＤＡＸ能谱分析，研究了单晶ＤＤ３合金及其带Ｐｔ－Ａｌ涂层试样在空气和混合盐两种不同介质中的高温蠕变及断裂行为。试验表明：在空气环境中，涂层对蠕变性能影响不大；在混合盐介质中，涂层能有效地提高ＤＤ３合金的蠕变寿命和蠕变质延伸率，防止合金在热腐蚀环境中的早期失效，本文还提出一个新断裂模型，以解释ＤＤ３合金高温蠕变时的断裂行为。     

疲劳Cu单晶驻留滑移带的演化及其内应力场

利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术,对单滑移取向疲劳Cu单晶从基体脉络位错结构到驻留滑移带(PSBs)位错结构的演化进行了观察．且对这个演化过程中典型的位错结构进行了模拟计算,给出了PSBs演化过程中典型位错结构内应力场的分布．结果表明：在从基体脉络位错结构到PSBs位错结构的演化过程中,内应力的分布是不均匀的,位错密集区域(基体脉络和PSBs墙中)比位错贫乏区域(通道中)平均内应力分布相对集中,PSBs夹层与基体相比平均内应力的分布相对较弱,PSBs与基体边界处存在很大的应力差由观察和计算结果对PSBs演化给出了一个新的可能的演化机制．