硅基铁电薄膜的制备与电性能研究

用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）方法制备了有ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ）过渡层的硅基Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜，顶电极和底电极分别为溅射的金属钛铂层和低阻硅。在低温退火条件下得到了晶化很完善的铁电薄膜，测试结果表明有ＰＴ过渡层的铁电薄膜具有良好的铁电和介电性能。     

高铅玻管的擦划伤的解决

高铅玻管的擦划伤的解决部敬芝（石家庄宝石电子集团公司玻管厂石家庄０５００４１）高铅玻璃因铅元素的引人而使玻璃硬度下降。一般的钠钙硅玻璃硬度为莫氏硬度５级，而含铅量在３０％左右的高铅玻璃其硬度约为莫氏３级。高铅玻璃硬度低的性质，使得它的表面易被擦划伤，...     

高导电性BaRuO_3薄膜及其脉冲激光沉积

钌酸盐是典型的ＡＢＯ３型过渡金属氧化物，具有金属导电性，其薄膜可作为电极材料用于集成铁电等器件中。分析了ＢａＲｕＯ３的钙钛矿晶体结构和导电机制，并利用ＡｒＦ准分子脉冲激光沉积（ＰＬＤ）技术，结合后续退火处理，在Ｓｉ（１００）衬底上生长出具有（１１０）取向、室温电阻率约１０－２～１０－３Ω·ｃｍ的ＢａＲｕＯ３高导电性薄膜，俄歇能谱（ＡＥＳ）和Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射谱（ＲＢＳ）分析表明：薄膜ＢａＲｕＯ３的纯度高、成分均匀性好，ＢａＲｕＯ３／Ｓｉ界面存在扩散过渡层。     

γ-Al_2O_3/Si(100)薄膜高真空MOCVD异质外延生长

本文作者在自己组装的立式ＭＯＣＶＤ设备上，成功地应用高真空生长技术，于１０５０℃的高温条件下，在硅上外延生长了γ－Ａｌ２Ｏ３薄膜．从ＲＨＥＥＤ看到（１００）硅上生长的薄膜是（１００）立方单晶γ－Ａｌ２Ｏ３的衍射图样；平移样品，图样并不发生变化．Ｘ射线双晶衍射看到，除了硅的（４００）峰和（２００）峰以外，只在２θ为４５°处有一个低而宽的小峰．ＸＰＳ谱给出氧的１ｓ峰位为５３２．３ｅＶ，Ａｌ的２ｐ峰位为７５．４ｅＶ，将他们与α－Ａｌ２Ｏ３比较，对应峰位移动了约３．５ｅＶ．俄歇谱说明其铝氧组分比近于γ－Ａｌ２Ｏ３     

光伏法研究掺金硅特性

本文采用光伏方法测量掺金硅的少子寿命，掺金浓度为１０~（１２）～６．６２×１０~（１５）ｃｍ~（－３），４个数量级；根据对两类不同电阻率的Ｎ型掺金硅少子寿命系统的测量和统计计算，提出了对硅中金性质的看法。统计计算及简并因子和金施主与金受主的相关性，实验和计算结果都表明，高浓度金掺杂可以改变Ｎ型高阻硅的导电类型。     

用于功率器件的P型厚高阻外延片

本文论述在常压ＣＶＤ硅外延系统中，通过ｅ＿ｑＰ＝Ｂ－Ａ／Ｔ，分别计算出ＳｉＨ－Ｃｌ＿３、ＰＣｌ＿３和ＢＣｌ＿３的Ａ和Ｂ二常数值。采用低温深冷工艺，进一步提高硅源的纯度，通过控制ＳｉＨＣｌ＿３的蒸汽压，在晶向为（１１１）和（１００），掺硼电阻率（４～８）×１０￣（－３）Ω·ｃｍ的抛光衬底硅片上，生长出外延层电阻率为３５０Ω·ｃｍ（杂质浓度３．５×１０￣（１３）／ｃｍ￣３），外延层厚度达１２０μｍ的ｐ／ｐ￣＋／硅外延片，制成器件的击穿电压可达１０００Ｖ。     

用平行板电极装置研究四甲基硅的多光子电离

用平行板电极装置研究四甲基硅的多光子电离施德恒（空军第一航空学院基础部，信阳４６４０００）本文检测了Ｓｉ（ＣＨ３）４在４１０－３７１ｎｍ内的ＭＰＩ光谱及若干波长点处的激光光强指数，检测并计算了硅原子４ｐ３ｐＪ３Ｐ２３ＰＪ，（Ｊ＇，Ｊ＇＇＝０，１，２）...     

钨丝中AKS—添加剂组分分布不均匀性

采用中子活化分析法测定ＷＯ３和ＷＯ２，金属钨粉和致密钨（坯）中标准ＡＫＳ－添加剂元素的含量。在还原序列ＷＯ３→ＷＯ２→α－Ｗ和致密钨中，根据变化系数估计各种相组份中铝，硅和钾含量分布很不均匀。致密钨中铝和硅变化系数的改变范围３０－５０％，而钾高达７０％。致密钨中的主要相是叶蜡石和硅线石型的铝代硅酸盐和刚玉。     

全硅集成光学—理论与工艺（Ⅱ）（续一）：第二讲 1.3～1.6μm硅光探测器

全硅集成光学──理论与工艺（Ⅱ）（续一）──第二讲１．３～１．６μｍ硅光探测器李国正（副教授）李道全（西安交通大学电子工程系，西安７１００４９）赵策洲（西安电子科技大学历电子所，西安７１００７１）１引言由于本征硅材料的长波吸收极限为１．１μｍ，因此用...     

多孔硅的氢化、氧化与光致发光

对于刚阳极氧化完的，阳极氧化后紧接着在Ｈ２Ｏ２中光照处理的及长期存放（１０个月）的三种多孔硅样品进行了持续激光照射，不断监视它们的光致发光（ＰＬ）与富利埃变换红外（ＦＴＩＲ）吸收光谱，并在最后对它们作了Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）测量，以确定它们所含氧化硅的情况．得出如下几条结论：（１）氢对多孔硅表面的钝化是不稳定的．（２）Ｓｉ—Ｈ键不是发光所必须的．（３）氧对多孔硅表面的钝化是稳定的，纳米硅周围氧化层的存在及其特性对于稳定的多孔硅可见光发射是至关重要的．对激光照射下多孔硅发光的退化提出了新的解释．     

脉冲CO2激光气相合成大尺寸硅团簇的研究

利用脉冲ＣＯ２激光气相合成了大尺寸的硅团簇Ｓｉｎ（ｎ－１０＾３），并对其生长机理进行了初步研究，大尺寸硅团簇Ｓｉｎ（ｎ－６４０）的飞行时间质谱可用对数正态分布函数很好地拟合，分析表明其结构由小尺寸硅团簇丰富多样趋向于简单化。     

Si(CH3)4的MPD与Si原子的双光子共振三光子电离

在４１０￣４０４ｎｍ的紫激光作业下,利用平行板电极装置研究了Ｓｉ（ＣＨ３）４的多光子解离（ＭＰＤ）及Ｓｉ原子的的双光子共振三光子电离。观察到了Ｓｉ（ＣＨ３）４分子经ＭＰＤ产生的、处于３＾３ＰＪ＾〃（Ｊ＾〃＝０,１,２）态的硅原子,依据４＾３ＰＪ＾〃←３＾３ＰＪ＾〃（Ｊ＾′、Ｊ〃＝０,１,２）跃迁谱线的强度,得到了Ｓｉ（ＣＨ３）４经ＭＰＤ产生的、处于３＾３ＰＪ＾〃（Ｊ＾〃＝０,１,２）态的硅原子的密     

主链含过渡金属（Pd和Ni）多炔聚合物的三阶非线性光学响应

描述了主链含过渡金属（Ｐｄ或Ｎｉ）的多炔聚合物的三阶非线性光学特性。通过四波混频（ＤＦＷＭ）实验，发现其具有高的三阶非线性光学系数，得到｜ｘ（３）｜≌３×１０－１３ｅｓｕ，分子超极化率ｙ≌５×１０－３１ｅｓｕ，并且在可见和红外区域有较小的吸收系数，这使之成为一种具有许多潜在用途的非线性光学新材料。     

微机电光调制器技术研究

调制器是光纤系统的重要器件。硅基微机械光调制技术使用常规硅平面工艺方法,制作较为简单、成本较低。同时,又具有高数据速率（几Ｍｂ／ｓ）和宽频带（１．３μｍ～１．５μｍ）性能,满足日益增长的波分复用（ＷＤＭ）全光网络发展的需要。讨论了有关硅基微机械式光调技术的基本原理和一些相关的制作方法,制作了多层膜光反射调制样品。     

压阻型集成电路封装应力测试芯片的研究与应用

本文介绍了一种（１００）硅片上的压阻型集成电路封装应力测试芯片的设计、制造、校准和应用测量情况．该应力测试芯片包含双极性４元素应力测试单元和偏轴３元素压阻系数校准单元．所用应力测试单元具有温度补偿、灵敏度高、抑制工艺对准误差的特点．采用四点弯曲法进行了硅压阻系数校准测量．采用其中一种应力测试芯片，测量了ＩＣ卡按ＩＳＯ７８１６－１标准规定的弯曲和扭曲情况下的芯片应力，发现：ＩＣ卡弯曲时主要受正应力，剪切应力较小；而扭曲时剪切应力较大，正应力较小     

激光区熔再结晶制作的SOI结构中杂质分布和迁移率分布研究

激光区熔再结晶制作的ＳＯＩ结构中杂质分布和迁移率分布研究＝［刊，俄］／－１９９３．２２（１）．－３～１３绝缘物上硅（ＳＯＩ）工艺，是微电子学最有发展前途的制作技术，特别是制作具有高速、高可靠性和高抗辐射加固性能的高集成度ＣＭＯＳ集成电路尤为适用。为了...     

激光光谱学中的激光器光源（续）

激光光谱学中的激光器光源（续）曹洪如（中国科学院安徽光学精密机械研究所合肥２３００３１）３．４离子掺杂固体激光器在基质晶体或玻璃中添加过渡金属和稀土类离子作发光中心是一类重要的激光器。红宝石（Ａｌ２Ｏ３中掺杂Ｃｒ３＋）是实现激光作用的第一种材料，其波...     

芯片键合技术在光电子学中的最新研究进展

芯片键合技术在光电子学中的应用研究可概括为两大方面： 一、将波长（１．３～１．５μｍ）激光器与硅大规模电路集成，从而实现光电子集成．这是光纤通讯和光二连所渴求的．在长波长区光纤损耗小，通讯距离长． 对以ＩｎＰ为基片的激光波长，硅是透明的，因此，通过硅基间器件能实现光互连．１９９５年Ｋ．Ｍｏｒｉ等人报道了硅基 １．５５ μｎｍ的 ＩｎＰ激光器显示优良的伏安特性．在键合界面未见高阻层．激光器在室温脉冲条件下的阈值电流密度（Ｊｔｈ）为 １．７ ｋＡ／ｃｍ２，这与以 ＩｎＰ为基片的激光器Ｊｔｈ相近． １９９９年 …     

超净硅片表面化学清洗工艺的优化研究

本文采用正交试验设计法优化硅片化学清洗工艺，由Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）检测清洗后的硅表面沾污杂质．结果表明，硅表面主要沾污杂质氧和碳的最低含量分别为１e１３／ｃｍ２和３．１e１３／ｃｍ２，均达到超净的水平（～３e１３／ｃｍ２）．本文还研究了Ⅰ号液和Ⅱ号液对硅片表面沾污的影响．     

电视演播中心的分量化技术（Ⅻ）第九讲向数字分量过渡（3）

电视演播中心的分量化技术（Ⅻ）第九讲向数字分量过渡（３）徐国光五、向数字分量过渡现在看来，演播系统数字化的必然性可以不用怀疑了，数字分量化的必要性也不怀疑了，而且数字设备的齐套商品化也已经为它们提供了可能性。问题是（特别在我国）基本上还处于模拟复合环...