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高铅玻管的擦划伤的解决部敬芝(石家庄宝石电子集团公司玻管厂石家庄050041)高铅玻璃因铅元素的引人而使玻璃硬度下降。一般的钠钙硅玻璃硬度为莫氏硬度5级,而含铅量在30%左右的高铅玻璃其硬度约为莫氏3级。高铅玻璃硬度低的性质,使得它的表面易被擦划伤,... 相似文献
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高导电性BaRuO_3薄膜及其脉冲激光沉积 总被引:6,自引:0,他引:6
钌酸盐是典型的ABO3型过渡金属氧化物,具有金属导电性,其薄膜可作为电极材料用于集成铁电等器件中。分析了BaRuO3的钙钛矿晶体结构和导电机制,并利用ArF准分子脉冲激光沉积(PLD)技术,结合后续退火处理,在Si(100)衬底上生长出具有(110)取向、室温电阻率约10-2~10-3Ω·cm的BaRuO3高导电性薄膜,俄歇能谱(AES)和Rutherford背散射谱(RBS)分析表明:薄膜BaRuO3的纯度高、成分均匀性好,BaRuO3/Si界面存在扩散过渡层。 相似文献
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γ-Al_2O_3/Si(100)薄膜高真空MOCVD异质外延生长 总被引:4,自引:4,他引:0
本文作者在自己组装的立式MOCVD设备上,成功地应用高真空生长技术,于1050℃的高温条件下,在硅上外延生长了γ-Al2O3薄膜.从RHEED看到(100)硅上生长的薄膜是(100)立方单晶γ-Al2O3的衍射图样;平移样品,图样并不发生变化.X射线双晶衍射看到,除了硅的(400)峰和(200)峰以外,只在2θ为45°处有一个低而宽的小峰.XPS谱给出氧的1s峰位为532.3eV,Al的2p峰位为75.4eV,将他们与α-Al2O3比较,对应峰位移动了约3.5eV.俄歇谱说明其铝氧组分比近于γ-Al2O3 相似文献
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本文论述在常压CVD硅外延系统中,通过e_qP=B-A/T,分别计算出SiH-Cl_3、PCl_3和BCl_3的A和B二常数值。采用低温深冷工艺,进一步提高硅源的纯度,通过控制SiHCl_3的蒸汽压,在晶向为(111)和(100),掺硼电阻率(4~8)×10 ̄(-3)Ω·cm的抛光衬底硅片上,生长出外延层电阻率为350Ω·cm(杂质浓度3.5×10 ̄(13)/cm ̄3),外延层厚度达120μm的p/p ̄+/硅外延片,制成器件的击穿电压可达1000V。 相似文献
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用平行板电极装置研究四甲基硅的多光子电离施德恒(空军第一航空学院基础部,信阳464000)本文检测了Si(CH3)4在410-371nm内的MPI光谱及若干波长点处的激光光强指数,检测并计算了硅原子4p3pJ3P23PJ,(J',J''=0,1,2)... 相似文献
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采用中子活化分析法测定WO3和WO2,金属钨粉和致密钨(坯)中标准AKS-添加剂元素的含量。在还原序列WO3→WO2→α-W和致密钨中,根据变化系数估计各种相组份中铝,硅和钾含量分布很不均匀。致密钨中铝和硅变化系数的改变范围30-50%,而钾高达70%。致密钨中的主要相是叶蜡石和硅线石型的铝代硅酸盐和刚玉。 相似文献
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全硅集成光学──理论与工艺(Ⅱ)(续一)──第二讲1.3~1.6μm硅光探测器李国正(副教授)李道全(西安交通大学电子工程系,西安710049)赵策洲(西安电子科技大学历电子所,西安710071)1引言由于本征硅材料的长波吸收极限为1.1μm,因此用... 相似文献
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多孔硅的氢化、氧化与光致发光 总被引:1,自引:1,他引:1
对于刚阳极氧化完的,阳极氧化后紧接着在H2O2中光照处理的及长期存放(10个月)的三种多孔硅样品进行了持续激光照射,不断监视它们的光致发光(PL)与富利埃变换红外(FTIR)吸收光谱,并在最后对它们作了X射线光电子能谱(XPS)测量,以确定它们所含氧化硅的情况.得出如下几条结论:(1)氢对多孔硅表面的钝化是不稳定的.(2)Si—H键不是发光所必须的.(3)氧对多孔硅表面的钝化是稳定的,纳米硅周围氧化层的存在及其特性对于稳定的多孔硅可见光发射是至关重要的.对激光照射下多孔硅发光的退化提出了新的解释. 相似文献
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利用脉冲CO2激光气相合成了大尺寸的硅团簇Sin(n-10^3),并对其生长机理进行了初步研究,大尺寸硅团簇Sin(n-640)的飞行时间质谱可用对数正态分布函数很好地拟合,分析表明其结构由小尺寸硅团簇丰富多样趋向于简单化。 相似文献
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压阻型集成电路封装应力测试芯片的研究与应用 总被引:2,自引:2,他引:0
本文介绍了一种(100)硅片上的压阻型集成电路封装应力测试芯片的设计、制造、校准和应用测量情况.该应力测试芯片包含双极性4元素应力测试单元和偏轴3元素压阻系数校准单元.所用应力测试单元具有温度补偿、灵敏度高、抑制工艺对准误差的特点.采用四点弯曲法进行了硅压阻系数校准测量.采用其中一种应力测试芯片,测量了IC卡按ISO7816-1标准规定的弯曲和扭曲情况下的芯片应力,发现:IC卡弯曲时主要受正应力,剪切应力较小;而扭曲时剪切应力较大,正应力较小 相似文献
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曹洪如 《大气与环境光学学报》1996,(4)
激光光谱学中的激光器光源(续)曹洪如(中国科学院安徽光学精密机械研究所合肥230031)3.4离子掺杂固体激光器在基质晶体或玻璃中添加过渡金属和稀土类离子作发光中心是一类重要的激光器。红宝石(Al2O3中掺杂Cr3+)是实现激光作用的第一种材料,其波... 相似文献
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芯片键合技术在光电子学中的应用研究可概括为两大方面: 一、将波长(1.3~1.5μm)激光器与硅大规模电路集成,从而实现光电子集成.这是光纤通讯和光二连所渴求的.在长波长区光纤损耗小,通讯距离长. 对以InP为基片的激光波长,硅是透明的,因此,通过硅基间器件能实现光互连.1995年K.Mori等人报道了硅基 1.55 μnm的 InP激光器显示优良的伏安特性.在键合界面未见高阻层.激光器在室温脉冲条件下的阈值电流密度(Jth)为 1.7 kA/cm2,这与以 InP为基片的激光器Jth相近. 1999年 … 相似文献
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电视演播中心的分量化技术(Ⅻ)第九讲向数字分量过渡(3)徐国光五、向数字分量过渡现在看来,演播系统数字化的必然性可以不用怀疑了,数字分量化的必要性也不怀疑了,而且数字设备的齐套商品化也已经为它们提供了可能性。问题是(特别在我国)基本上还处于模拟复合环... 相似文献