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利用背散射衍射技术(EBSD),在一段式840 ℃不同时间脱碳退火条件下,研究了基于CSP工艺取向硅钢初次再结晶过程中的组织和结构变化。结果表明,在初次再结晶退火时间为4 min时织构类型较多,分别为{332}<`533>、{554}<225>、{111}<110> 、{001}<100>、 {111}<112>、{001}<110>、{110}<001>、{110}<110> 、 {112}<110>、{110}<112>、{112}<1`10>、{012}<001>和{111}<231>等。当初次再结晶退火时间延长为5 min时, {111}<112>取向晶粒数量明显增多,而{332}<`533>和{012}<001>取向晶粒比例下降。同时Σ3、Σ5和Σ9晶界比例升高,小角度晶界比例较少,而大角度晶界比例较多,这将有助于在二次再结晶退火时发生高斯织构。继续延长退火时间到6 min以后,Σ3、Σ5和Σ9晶界比例下降,小角度晶界比例提高,此时再结晶晶粒长大。 相似文献
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通过对实验室模拟薄板坯连铸连轧(TSCR)工艺条件下铸坯出模淬火、1200℃保温淬火、热轧3道次淬火和热轧7道次抑制剂(硫化物和氮化物)析出的TEM观察.分析了析出相的成分和铸坯装炉温度对抑制剂析出规律的影响,得出铸坯出模淬火有极少量抑制剂析出,1200℃保温可以重新固溶细小或不完全析出的抑制剂.经3道次热轧淬火的带钢中有少量抑制剂析出,而轧制7道次的热轧带钢中有大量抑制剂析出.铸坯以840℃和大于1000℃入1200℃加热炉其热轧带钢抑制剂的析出粒子平均尺寸和每个视场析出粒子数量基本相同,含Cu的析出粒子尺寸相对较小. 相似文献
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研究了取向硅钢在初次再结晶过程中的组织和结构变化,包括晶粒长大情况、取向差、重合位置点阵(CSL)及织构的变化。研究表明,820℃盐浴再结晶退火3 s时即完成再结晶,随即发生晶粒长大。在初次再结晶的开始阶段,主要织构是{111}112、{100}110和弱的高斯织构;随着退火时间增加,{100}110织构和高斯织构逐渐减弱,{111}112织构先增强后减弱,并向{111}110和{111}231转化,退火3 min以后出现的{012}001织构是一种促进二次再结晶发展并最终有利于提高二次再结晶磁感和降低铁损的织构。退火时间增加到3 min以后,CSL的∑3晶界比例增加。退火时间增加到30 min时,CSL的∑1晶界比例增加,同时,小角度晶界比例提高,大角度晶界减少。 相似文献
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以实验室模拟CSP连铸连轧工艺制备的热轧硅钢为基板,通过实验室常化、冷轧和初次再结晶退火实验,采用XRD和EBSD技术对样品从热轧到初次再结晶阶段的织构演变进行了研究。结果表明:GOSS晶粒起源于热轧的次表层,沿着次表层到中心层逐渐降低,热轧板中心层主要为{001}110织构。一次冷轧后,次表层存在强的{001}110和{112}110织构;1/4层存在强的{001}110和{112}110以及较强的{111}112织构;中心层则只存在强的{001}110织构。初次再结晶后,硅钢形成了强点{111}112织构的γ织构,GOSS织构再次出现,且分布在{111}112织构周围。GOSS晶粒周围以35°~55°大角度晶界为主,同时还有很高的Σ3和Σ5重合位置点阵。 相似文献
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形成锋锐的Goss织构是取向硅钢获得优异磁性能的关键, 初始样品表层中较强的Goss织构对最终的强Goss织构起重要作用. 本文通过改变硅钢冷轧方向获得不同的初始织构及初始组织, 考察热轧板表层及中心层不同的组织及织构的进一步变化对一次冷轧、中间退火、二次冷轧及脱碳退火、二次再结晶退火后的织构及组织变化规律的影响. 探讨了这些特殊方式制备的样品中Goss织构的形成条件. 结果表明, 强烈的初始组织及织构的差异随轧制及退火次数的增多逐渐消失; 最终二次再结晶都可顺利进行, Goss织构及磁性能差异并不大. 虽然初始样品中Goss织构的强弱差异很大, 但因各阶段都可以形成较强的 {111}<112>织构, 弥补了初始样品中Goss织构过弱的不足, 因此轧制方向及初始组织都对最终的织构影响不大. 研究还证实了立方织构的遗传性; 横向轧制是消除稳定的{112}<110>轧制织构的有效方法. 相似文献
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在实验室条件下模拟CSP(Compact Strip Production)热轧板为基板生产的低碳冷轧板罩式退火过程,研究再结晶阶段加热速度对冷轧板罩式退火过程晶界特征分布的影响。结果表明,在退火过程再结晶阶段加热速度为40℃/h的试样具有均匀的饼形晶粒组织,较高比例的{111}110和{111}112取向的晶粒。加热速度为40℃/h的试样含有的Σ3、Σ9、Σ13b晶界的比例高于加热速度为30℃/h的试样,Σ11晶界的比例则低于加热速度为30℃/h的试样。Σ3晶界随相邻同类型取向的增加而增多,Σ11晶界比例低时{001}110取向晶粒比例低、Σ13b晶界比例高时{111}取向晶粒比例高。 相似文献
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利用光学显微镜、X射线衍射仪和EBSD研究了初次再结晶退火温度对低温Hi-B钢组织、织构和晶界特征的影响。结果表明,初次再结晶退火温度直接影响低温Hi-B钢的初次再结晶的组织均匀性和晶粒平均尺寸,随着退火温度的提高,初次再结晶组织的晶粒平均尺寸从15.2μm增加到26.7μm, 820℃退火的初次再结晶组织均匀性最好。初次再结晶主要织构类型为γ织构、α织构、{001}<120>织构和{114}<481>织构,退火温度880℃时,{001}<120>织构强度明显增加。随着退火温度的提高,Goss晶粒数量减少,{114}<481>组分的面积分数先减少后增加,而{111}<112>组分的面积分数在退火温度升高到840℃后开始减少。退火温度为800℃时,{110}<001>取向晶粒与相邻晶粒的取向差为20°~45°的比例最高,为89.2%。不同退火温度下,{110}<001>取向晶粒周围的CSL晶界分布情况变化很大。 相似文献
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FTSR热轧含Nb钢动态再结晶数学模型中参数的确定 总被引:1,自引:0,他引:1
利用Gleeble-2000热/力模拟实验机模拟了柔性化薄板坯连铸连轧(FTSR)生产线轧制低碳含Nb钢的动态软化行为.根据不同Nb含量试样在不同变形温度下的应力-应变曲线,得出Nb含量对动态再结晶数学模型中各参数的影响规律.结果表明:随Nb含量的增加,动态再结晶激活能逐渐增加,且高于传统流程的动态再结晶激活能;随Nb含量的增加,模型参数中A值线性增加,Avrami指数m线性减小,n值线性增加,B值逐渐增加,动态再结晶变得困难.所计算的动态再结晶率以及峰值应力与实测的结果吻合良好. 相似文献
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采用中断法并结合电子背散射衍射(EBSD)技术,研究了Hi-B钢二次再结晶退火过程中大量未异常长大Goss取向晶粒的晶界特征。结果表明:未异常长大Goss取向晶粒的晶粒尺寸相较于基体晶粒和相邻晶粒并没有明显的差异性。同时未异常长大Goss取向晶粒与异常长大Goss取向晶粒周围的HE晶界和CSL晶界比例也没有明显的差异。在二次再结晶退火过程中,尺寸优势、HE晶界、CSL晶界和Goss取向偏离度都不能保证Goss取向晶粒发生异常长大。而随着退火温度的升高,Goss取向晶粒有逐渐向标准Goss晶粒取向靠拢的趋势。 相似文献
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将经二次冷轧和脱碳退火的3%Si钢板在温度梯度炉内加热处理,用金相及宏观观察研究二次再结晶过程。根据弥散相(MnS)尺寸分布的电镜统计数据,计算出二次再结晶的临界夹杂因子数值为20mm^(-1),对晶粒长大的抑制能力作了准确描述。 相似文献
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冷轧变形Pb-Ca-Sn-Al合金在回复和再结晶过程中的晶界特征分布 总被引:12,自引:0,他引:12
采用电子背散射衍射(EBSD)技术研究了冷轧变形Pb-0.1%Ca-1.5%Sn-0.026%Al合金在回复和再结晶过程中的晶界特征分布(GBCD).结果表明:在回复过程中,合金内形成了比例接近50%的平直∑3晶界,这类晶界不处在由一般大角度晶界构成的晶界网络上,不能使合金的GBCD得到优化;相反,在再结晶过程中,除了生成比例超过50%的∑3晶界外,还出现了较多的∑9和∑27等低∑重位点阵晶界(CSL),并且这些晶界和相当多的弯曲的∑3晶界均处在由一般大角度晶界构成的晶界网络上,可以使合金的GBCD得到优化,进一步的分析指出:回复过程中所形成的平直的∑3晶界是共格孪晶界,它们能量很低,很难迁移;在再结晶过程中,除了生成不可迁移的共格的∑3孪晶界外,还可形成大量可迁移的弯曲的非共格∑3晶界,这类晶界的迁移和彼此会合可形成∑9和∑27等∑3^n(n为正的整数)晶界,这是合金GBCD得到优化的根源。 相似文献