含钪钡钨阴极龟裂原因分析

针对钪酸盐阴极在装管测试过程中发生发射电流下降,阴极表面出现龟裂等问题,利用扫描电镜和能谱作为研究手段,分析对比了失效阴极与正常阴极的微观结构差异,结果表明,阴极表面龟裂的原因是阴极发射物质成分和工作温度共同作用的结果。根据分析结果,调整工艺参数,解决了龟裂失效问题。     

新型碳纳米管场发射显示器自会聚阴极的计算机模拟

提出了一种新型阴极结构使发射电子束会聚以减小像素。用ANSYS软件模拟凹面阴极CNT-FED的发射过程。将凹面阴极发射与平面阴极发射进行比较,并对影响会聚的重要参数进行研究。试验结果表明,凹面阴极发射电子束会聚明显。随着凹面曲率逐渐变大,电子束会聚增强,阳极光斑半径逐渐减小。进一步增大凹面曲率,电子束发生交叉,光斑半径逐渐变大。适当的参数组合可使电子束会聚在阳极上很小的区域内,自会聚阴极可用于低功耗CNT-FED的设计。     

新型纳米薄膜钪钨阴极的研究

介绍了一种新型的纳米薄膜钪钨阴极,该阴极在1000℃（亮度温度）可以提供至少150A／cm^2的拐点电流密度。同时作者指出：含钪阴极的发射机制倾向于热电子发射机制还是“场助热电子发射”机制主要取决于阴极表面发射小岛的形成和维持。     

用SEM、AES、EDS对电子发射材料(钪酸盐阴极)及其所用的多孔钨体的分析与研究

本文简要报导用Philips—SEM505、日本ANELAL公司AES—430S以及美EDAX—9100对钪酸盐阴极及多孔钨体的形貌结构、发射表面和体内的成分组成等进行实验研究的初步结果。实验表明:钨粉种类、成形方法、精加工方式等都是对多孔钨体和阴极表面性能有直接影响的因素。用俄歇谱仪对阴极发射面做纵向剖面分析可以看出,决定阴极性能的发射表面的“浅层”是发射活性物质最富集的区域。随着深度的增加,活性物质逐渐减少。深度超过约420A以后,各种成分便呈相对稳定的分布。因此,阴极性能的优劣主要取决于极薄一层发射表面的组成和性质。对该层的结构、性能等做充分的研究,对了解阴极的发射机理、改善并掌握稳定的阴极制备工艺都是十分重要的。     

快速起动电视显象管简介

快速起动电视显象管的快速起动作用,主要是使用了一种新型的阴极结构类型——快速起动阴极。本文通过快速起动电视显象管来简要介绍快速起动阴极的特点、基本原理、典型结构及其运用。     

GaAs阴极激活铯源质量对成像器件性能的影响

为了解决三代微光器件研究中出现的阴极灵敏度低、光电发射不均匀、稳定性差等问题,重点开展了铯源质量对阴极性能产生影响的试验研究。结果表明,激活铯源纯度、装配结构、铯源与阴极距离对阴极光电发射灵敏度、均匀性影响最大。铯源出口孔径多少大小及射出方向是阴极产生暗班的主要原因。在铯源材料成分结构与阴极距离确定之后,阴极灵敏度的高低主要决定于对铯源的除气工艺,通过对铯源除气工艺进行优化,制备出了阴极灵敏度大于1700μA/lm三代微光器件。     

六硼化镧材料的化学腐蚀工艺研究

目前,阴极发射体材料多存在逸出功大,可靠性及均匀性低,发射性能低、不能自动调节活性物质更替的速度等方面的问题．与之相比,六硼化镧既具有可恒定地维持一个活性阴极表面．同时具有高导电率和良好的热稳定性及化学稳定性,是作为阴极发射体的理想材料．而对六硼化镧的化学腐蚀在以其为阴极的阴极发射体制备工艺中起着至关重要的作用,本文简述了对材料的化学腐蚀工艺的初步研究,并得到了图形化的六硼化镧表面。     

金属合金二次发射“冷”阴极

本文概述磁控管超高频放大器用钡一钯金属合金阴极的性质。在这一类器件中只采用阴极的二次一电子发射。。为了摆脱器件激励，热电子发射应被除掉，所以阴极工作在所谓的“冷”状态。     

Spindt型阴极的研制

本文概述Ｓｐｉｎｄｔ型阴极的发展水平及其应用，介绍了在我们现在有工艺条件下，研制Ｓｐｉｎｄｔ型阴极的情况。利用改装的蒸发沉积设备及射频磁控溅射技术在基片上的微孔阵列中制作发射尖锥，以制成场发射阴极。在真空条件下测量了该阴极的发射特性，并利用这种平面阴极制作了荧光屏显示原理性样管显示出足够亮度的光点；在此基础上，对该阴极在平板显示器件上的应用提出了一个设计，对实现这一设计的材料和工艺作了论证．     

低电子亲和势内场发射阴极

平面阴极的场致发射显示器件由于性能优越、结构简单而具有很好的应用前景。这种器件要实用化,急需提高阴极的电子发射率。提出一种改进栅极结构的方法达到提高电子发射率的目的;介绍了双金属栅极的结构和制作工艺;阐述了利用两种金属的接触电位差降低阴极电子发射势垒的原理;解释了实验中低驱动电压时发射率提高较多的现象。与单金属极相比双金属栅极的阴极电子发射率提高了5倍以上。     

亚微米钨基含钪扩散阴极的性能研究

研究了具有超细微观基体结构的含钪扩散阴极的性能。采用溶胶-凝胶的方法来制备阴极基体粉末,通过改善阴极基体粉末的均匀性从而改善浸渍后阴极表面的均匀性。研究表明,通过对基体粉末的压制及烧结工艺的控制,能够获得具有合适孔度的亚微米结构的多孔钨基。浸渍发射活性物质即钪酸盐后,得到含钪扩散阴极。阴极的孔度及浸渍率可以达到实验及常规生产中要求的水平。发射测试结果表明,阴极在相同的测试温度下的发射水平明显高于普通基体结构的浸渍式钪酸盐阴极。且在1000℃时,亚微米基含钪扩散阴极测得的最高测试电流密度为62.95A/cm2（未测到拐点）。     

高频启动的正交场放大器空间电荷流的起动条件

用于高功率雷达系统的冷阴极分布发射正交场放大器,由于起动延迟、功率跌落,电路损耗和低效率等因素而导致器件性能变坏。美国陆军电子发展部门对此作了理论分析,解释了使器件性能恶化的原因,其关键在于正交场放大器空间电荷流的全部性能,它可以用二个与时间无关的参数,即阴极平均二次发射系数和电子平均回轰能量加以完整地说明,而这些参数表示了阴极发射能力的特征,并随着器件互作用空间的几何形状、工作条件和阴极材料的改变而变化,为改进正交场放大器的性能,可将理论分析进行程序编制,应用数字计算机作为设计和计算的工具。     

低成本制备的高稳定性碳纳米管复合阴极

通过改变SiO2纳米溶胶与碳纳米管的比例,选择合适的表面活性剂解决SiO2表面湿润问题,使SiO2得以均匀包裹CNT.采用Sol-Gel工艺制备CNT/SiO2复合物阴极,使用TEM对复合物的形貌、结构进行表征,对其场发射性能与稳定性进行了研究,获得了高增强因子及低屏蔽效应的阴极.发射测试实验表明:复合物中SiO2/CNT含量为80%时,阴极具有高发射电流和较佳的场发射稳定性能.在场强为2 V/mm时,发射电流为56 mA/cm2,开启场为0.71 V/mm,发射电流波动3 h,波动<3%.该阴极发射电流高,稳定性良好,容易采用低成本的丝网工艺制备成各种不同尺寸FED阴极.     

半导体保护器件阴极短路区的设计

为改善半导体保护器件的主要特性参数,通过对半导体保护器件基本原理的简单论述,深入研究了阴极短路结构的相关理论,分析了阴极短路区结构和工艺对半导体保护器件主要特性参数的影响,提出了优化半导体保护器件主要特性参数的一些方法。     

电泳工艺制备阵列场发射阴极及其性能的研究

碳纳米管是理想的场发射冷阴极材料,阴极的图形阵列化是实现碳纳米管场发射显示器动态全彩视频显示的核心.三极管结构能够更好地进行矩阵寻址显示图像,且与常规的驱动电路相兼容,降低整体平板显示器件的制作成本.从实验出发,探索利用简单的电泳工艺制备图形化碳基薄膜阴极,采用与阴极成同一水平面的栅极的三极管结构,并对电泳的实验参数进行优化以提高阴极电压电流特性和发射的均匀性等问题,为场发射器件的制造提供优良的工艺基础.研究机械球磨和稀释悬浊液浓度对碳纳米管沉积均匀性的影响.实验结果表明稀薄的悬浊液的条件下可以在玻璃的银浆导电层上沉积较薄而均匀的碳纳米管膜,与丝网印刷工艺制备的阴极相比,均匀性更好,厚度更容易控制,具有更好的发射均匀性.测试图形化的阵列碳纳米阴极的三极管结构的场发射特性,发现当阳极电压保持在600 V,栅极电压接近500 V时,阳极电流能达到2.6 mA/cm2.荧光粉发光均匀,相比二极管结构具有更低的阈值电压,在亮度、均匀性和稳定性方面都有显著的优势.     

关于磁控管阴极发射与振荡建立问题的讨论——兼论同轴磁控管的前沿抖动问题

磁控管的振荡建立取决于管内电子注源与高频谐振系统。本文从这两方面讨论磁控管振荡建立过程和脉冲前沿抖动问题。磁控管中(包括其他热阴极分布发射正交埸器件)电子注源的90～99％是来源于二次电子发射。从这个观点出发,指出制管工艺,特别是排气工艺规范的制定,热测老练规范的制定都直当以获得好的二次电子发射系数阴极这个主要目的去进行,二次发射系数的大小是判别上述工艺成功与否的主要标志。由获得高二次发射及电子与微波场最佳能量交换出发,对谐振腔的节距,管子工作磁     

四脚状纳米氧化锌阴极的场致发射显示研究

以高温气相氧化法制备的四脚状纳米氧化锌作为场致发射材料，采用简易的喷涂方法将其制备为场致发射阴极。将阴极与印刷有荧光粉的阳极板组装成二极结构场致发射显示屏，并进行了场致发射特性实验，实现了稳定的场致电子发射及全屏点亮。该二极结构的场致发射开启场强为1.5V／μm，当场强为7.5V／μm时，发射电流密度可达3．44μA／cm2。实验结果表明了氧化锌半导体纳米材料是一种很好的场致发射阴极材料。     

覆膜浸渍扩散阴极表面微区电子发射像研究

覆膜对浸渍扩散热阴极表面电子发射的影响一直是热阴极研究领域的重点课题。该文采用最新研制的深紫外激光光发射电子显微镜/热发射电子显微镜(DUV-PEEM/TEEM),对一半覆膜、另一半未覆膜的浸渍扩散阴极试样作了1150 ℃×2 h激活,并对其表面微区的热电子发射像及其随温度的变化作了比较。结果发现,两种阴极的热电子发射均主要位于孔隙及其邻近颗粒边缘;随温度升高,未覆膜阴极发射主要集中于孔隙内及周边有限区域内,发射面积增量较小,覆膜则使阴极有效发射区域得以由孔隙及其边缘向距孔隙更远的区域延伸,发射面积大幅增加。上述结果首次给出了覆膜浸渍扩散阴极微区的电子发射特征,对于理解该类型阴极发射机理有一定参考价值。     

薄膜型平栅极FED背光源的制备及性能研究

利用磁控溅射和光刻技术在玻璃基底上制备薄膜型平栅极场发射阴极阵列,采用电泳工艺将碳纳米管(CNTs)发射材料转移到薄膜型平栅结构的阴极电极表面,借助光学显微镜和扫描电镜观测薄膜型平栅极场发射阴极阵列。利用Ansys软件模拟阴栅间距对阴极表面电场分布的影响,优化其结构参数,对其场发射特性进行了讨论。实验结果表明,CNTs能均匀地分散在平栅型结构的阴极表面,当电场强度为2.4 V/μm时,器件发射电流密度达到1.8 mA/cm2,亮度达3 000cd/m2,均匀性为90%,能稳定发射28 h,且具有较好的栅控作用。该薄膜型平栅极背光源技术简单、成本低,为将来制备新一代大面积场发射背光源提供了可行性方案。     

稀土难熔金属阴极材料研究进展

研究了稀土钼阴极的热发射、次级发射及亚微米结构钪钨基扩散阴极的热发射性能.结果表明,La2O3-Mo热阴极具有良好的热电子发射性能并具有抗暴露大气的能力.稀土钼次级发射材料经过1000～1200℃的高温激活处理后,材料的最大次级发射系数超过4.0.湿法冶金方法制备的亚微米结构钪钨基扩散阴极850℃b时电流密度可达47 A/cm^2,且阴极表面的发射均匀性较普通钪酸盐阴极有明显的改善.