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开关电源中功率MOSFET管损坏模式及分析 总被引:2,自引:0,他引:2
结合功率MOSFET管不同的失效形态,论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式,并说明了产生这样的损坏形态的原因,也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中发生失效形态的差别,从而为失效在关断或在开通过程中发生损坏提供了判断依据。给出了测试过电流和过电压的电路图。同时分析了功率MOSFET管在动态老化测试中慢速开通、在电池保护电路应用中慢速关断及较长时间工作在线性区时损坏的形态。最后,结合实际应用,论述了功率MOSFET通常会产生过电流和过电压二种混合损坏方式损坏机理和过程。 相似文献
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本文分析了H桥电机枢动方式中,常出现的几种瞬态过电流情况,并提出从功率MOSFET本身的过电流能力出发,快速,有效地实行“就地”保护的几种方法。 相似文献
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《电子制作.电脑维护与应用》2011,(9):6-6
瑞萨电子公司宣布开发面向消费类产品(如无线电动工具和电动自行车)中电机驱动的100A大电流功率MOSFET,以便加强公司的整个功率半导体器件生产线。新款功率MOSFET提供了较宽的电压范围,其中3款新产品(包括N0413N)具有40V的电压容差, 相似文献
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《单片机与嵌入式系统应用》2012,12(2)
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出PowerTrench MOSFET器件FDMB2307NZ。该器件具有能够大幅减小设计的外形尺寸,并提供了所需的高效率。FDMB2307NZ专门针对锂离子电池组保护电路和其他超便携应用而设计,具有N沟道共漏极MOSFET特性,能够实现电流的双向流动。 相似文献
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单片电流模式降压型DC-DC转换器的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了一款内置功率MOSFET的电流模式降压型DC—DC转换器。该DC/DC转换器采用PWM控制,在传统的PWM结构上加入电流反馈环路,改善了传统电压模式DC/DC的缺点,能够取代国际上流行的三端可调线性稳压器。该转换器具有瞬态响应快,启动过冲小,输出纹波小,输出电压可调等特点。正常工作情况,输入电压5~25V,输出电流2A,工作频率400KHz。采用0.8μm BiCMOS工艺模型进行了Spectre模拟,并且制作了该芯片。经过验证,各项指标符合设计要求。 相似文献
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MOSFET的精确匹配对模拟和混合集成电路的性能至关重要,随着器件特征尺寸减小至纳米,将MOSFET失配模型进行改良以适应新工艺显得十分迫切.文中应用改进的AIPHA律平均漏电流模型拟合65 nm器件的HSPICE仿真数据,并提取了相关工艺参数,该模型与BSIM4模型数据相比平均相对误差为1.70%,相对标准差8.26%;再利用该模型并结合偏差传递公式实现了一个简单的65nm工艺MOS器件电流失配标准差计算模型.实验结果显示,该模型与HSPICE蒙特-卡罗仿真数据相比平均相对误差为7.69%,相对标准差为10.49%.这表明文中模型简单、有效,又能保证精度. 相似文献
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从线路布线和参数配置等方面分析了导致MOSFET并联时电压和电流不均衡的原因,并联MOSFET易产生振荡的原因作了详细的分析,并辅以仿真说明振荡产生的原因。 相似文献
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功率MOS管在半导体致冷技术中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
针对半导体致冷技术中可控硅电流换向器存在的问题,提出了利用新型现代电子器件功率场效应晶体管(MOSFET)实现H型功率开关电流换向器的方案,并给出了具体的电路图。 相似文献
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针对3D打印中已有自适应分层算法不能有效保留模型特征的问题,提出了一种新的识别和保留模型特征的自适应分层算法。首先,扩展了模型特征的定义,引入了模型特征丢失和偏移的概念;然后,提出了一种特征识别的方法,其识别模型特征的关键在于利用了模型特征出现的地方必然伴随着模型表面复杂度或切片轮廓数的变化这一性质;最后,在已有自适应分层算法的基础上,通过在特征附近用最小的分层厚度处理模型来保留模型的特征。在自主开发的软件Slicer3DP上实现了均匀分层、自适应分层和所提的分层算法,对比发现所提算法能有效解决模型特征的丢失和偏移,兼顾了分层精度和效率。仿真表明该算法可以用于对模型精度要求较高的3D打印中。 相似文献
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对运行在文件系统上的工作负载进行分析有助于优化分布式文件系统的性能,且对构建新型存储系统至关重要。由于工作负载的复杂性和规模多样性的增加,使用基于直觉的分析来显式地捕获工作负载踪迹的特征是不完备的。针对这一问题,提出了一个分布式日志分析与负载特征提取模型。首先,从分布式文件系统日志中根据关键字抽取出与读写相关的信息;其次,从统计与时序两方面对负载特征进行描述;最后,分析基于负载特征进行系统优化的可能。实验结果表明,提出的模型具有一定的可行性与准确性,且可以较为详细地给出负载统计与时序特征,具有低开销、高时效、易于分析等优点,可以用来指导具有相同特征的工作负载的合成、热点数据监测、系统的缓存预取优化。 相似文献
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针对一种用键合线连接的简单封装模型进行射频性能的模拟.用HFSS软件对不同长度、不同高度、不同直径以及不同间距的键合线进行模拟,总结出这些参数对键合线射频性能的影响.提出了由顶盖、CPW和键合线组成的简单封装结构的等效电路,并提取参数值.用Mcrowave Office软件对等效电路进行模拟,其S11在6~8 GHz内与HFSS模拟的模型的S11相差2 dB以内,其S21在1~10 GHz内与模型的S21相差0.1 dB以内. 相似文献
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对运行在文件系统上的工作负载进行分析有助于优化分布式文件系统的性能,且对构建新型存储系统至关重要。由于工作负载的复杂性和规模多样性的增加,使用基于直觉的分析来显式地捕获工作负载踪迹的特征是不完备的。针对这一问题,提出了一个分布式日志分析与负载特征提取模型。首先,从分布式文件系统日志中根据关键字抽取出与读写相关的信息;其次,从统计与时序两方面对负载特征进行描述;最后,分析基于负载特征进行系统优化的可能。实验结果表明,提出的模型具有一定的可行性与准确性,且可以较为详细地给出负载统计与时序特征,具有低开销、高时效、易于分析等优点,可以用来指导具有相同特征的工作负载的合成、热点数据监测、系统的缓存预取优化。 相似文献
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针对股票价格波动拐点难以有效预测导致预测精度不高的问题,提出一种特征滞后程度计算的均值门限广义自回归条件异方差(LRD-TGARCH-M)模型。首先,基于股价波动与指标变化出现的不一致性,给出了滞后性的定义,并引入能量波动概念,从能量角度提出特征滞后程度(LD)计算模型;然后,用LD度量拐点出现之前的风险大小,将其加入到股价均值方程中,克服均值门限广义自回归条件异方差(TGARCH-M)模型对拐点预测的不足;其次,根据拐点附近波动相对剧烈,将LD加入到误差项的方差方程中,优化方差的变化,提高模型的预测精度;最后,给出了LRD-TGARCH-M模型的波动预测公式和精度分析,并在股票数据上进行实验,结果表明,与TGARCH-M模型相比,精确度提高了3.76%;与均值指数GARCH(EGARCH-M)模型相比,精确度提高了3.44%,证明了LRD-TGARCH-M模型可以提高股价走势预测精度,减小误差。 相似文献
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传感器特性曲线的一种拟合方法 总被引:6,自引:2,他引:6
为了满足智能仪表开发的需求,同时减轻开发人员的繁重工作,提出了利用Matlab软件拟合传感器特性曲线的方法,用该方法迅速方便地建立传感器的数学模型。通过应用实例详细说明了建立传感器数学模型的步骤。最后得出结论:数学模型准确可用,利用Matlab软件拟合传感器特性曲线具有相当的实用价值。 相似文献