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静电感应晶闸管(SITH)的理论分析(续) 总被引:1,自引:0,他引:1
静电感应晶闸管(SITH)的理论分析(续)兰州大学(兰州730001)李思渊,刘瑞喜,刘肃,杨建红,李成3沟道电势的解析理论3.1 模型SITH的开通与关断,从根本上说来决定于沟道势垒的存在及其随偏压的变化。因此,对沟道势垒的分析成为研究问题的核心。... 相似文献
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静电感应晶闸管(SITH)的理论分析 总被引:1,自引:0,他引:1
首先对SITH正向通态和阻断态的I-V特性给出了物理考察和解释。然后通过解析方法得到了SITH沟道的电势分布,在此基础上,用有限差分法和迭代法求解了精确的沟道电势,得到马鞍状的势分布,进而研究了沟道势垒随偏压的变化。发现栅压对沟道势垒的控制是直接而灵敏的,为栅极强迫关断提供了物理基础,所得结果可使我们对SITH作用机制的理解更加清楚,同时为器件的设计制造提供了参考依据。 相似文献
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在测试分析了国产静电感应晶间管(SITH)主要性能的基础上,研制出几种驱动电路,并用它们作为主开关器件制成三种电源电路。对这三种电路的测试表明,静电感应晶闸管是具有良好特性的电力电子器件。国产器件可以针对应用改变设计,取得与应用的最佳配合。 相似文献
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吴涛 《电子技术与软件工程》2023,(4):104-107
本文介绍了汽车三相交流发电机电子调节器的首样测试要点和实施过程。该文介绍的测试要点是基于单片机MCU为单元核心控制发电机转子磁场电流大小,使定子输出恒定的充电电压的电子硬件系统。为了使汽车在怠速中或行驶过程中更稳定和可靠性发电及充电,同时满足汽车行驶过程中各种用电器件的用电需要等功能要求。它需要在项目设计开始阶段和首次做成样品阶段分别对其进行各种的可靠性和实用性测试条件准备和测试验证步骤等。 相似文献
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本文论述了新型高速功率开关器件—800V、10A静电感应晶闸管的结构、设计和工艺研究。说明了所研制的器件的直流特性和开关特性,得到导通时间1.8μs,关断时间1.5μs的较好效果。 相似文献
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<正> 六、电子电压调节器的检测 1.检测前的准备 (1)准备一只5~30V、3~5A的可调稳压直流电源;也可按图5所示的电路制作一个可调电源。 相似文献
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本文主要介绍了静电感应晶闸管(SIThy)的基本工作原理、典型的器件结构及其持性、器件的设计和制造技术,以及器件的应用领域. 相似文献
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<正> 随着科学技术的不断发展,电子技术在汽车上的应用越来越广泛。电子电压调节器就是电子技术在汽车上的一种典型应用。电子电压调节器的损坏率较高,有些进口车使用的电子电压调节器还不太容易买到;加之,电子电压调节器的互换性较差,这就给维修带来了一定的困难。为此,本文先介绍其工作原理,在此基础上再介绍其检测和代换方法,希望能对读者有所帮助。 相似文献
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<正> 五、用继电器控制充电指示灯的电子电压调节器 图4是一种典型的用继电器控制充电指示灯的电子电压凋节器电路原理图,该电路在桑塔纨、丰田、蓝鸟等轿车上应用相当广泛。该调节器由集成电路组成,并安装在发电机内,与发电机成为一体(即为内装式调节器)。 从图4中可以看出,这种调节器由8只元件组成。其中:R2、R1为取样分压电阻;VD1为取样稳压二极管;R3既是VT1的集电极负载电阻,又是VT2管的基极偏置电阻;VT1为取样控制管;VT2、VT3组成了开关控制电路;VD2为续流二极管,它与磁场线圈并联,当晶体管VT3突然截止时,该二极管可与磁场线圈绕组构成回路,以保护VT3不被励磁绕组产生的自感电动势反向击穿。 相似文献
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<正> 三、外搭铁电子电压调节器原理 外搭铁式电子电压调节器的型号较多,一种典型的外搭铁式电子电压调节器JFTl84如图2所示。该调节器主要由电压调节电路和充电指示控制两部分电路所构成。电子电压调节电路主要由VT1~VT3、VD9、VD8、R4~R8、RP1等元件组成。其中:R4~R7、VT1、RP1、VD8组成了取样控制电路;VT2、VT3、VD9、R8组成了发电机磁场线圈电流控制电路。 相似文献
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静电感应晶闸管是一种接近理想的功率开关器件,它是解决当前发电,输电,电力变换和损耗的关键器件。本文主要介绍静电感应晶闸管的应用范围和它在高压直流输电,感应加热和熔炼,铜蒸发激光器待方面的应用技术。 相似文献
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本文扼要地介绍了新型电力半导体器件SIT和SITH的研制、生产和应用的发展情况.说明SIT和SITH已从试制阶段进入实用化阶段. 相似文献
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The physical effects of the carrier distribution in the channel on the dynamical performance of a static induction thyristor (SITH) have been studied numerically and experimentally. The analytical expressions of the minority carrier distribution in the channel of the SITH were also derived and the space charge distribution control- ling mechanism on the current of the SITH under high level injection have been analyzed deeply. The relationships among the minority carrier distribution, potential distribution, I-V characteristics and transient performances of the SITH are revealed. 相似文献
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文章提出了用硅-硅直接键合(SDB)工艺替代静电感应晶闸管(SITH)中的二次外延,有效地提高了栅阴极击穿电压,增强了通过栅极正向阻断阳极电压的能力。对键合过程中硅-硅界面进行了研究,提出了提高界面质量的工艺措施;同时,给出了控制栅阴极击穿电压一致性的方法。对采用此方法制成的SITH的I-V特性进行了测量,并给出了实际测试结果。 相似文献