离子刻蚀技术

在研究抗蚀剂上形成微细图形的刻蚀技术的同时,对真实地复印出所形成微细图形的加工技术进行了研究.其中利用了加速离子的直进性的离于刻蚀法,作为Si片加工工艺全干式化最有希望的方法,此技术正在进行广泛地研究.本文研究了利用离子的直进性和反应性沿单向刻蚀基片的反应离子刻蚀法,并叙述了最近的进展状况和存在的问题.     

硅的等离子体深腐蚀

湿法化学腐蚀已被广泛地应用于敏感器件传感结构的微细加工中.近年来,在VLSI中等离子体干法腐蚀已成为获得细线条图形的可行技术.然而,干法腐蚀工艺无论是等离子体腐蚀或反应离子腐蚀,相对于湿法腐蚀来说都是比较慢的.在需要深腐蚀的应用中(如电子束光刻的对准符号刻蚀,电路隔离槽或敏感器件的微细结构腐蚀)当前都着力提高腐蚀速率.在传感器的开发中,主要问题之一是封装,为简化到处于测量环境的传感器的外部连接,希望通过传感器背面进行连接.在化学传感器中,背面连接最为有利.因为假如所有的引线都     

活性离子刻蚀

<正> 一、干法刻蚀简介刻蚀是形成图形的必不可少的技术。长期以来,在半导体器件加工工艺中一直延用在化学药品溶液中进行腐蚀的湿法腐蚀,用于湿法腐蚀具有工艺再现性差,劳动强度大,以及不易形成自动化生产的弱点,因而近年来逐步被干法刻蚀所取代。干法刻蚀就是利用反应气体,离子或反应活性原子团进行的刻蚀,与湿     

反应离子刻蚀技术

本文综述了反应离子刻蚀技术的概况,引用了文献71篇。对反应离子刻蚀的机理作了简单介绍,并对刻蚀的方向性、选择性、均匀性和重复性,刻蚀终点的检测以及辐射损伤和污染等问题进行了讨论。列举了各种半导体金属和电介质材料的反应离子刻蚀方法以及这种技术在清洗表面加工及声表面波频率微调等方面的应用。     

于法刻蚀的进展

干法刻蚀技术已经成为集成电路、集成光路制造过程中的关键技术。干法刻蚀金属、介质和半导体使用气体刻蚀剂,而湿法刻蚀则使用液体。由于干法刻蚀较之湿法刻蚀具有化学成本低、环境污染小以及生产线容易自动化等优点,同时干法刻蚀的细线条清晰,以及良好的选择性和各向异性的刻蚀剖面,所以干法刻蚀工艺是当前盛行的加工工艺。     

反应离子刻蚀（RIE）Si3N4的研究

反应离子刻蚀工艺是微细加工的普遍工艺,用开制做各种集成电路。本文对用CF_4+O_2为反应气体RIE Si_3N_4进行了研究,取得了较好的结果。     

硅的深度反应离子刻蚀切割可行性研究

评估了使用深反应离子刻蚀工艺来进行晶圆的切割,用于替代传统的刀片机械切割方式。结果表明,使用深反应离子刻蚀工艺,晶圆划片道内的硅通过等离子化学反应生成气态副产物被去除,从而避免了芯片侧面的机械损伤。切割后整个晶圆没有出现颗粒沾污,芯片边缘没有崩角以及开裂等损伤。该工艺还可以适用于更窄的划片道切割要求。     

渗透刻蚀技术

一 前言 随着半导体工业的发展,大规模、超大规模,集成电路中为了提高成品率,提高集成度,对细微线条加工技术的要求愈来愈高,因此相继出现了电子束曝光,x射线曝光等,而干法光刻工艺也是这个方面的一个新工艺,它具有高分辨率,工艺简单,操作方便,针孔少等特点,省去了大量贵重而且对人体有害的化学药品——丁酮,因此各个单位对于干法渗透刻蚀都很重视。     

硅传感器反应离子刻蚀的观察

六十年代发展起来的微电子技术,已大大影响了人类社会的面貌,而由微电子技术与机械学相互交叉而诞生的微机械技术,正成为一项新的产业。微电子技术以硅的平面加工技术为主,其制造工艺一般在表面几十微米以内。而微机械的厚度(或深度)往往达到几百微米,因此,必须研究硅的深加工技术以适应微机械的需求。本文以制作一种以玻璃为衬底的单晶硅叉指电容式加速度传感器为目的,开展了离子刻蚀技术的研究[1]。硅的反应离子刻蚀是一个复杂的辉光放电等离子体物理一化学作用过程。该技术早期存在刻蚀速率低,不能获得高的深宽比,掩膜选择比不高等技术障…     

二氧化硅的反应离子刻蚀

对电子束曝光和反应离子刻蚀(RIE)进行了研究。刻蚀使用JR-2B型溅射-刻蚀机,分别采用100W、150W、200W、250W、300W的功率,对SiO2进行了刻蚀,反应气为:CHF3,对影响刻蚀的射频功率以及压力、气体流量等工艺参数作了调整,得出了刻蚀速率与射频功率和压力之间、气体流量的关系曲线。实验结果表明:随着射频功率、压力的增大,刻蚀速率不断加快,在某一值上达到最大值。再继续增加射频功率、压力,刻蚀速率反而会下降。随着气体流量的增加,刻蚀速度不断降低。     

全自动反应性离子腐蚀装置及其在VLSI中的应用

目前LSI正在逐年地向高密度化发展,它为电子学的发展做出了巨大的贡献。其生产的主要关键是微细加工技术,它要求尽可能地按照由投影和缩小曝光等方法所形成的微细抗蚀剂图形进行腐蚀。以往的等离子腐蚀由于各向同性而产生钻蚀,故难以实现微细化。因此,迫切希望一种不产生钻蚀的各向异性腐蚀技术。这种各向异性腐蚀是利用电场加速CF_4等反应性气体等离子体中的离子,使其具有方向性并利用它们对样品(硅片)进行冲击而实现的。此方法的大部分过程都可用平行板辉光放电装置来进行,目前在批量生产线中已陆续被采用。当然,电化学反应(ECR)放电形式也是今后必须注意的一种方法。     

钛的反应离子刻蚀

本文介绍在扩钛条波导器件的研制中,对难熔金属钛的微细图形用CCl_4及辅助气体进行反应离子刻蚀的研究,并对如何提高刻蚀质量进行了分析讨论。     

反应离子刻蚀加工工艺技术的研究

反应离子刻蚀(RIE)选择性比较低,只能进行各向异性刻蚀,刻蚀特征尺寸小于3 μm,无危险化学试剂,但有危险气体和射频功率等安全风险.介绍了反应离子刻蚀技术的基本原理,探讨了聚酰亚胺、氮化硅、二氧化硅、铝和多晶硅薄膜材料刻蚀的工艺处方,研究了RIE草地现象形成机理,给出了避免草地现象的工艺措施.     

干法腐蚀和铝的反应离子腐蚀

本文在介绍几种主要的干法腐蚀工艺过程中,指出了因文献中名词术语不统一而造成的互相混淆的现象,建议把“刻蚀”和“腐蚀”加以区别。文中着重介绍了反应离子腐蚀,并结合几个具体实例对铝的反应离子腐蚀进行了比较详细的介绍。     

四氯化碳等离子体腐蚀铝的若干特性

在集成电路结构中,广泛采用铝作为互连线。随着大规模和超大规模集成电路的发展,同对其它结构层的要求一样,需要对铝膜进行窄线条小间距的精细蚀刻;此外,作为互连线,必须保持一定的电流容量,因而要求Al条具有较小的宽度与厚度比。显然,常规的湿法化学腐蚀是不能满足这些要求的。因此,近几年来,许多人对铝的干法腐蚀进行了广泛的探索,以寻求适用于高集成度的电路中铝刻蚀的理想工艺。 目前研究的干法工艺中有离子束腐蚀、射频溅射腐蚀,反应离子腐蚀(或称反应溅射腐蚀)和等离子腐蚀等四种。前两种方法由于设备庞大复杂,腐蚀速率小,选择性差,离子轰击损伤大等缺点,因而较少采用。报导较多并有成熟     

新一代腐蚀技术

日本电气学会杂志1989年第3期报导,日立制做所采用热分子束法开发了极低损伤、高选择性微细加工干法腐蚀技术。目前半导体器件制做中通常采用等离子腐蚀法。但等离子刻蚀中的高能(20～1000eV)粒子和电荷粒子不可避免地会引起表面损伤,随着集成度不断     

一种制作亚微米线条的有效方法

本文介绍利用普通接触式曝光系统和等离子刻蚀机来制作亚微米线条。基本工艺是用深紫外线作为光源，对曝光后的光刻胶在ＨＭＤＳ或ＴＭＤＳ气氛下加热处理，然后采用氧反应离子刻蚀，结果可得到０．７微米的光刻胶线条，其端面完整、侧壁陡直，非常适合于大规模集成电路制造中的剥离工艺。     

离子束溅射刻蚀

离子束溅射刻蚀、离子刻蚀、离子铣以及离子磨削等实属同一概念。离子束能刻蚀任何材料并能加工精细的几何图形。其刻蚀精度仅取决于光刻的水平及其掩膜的性质。目前,离子束溅射刻蚀已能加工出80埃的线条,而化学腐蚀所能达到的极限则为2微米线宽,且有边界轮廓模糊不清、钻蚀、沾污等缺点。离子束溅射刻蚀最突出的优点是窗壁的角度可以控制。这是通过选择入射角度和旋转靶子来完成的,这对金属化覆盖台阶来说极为重要。例如,对镍铁合金,当离子束以0～15度的入射角射到旋转着的靶板时可刻蚀出近于垂直的壁,而其它相关的刻蚀工艺都不能控制窗壁的角度。     

反应离子束刻蚀应用于光刻胶灰化技术研究

以AZl500光刻胶为例，将氧气作为工作气体的反应离子束刻蚀工艺用于光刻胶图形的灰化处理，以去除经紫外曝光-显影后光栅中的残余光刻胶。研究结果表明灰化速率有随束流密度呈线性增加的趋势。经过反应离子束刻蚀后，光栅槽底残余光刻胶被去除干净，同时线条的宽度变细，在一定程度上达到修正光刻胶光栅线条占空比的目的。用原子力显微镜检测，无光刻胶的K9基片表面在灰化工艺前后其粗糙度无明显变化。该工艺具有良好的可控性，解决了在厚基片上制作大口径衍射光学元件时残余光刻胶的去除问题。     

PCR生物芯片微反应腔的制作及其热分析

在PCR生物芯片的制作过程中 ,微反应腔制作是关键部分之一。本文利用硅基微机械加工工艺 ,分别采用湿法化学腐蚀、干法等离子体刻蚀及两者相结合的方法进行了微反应腔的制作。通过扫描电镜分析 ,证明干法和湿法腐蚀相结合的制作工艺能加工出较理想的微反应腔体。本文还利用ANSYS软件对微反应腔进行温度分布和热特性分析。