用激光加强半导体加工

半导体工业几乎没有一个星期不宣布一些激光的新应用。本文报导的进展包括用激光制作半定制的集成电路片和书写刻线片。     

半导体器件的激光诊断和光化学处理

微电子技术的一种新方法,就是采用激光既作直接加工工具又作为诊断手段。例如,用紫外激光在半导体和绝缘基片上直接淀积亚微米宽金属线。另外,在化学汽相淀积反应过程中,已用激光控制反应形式和化学的动力学过程。激光在这些方面的应用研究在第一届半导体器件的激光诊断和光化学处理会议和1982年11月在美国波士顿召开的材料研究学会年会上作了详细介绍。林肯实验室Dan Enrlich等谈到有关高分辨激光加工的局限性。他们强调指出,非线性过程在制作特征尺寸比光波长小     

新型的注入激光器

美国休斯研究实验室首次在采用离子注入作为掺杂技术制作的砷化镓二极管上获得激光作用。该实验室研究人员把这一进展视为在半导体单片上将集成光电路和激光光源相结合的一个步骤。为了实现这一目标,他们认为必须把激光光源的光耦合到光集成电路的窄波导中。用离子注入技术制作的激光器的非常浅的结特别适用于这个方面。     

半导体激光器与驱动电路的单片化

日本日立中研研制出GaAs系半导体激光器与驱动用FET集成化的光电子集成器件。该器件具有高速工作、高可靠性、低噪声等优点。半导体激光器和FET是用MO-CVD法进行晶体生长,用10比1的缩小投影曝光装置制作。该器件把半导体激光器、驱动电路、监测用探测器、监控输出电路等集成在0.9×2mm芯片上。     

半导体材料的激光处理

利用高功率激光加工各种材料已得到迅速发展和广泛应用,其中较成熟的有打孔、切割和焊接,仍在研究中的包括表面合金、激光冲击硬化和激光上釉。最近,利用激光处理半导体材料和制作各种器件引起人们的广泛注意。一、激光退火概况从1977年起国外盛行研究用激光代替电炉退火,现已能用激光退火半导体单晶缺陷,并取得一定成效。最近,还把激光退火作为实     

日本的兆位技术

兆位规模DRAM需要无数的新技术，包括从3D结构到形成的SIGe源和漏等各种技术。查阅了在1997年年底国际电子器件会议上发表的最新论文，发现许多创造性的方法需要用0．15pm几何图形制作器件。日本的半导体制造厂商的研究和开发主要集中在先进的DRAM嵌入式DRAM和非易消性存储器（     

降低肖特基势垒高度的途径探讨

通过深入地分析影响金属－半导体肖特基势垒的各种因素,探讨了几种降低肖特基势垒高度的途径,其中,特别是通过汽相激光诱导化学掺杂技术在金属－半导体界面上制作一足够薄的高掺杂层,可以使肖特基势垒高度得到显著降低。这种技术的应用,对在ＰｔＳｉ／Ｓｉ界面上制作超浅结和半导体器件中制作良好的欧姆接触提供了广阔的应用前景。     

一种新的半导体晶体生长方法——气相悬浮外延

美国贝尔研究所的H. Cox和S. Hummel发明了气相外延技术的一种变型技术，即如图所示的气相悬浮外延法。目的是研制光通信用长波长光源(半导体激光器和发光二极管等)，可制作光纤传输损耗最低的1.55 μm波长用光学元件。该方法中,将一个圆片悬浮在啧气咀上，在两个晶体生长位置处往来，制作多层超薄膜晶体。     

移动式激光光反射折射透镜成像演示组合装置

移动式激光光反射折射透镜成像演示组合装置,由安装磁性底座的半导体激光发射器,安装磁性底座的配套用的光学组具,亲磁性示教板,水平、垂直量尺和光屏等组成。半导体激光发射器包括能发射一束光线的半导体激光发射器和能发射两束光线的半导体激光发射器。使用时,半导体激光发射器和光学实验配套用的光学组具,通过磁性底座吸附在亲磁性示教板上、可任意移动组合成各种光学演示实验。不需暗室,可在教室演示光的直线传播、光反射、光折射、透镜成像规律以及光的干涉、衍射等50多个光学实验。     

激光诱发前向转移技术在电子制造领域的应用

激光诱发前向转移是基于激光的诱导作用实现微量物质转移的技术.转移过程中激光与薄膜材料发生相互作用,使薄膜从源透明基板上剥离,转移到目标基板上,发生转移的薄膜最终在目标基板上发生沉积.作为微细加工的一种手段,激光诱发前向转移技术具备制作微小结构的能力,能实现金属、有机物、半导体和生物材料等多种材料的转移和图形制作,在电子制造领域有着广阔的应用前景.     

在Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体上制成超晶格光波导

最近，松下电器公司光半导体研究所以有机金属气相外延（MOVPE)法开发Ⅱ-Ⅲ族化 合物半导体的超晶格制作技术，以此在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaAs上形成100层Ⅱ-Ⅵ族 的ZnSe/ZnS超晶格层。用这一超晶格层制出负载型光波导，以H&Ne激光入射，第一次成功地做了超晶格三维可见光波导实验。     

CLEO’88会议的固体激光器

国际激光与电光会议是由电气和电子工程师协会的激光和电光学会和美国光学协会(协同欧洲物理学会量子电子学分部和日本量子电子学联合组)主办的大型国际学术会议(简称CLEO会议)。今年是它的第八届会议,在美国西部加州的Anaheim市召开(4月25日～29日)。会议期间,同时举行技术展览会,参展的单位有300家。会议前一天,有一次短期讲座,内容包括激光的基本原理,激光在工业和工程上的应用;光学材料的基本特性;超快速光电子学;超短脉冲(10~(-12)s)的产生和测量,二极管激光器;光学相位共扼;半导体     

理化学研究所采用激光开发微细沟道加工技术

<正>据日本《O Plus E 》1991年第142期报道,日本理化学研究所开发新的无抗蚀剂腐蚀技术,通过激光在GaAs衬底上加工微细沟道。利用激光在衬底上产生表面等离子波及其干涉,成功地制成了线性图形。今后可望应用于制作量子线器件等高性能半导体激光器。     

SLM—700小型YAG激光加工机

该装置是用半导体激光激励的YAG激光器作为光源,能发出包括266 nm等四种波长激光,在加工中达到实用水平,它是世界上最早的正式的微细加工系统.     

激光提纯硅烷

在激光工程和应用会议上，洛斯·阿拉莫斯科学实验室的克拉克在他的特约报告中讨论了用激光提纯硅烷的最新数据。更纯的硅烷将为半导体工业提供方便，它能提高产量，从而每年节省髙达1亿美元的费用。     

半导体激光器的两种军事应用

由于新调制技术及激励电路的发展,半导体激光在军事技术的应用逐渐广泛,特别可以用在直视能见度范围内的短距离便携式瞄准器上。     

简讯

简讯冲电气工业公司成功地将半导体激光器直接粘合在硅基片上，在室温下获得连续发光。用简单方法将半导体激光与硅合为一体，还同无先例。公司运用这一成果，在将来有可能把ＰＣ机之类电子设备内部的连接大规模集成电路芯片的电布线代换成高速的光布线。（思源）日立制作...     

采用硼化合物的蓝绿光半导体激光器

目前世界范围都在积极研究发射蓝绿光的半导体激光器制作。短波长激光的高效产生引发了众多引人注目的应用，如光数据存储、印刷技术、彩色显示技术、医学、以至分析和传感。以往短波激光二极管都是以Ⅱ-Ⅵ族半导体ZnSe和Ⅲ-Ⅴ族半导体GaN基材料制成。现在维尔茨堡大学则用新材料制成绿光激光器。该校多年来一直在研究Ⅱ-Ⅵ族半导体的制作和物理特性。除基础研究外，对ZnSe激光器的应用研究越来越引起重视。在此领域，该校一方面制作和优化传统材料ZnMgSSe绿光激光器。在W．Faschinger教授的带领下，取得了举世瞩目的成就。重点是在分…     

激光微加工技术辅助制造

在以前的一系列文章中探讨了激光技术辅助半导体制造的许多方面,如光刻、计量、晶片测试和检查,以及电路修复．由于半导体工业进一步向小型化方向发展,因而半导体加工中仍将继续采用激光装置来制作许多商品中的集成电路（IC）．采用传统方式的加工技术,如打孔、焊接和切割,都必须加以小型化以便能加工基片或晶片上的电路．机械切削、打孔、焊枪及锯子等并不能在很小的工件上运用．本文探讨采用激光替代这些加工工艺时三个方面的应用：制造柔性电路（flexiblcircuits）时材料切除、焊接和打孔。1柔性电路柔性印刷电路是印刷电路板与连…     

中国电子学会半导体激光技术交流会于长春市召开

在新长征路上,在向四个现代化进军的伟大号召鼓舞下,中国电子学会为了促进我国半导体激光技术的发展,于1978年8月14日至19日在长春市召开半导体激光技术交流会。长春市半导体厂、长春市无线电二厂及四机部1444所受委托负责筹备了这次会议。在吉林省委、长春市委及省、市电子