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用解析模型拟合太阳电池I—V特性的实验数据 总被引:5,自引:1,他引:4
采用单指数和双指数形式太阳电池理论模型对太阳能电池的I-V特的实验数据进行拟合,其最大相对误差为0.65-0.23%,均方根差为2.5mA-6.3mA。获得了重要特定参数的拟合值,拟合精度接近多项式模型的结果。 相似文献
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通过对二线与四线接法测试单晶硅太阳电池I-V曲线的实验结果对比,分析串联内阻对于太阳电池短路电流、开路电压、填充因子及最大输出功率测量结果的影响。结果发现串联内阻越大,太阳电池的短路电流、填充因子及最大输出功率测量结果越小,但对开路电压基本无影响。且太阳电池接收光强越大即输出电流越大时,串联内阻的影响也越大。二线法因串联内阻较大,相较四线测量方法,在光强分别为1160.69、734.61、470.15和232.14 W/m2时,最大功率降幅分别为64.73%、40.26%、22.98%、11.88%;填充因子降幅分别为64.10%、40.96%、22.22%、12.66%。表明内阻大小影响二线及四线测量结果,四线法测量方式能有效规避串联引线电阻和部分接触电阻,是较理想的测量方式。 相似文献
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为解决太阳电池双二极管模型中参数辨识准确度低的问题,基于烟花算法提出一种新型的参数辨识方法。该方法模拟烟花的爆炸过程,在条件范围内进行局部寻优,选取一定数量的最优火花进行下一轮迭代,火花将逐渐搜索整个解空间直到找到满足条件的最优解。测试双晶硅太阳电池KC200GT,采用烟花算法获取参数的平均绝对误差为0.0152,遗传算法和粒子群算法的平均绝对误差分别为0.3548、0.2374。实验结果表明:提出的基于烟花算法的太阳电池参数辨识精度明显优于遗传算法及粒子群算法,可为太阳电池的参数辨识提供一种新方法。 相似文献
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太阳电池直流模型的计算机仿真 总被引:1,自引:3,他引:1
太阳电池特性由材料、设计和工艺决定,太阳电池直流模型则可描述其电特性。现有的测试方法不能直接测出模型参数,但容易获得太阳电池片实测I—V数据,采用最小二乘法拟合出模型参数,就可以建立模型参数与制造工艺的直观联系。本文对提高模型拟合的速度及精度的实现方法进行讨论,在计算机上实现快速拟合。 相似文献
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对太阳电池I-V曲线进行拟合的数论方法 总被引:6,自引:0,他引:6
以太阳电池等效电路为数学模型,提出一种采用数论方法拟合I-V曲线的新方法。该方法的基本过程是:先在C∧s上建立glp集合的数论网格,然后确定拟合参数θ的初始范围[a,b],再把该数论网格映射到[a,b]上,从而获得[a,b]内实数意义上的均匀分布的参数可取值θ,接下来利用目标函数选取最优的参数可取值θ,其寻优过程可反复进行,直到满足给出的拟合精度,以这些满足拟合精度的参数作为最后的拟合参数。该方法对拟合模型没有任何限制,拟合精度可在要求精度范围内任意控制,具有很广的应用领域和实用价值。 相似文献
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报道了多晶硅太阳电池材料的光致发光理论和实验研究结果.给出了多晶硅样品光致发光相对强度的二维扫描记录和晶粒边界附近相对发光强度及相差变化的实验曲线. 相似文献
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报道了多晶硅太阳电池材料的光致发光理论和实验研究结果。给出了多晶硅样品光致发光相对强度的二维扫描记录和晶粒边界附近相对发光强度及相差变化的实验曲线。 相似文献
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AFORS-HET软件模拟N型非晶硅/p型晶体硅异质结太阳电池 总被引:2,自引:0,他引:2
运用AFORS-HET程序模拟计算了不同本征层厚度、能隙宽度、发射层厚度、能带失配以及不同界面态密度等参数对N型非晶硅/p型晶体硅异质结太阳电池光伏特性的影响.结果表明,在其它参数条件不变的情况下,插入较薄本征层,转换效率增加,但本征层厚度继续增加时,短路电流密度减少、效率也随之降低.本征层能隙宽度的变化对短路电流影响很大,随能隙宽度增加,短路电流先增加,但当能隙宽度大于某一特定值时,短路电流开始下降.在不插入本征层的情况下,N型发射层的能带失配对短路电流几乎无影响,而开路电压随导带失配的增大逐渐增大,界面态密度会导致开压迅速下降. 相似文献