电子式直流电度表用霍尔元件功率传感器

主要叙述了该传感器的工作原理、结构设计及制造工艺;传感器的性能和测试方法等。图6,参9。     

霍尔位置传感器鉴定会

沈阳仪器仪表工艺研究所研制的无刷直流伺服电动机用霍尔位置传感器于1983年12月26日～28日在上海召开了鉴定会。受机械工业部仪表局委托,沈阳仪器仪表工艺研究所主持了会议。参加会议的有11个单位16名代表。该项目经过两年多的研究,解决了用霍尔元件制造无刷直流电机用霍尔位置传感器的结构设计、制造工艺和性能测试方法等关键技术问题。该传感器在国内具有先进技术水平,在国际上达到了日本横河电机制作所七十年代后期同类产品的水平。其主要技术指标为:1.输入、输出电阻值,1kΩ左     

霍尔功率传感器研究和应用

为提高机床生产效率和控制技术水平,实现机床快速趋近发讯(间隙消除)和功率(切削力)适应控制,高性能功率传感器的研究一直为人们所关注,尤其是进入80年代后随着微电子技术的发展和机床控制系统的迫切需求,功率传感器的研究再度兴起,霍尔功率传感器是利用霍尔元件作为敏感元件检测电路有功功率的传感器,该传感器输出与有功功率成正比的模拟电压,具有灵敏度高,线性度好,快速响应,抗干扰能力强,主电流隔离等优点,是一种可用于     

基于霍尔元件的数字式霍尔电流传感器设计北大核心CSCD

为了进一步提高数字式电流传感器的测量量程,基于霍尔效应提出了一种数字式霍尔电流传感器的设计方案。利用有限元分析软件对磁芯的磁场分布情况进行仿真分析,得出不同电流激励下磁芯中磁场的分布情况。针对直流电流情况下磁芯气隙中磁场分布不均的问题提出楔形气隙结构的优化方法,仿真结果表明该结构可以有效改善气隙中磁场分布不均的问题。设计传感器样机,通过实验分析了所设计的电流传感器的有效量程及测量误差,实验结果与仿真结果相符。     

硅霍尔元件

一、原理和用途简介硅霍尔元件,是用N型单晶硅制做的一种磁电变换器件。其外形如图所示:它是在一块平行六面长方单晶薄片上安装ab和cd两对电极而构成的。电极ab称控制极,通以电流I(作     

霍尔式功率传感器的研究和应用

随着机床自动化的要求，各类传感器在机床上的应用日益广泛，霍尔式功率传感器的研究和在机床上的应用研究近年有所发展。本文介绍了自行研制的ＨＰＴ—３型霍尔式功率传感器的简要原理和性能，并与美国ＬＯＡＤＣＯＮＴＲＯＬＳＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ的ＰＨ—３Ａ型功率传感器进行对比试验和机床应用试验，得到满意效果。     

双霍尔元件磁敏电流传感器的研究

采用双元件双气隙的方法制做的电流传感器大幅度降低了传感器的非线性度和位置误差,提高了传感器的抗干扰能力与量程范围。本文还建立了双元件电流传感器输出霍尔电压的理论计算模型。     

霍尔传感器

本文研究了锑化铟外延结构的霍尔传感器,其磁感应强度一直到17特斯拉以前,霍尔常数均不随磁感应强度而变。工业生产的霍尔传感器采用单晶和在半绝缘的砷化镓基底上生长外延层两种型式。单晶型霍尔传感器制做时,磨光工序是十分费     

高精度n-GaAS霍尔元件

日本科派尔公司研制TC-8101型的霍尔元件附有采用核磁共振法校正的技术数据,克服了原有的缺点。元件在指定控制电流下使用时,不必采用标准磁场等其它的校正方法。另外,它既能在绝对校正状态下进行测量,又具有其它类型霍尔元件所不具备的高性能、高可靠性。特性:1.在极低温、高磁场情况下,能发挥高     

高灵敏度InSb霍尔元件

本文介绍了高灵敏度、低价格薄膜Insb(锑化钢)霍尔元件的原理、结构、制造工艺流程及其性能。     

砷化镓霍尔元件投入市场

日本松下电子公司正把高灵敏度和高稳定性的砷化镓霍尔元件投入到霍尔元件市场。这是他们刚刚研制出来的新型敏感元     

霍尔元件及其应用

一、霍尔元件的基本原理如图1所示,如果把一片通有电流的n型半导体片子放在磁感应强度为B的磁场中,当电流Ⅰ沿着垂直于磁场的方向通过的时候,那么在垂直于磁场和电流方向的半导体片子的两侧面之间将产生电位差V_H。这个现象是霍尔在1879年首先在金属中发现的,因此称为霍尔效应。     

霍尔效应与霍尔传感器

<正> 一八七九年美国物理学家霍尔(Edwin Herbart Hall)发现,把载流体置于磁场时,载流体中电流方向与磁场方向如果不相同,则载流体平行于电流方向与磁场方向所组成平面的两个侧面将产生电位差。这个现象后来被称为霍尔效应。两侧面间的电位差称为霍尔电势。这样的载流体称为霍尔元件。     

霍尔角位移传感器

本文简述角位移传感器的原理、结构、霍尔元件的选择及温度补偿方法。     

霍尔电流传感器

本文介绍了该所研制的霍尔电流传感器的基本工作原理,主要性能和使用情况。     

集成霍尔传感器

集成霍尔传感器一般做成硅集成电路型式,用作自动化技术中的测量元件。但是,用硅单晶制做的霍尔传感器在许多性能方面比不上A~ⅡB~Ⅴ族化合物的模拟器件,如灵敏度、快速性、线性度、温度稳定性、噪声级、工作温度区宽度等特性均较差。A~ⅡB~Ⅴ族薄膜型半导体霍尔元件是最有发展前途的,可是用A~ⅡB~Ⅴ族半导体只能做成简单的分立器件,不能制得相应的集成电路。为此,希望得到这样一类集成磁敏器件,它们兼有A~ⅡB~Ⅴ族半导体霍尔传感器和硅集成电路二次转换器的综合功能。这类     

霍尔元件工艺与特性

霍尔元件是利用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体砷化铟单晶材料制成的。元件制作工艺采用了真空蒸镀、真空合金电极及良好的导热封装。元件具有内阻小、功耗小、输出功率大、控制电流大、噪声系数小、零漂小、良好的温度特性和结构牢固等特点。目前已被应用于测量磁场、测量超低温下的磁场,以及在功率计、电流计和转速计中得到应用。本文着重介绍我所研制的霍尔元件的制作工艺及其特性。     

霍尔元件的误差电势

本文分析了霍尔元件各种误差电势的影响,它门之间的关系,以及降低和消除这些误差电势的方法。     

砷化镓霍尔元件的研制

一、前言砷化镓霍尔元件具有温度特性好、稳定性好、灵敏度高,使用磁场范围宽等优点;用平面工艺容易成批生产。所以,自在高阻砷化镓衬底上制得低阻砷化镓外延层以来,该材料在磁电元件领域中的应用发展很快,砷比镓霍尔元件正在发展成为霍尔元件的代表性产品之一。这里介绍的砷化镓霍尔元件是在国外研究的基础上,对制造工艺进一步分析之后,提出了在蒸镀电极金属和进行台面腐蚀时不预先制备二氧化硅掩蔽膜,通过掩膜版和光刻胶膜进行选择性腐蚀的工艺流程,使工艺简化,节省了设备,降低了元件成本。     

霍尔元件温升的测量

为了确定霍尔元件的额定工作电流或热阻,必须知道元件因工作电流所引入的温升。本文介绍一种比较准确测量霍尔元件温升的方法。一、原理霍尔元件为体效应器件,其电阻率与温度呈一定的关系。利用这一关系可以得到元件加以工作电流后,所引入的温升。这和二极管或三极管的温升,是利用正向阈值电压和温度的关系来间接测量是相仿的。我们首先测量出元件的内阻(反映了电阻率)与温度的关系,如图1所示。然后再