溅射气压对TiO2薄膜结构性质的影响

用射频磁控溅射技术在双面抛光的石英玻璃(SiO2)基底上沉积Er3+/Yb3+掺杂的TiO2薄膜,利用RBS背散射分析技术和X射线衍射技术研究溅射压强对薄膜结构性质的影响.结果表明:随着压强增加,成膜速率缓慢下降,且压强增大到一定数值之后对成膜速率的影响会逐渐减弱;随着压强增加,薄膜晶粒变大,晶粒间界变小,晶化质量提高.当溅射压强2.0Pa时,晶粒尺寸最大为64nm;适当降低溅射压强有利于提高薄膜的沉积速率,但是压强值也不能过小,否则会影响薄膜的晶粒尺寸大小,降低薄膜的结晶质量.     

工作气压对氮化硼薄膜场发射特性的影响

利用射频磁控溅射方法，在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜，并在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性．研究发现，沉积时工作气压的变化对BN薄膜的场发射特性有很大影响，工作气压为2Pa时沉积的BN薄膜样品的场发射特性较好，其阈值电场为6V/μm，场发射电流为320μA／cm^2．F—N曲线表明，在外加电场的作用下，电子是通过隧道效应穿透BN薄膜表面势垒发射到真空的．     

热处理温度对TiO2薄膜性能的影响

采用直流反应磁控溅射法在玻璃基片上制备了TiO薄膜，靶材为纯度99．9％的钛靶，溅时基片不加热。XRD结果显示，所得TiO薄膜的晶型为锐钛矿相；SEM结果显示，随着热处理温度的增加TiO薄膜晶粒尺寸增大，光催化性能显示，经过500℃热处理1h后的TiO薄膜具有较好的光催化效率。     

工作气压对TiO2薄膜结构的影响

用射频磁控溅射方法以纯金属钛做靶材在氩氧混合气体中制备了TiO2薄膜，Raman光谱测量表明，工作气压从0．2Pa变化到2Pa时，TiO2薄膜的结构由金红石相变化到锐钛矿相，厚度对TiO2薄膜结构没有明显影响．     

溅射时间对CIGS薄膜的结构及性能影响

选择铜铟镓硒(CIGS)四元合金靶材,采用一步磁控溅射法在钠钙硅玻璃衬底上制备CIGS薄膜。重点研究了溅射时间对CIGS薄膜结构及性能的影响。采用XRD、SEM、UV-Vis及四探针测试仪对薄膜进行表征。结果表明,随着溅射时间的增加,薄膜增厚,薄膜的结晶度变好,颗粒增大尺寸约1mm,电阻率明显降低,可见光的吸收系数接近105 cm-1。CIGS吸收层的性能对改善CIGS薄膜光伏电池的光转换效率非常有利。     

MOD法制备SrBi2Ta2O9铁电薄膜及其性能研究

在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上,用金属有机物分解法(MOD)制备了SrBi2Ta2O9(SBT)铁电薄膜.研究了SBT薄膜的晶体结构,表面形貌以及它的电学性能,结果表明SrBi2Ta2O9铁电薄膜具有良好的抗疲劳特性,在经过109次极化反转后其剩余极化强度Pr变化不大,约为3%,并且漏电流较低,在测量电压为1V时,漏电流密度为5.73×10-8A/cm2.     

不同溅射时间下AlN缓冲层对ZnO薄膜的影响

实验采用射频磁控溅射技术,制备了不同溅射时间下AlN缓冲层的ZnO薄膜,研究了薄膜的结构、形貌及电学性能.结果表明,不同溅射时间下AlN缓冲层ZnO薄膜的生长依然是(002)择优取向,而且当缓冲层溅射时间为60min时,ZnO薄膜的结构和电学性能最好.     

不同溅射时间下AIN缓冲层对ZnO薄膜的影响

实验采用射频磁控溅射技术,制备了不同溅射时间下AIN缓冲层的ZnO薄膜,研究了薄膜的结构、形貌及电学性能.结果表明,不同溅射时间下AIN缓冲层ZnO薄膜的生长依然是(002)择优取向,而且当缓冲层溅射时间为60min时,ZnO薄膜的结构和电学性能最好.     

(Ba,Sr)TiO3铁电薄膜制备技术及其研究进展

(Ba,Sr)TiO3(简称BST)铁电薄膜较传统的铁电材料有高介电常数、高击穿场强、快响应速度、居里温度可调等优点,在DRAM、微波调节器等领域具有广阔的发展前景,是目前国际上新型功能材料研究的热点之一.通过对铁电薄膜及其制备技术研究新进展的综合评述,就BST的微观结构、性能及应用,深入分析BST铁电薄膜主要制备技术的优缺点,指出了目前铁电薄膜及其制备技术研究中应注意的问题.     

氧分压对TiO2薄膜微观结构与光吸收性能的影响

采用直流磁控溅射法在不同氧分压下制备TiO2薄膜;研究氧分压对TiO2薄膜的表面形貌、晶体结构、化学组分及光吸收性能的影响。研究结果表明：Ti在所有样品中均以＋4价态存在：随着氧分压的增大,TiO2薄膜颗粒逐渐变大,薄膜的结晶质量随着氧分压的增大逐渐提高;在吸收光谱中,300nnl附近的紫外吸收峰随着氧分压的增大而减弱,在330-465nnl范围内出现1个吸收谷,且该吸收谷随着氧分压的增大而减小,当氧分压达到0．8Pa时,吸收谷基本消失。     

Photocatalytic Activities of Amorphous TiO2-Cr Thin Films Prepared by Magnetron Sputtering

Chrome-doped titanium oxide films were prepared by reactive magnetron sputtering method. The films deposited on glass slides at room temperature were investigated by atom force microscope, X-ray diffractometer, X-ray photoelectron spectroscopy, UV-Vis spectrophotometer,the photoluminescence (PL) and ellipse polarization apparatus. The results indicate that TiO2-Cr film exists in the form of amorphous. The prepared films possess a band gap of less than 3.20 eV, and a new absorption peak. The films, irradiated for 5 h under UV light, exhibit excellent photocatalytic activities with the optimum decomposition rate at 98.5% for methylene blue. Consequently, the thickness threshold on these films is 114 nm, at which the rate of photodegradation is 95% in 5 h. When the thickness is over 114 nm, the rate of photodegradation becomes stable. This result is completely different from that of crystalloid TiO2 thin film.     

界面对PZT铁电薄膜性能的影响

利用射频溅射工艺,在低阻硅p-Si(111)基片上分别制备Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)和PZT/LaN iO3(LNO)薄膜,样品在大气中进行650℃/15 min后热退火处理.用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)等手段分析不同衬底与PZT薄膜之间的界面对薄膜微观结构和铁电性能的影响,实验结果分析表明,即使溅射工艺相同,在p-Si和LNO/p-Si上外延生长的PZT薄膜结晶取向、晶颗大小和表面平整度存在很大差异,薄膜与底电极间的界面明显地影响PZT薄膜的微观结构和铁电性能.     

直流磁控溅射制备铝薄膜工艺参数

采用直流磁控溅射法,在硅基片上制备铝薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射仪(XRD)等对薄膜的表面形貌和结构进行了分析,研究了不同工艺参数对薄膜表面形貌的影响,分析了制备铝薄膜的影响因素.分析结果表明该薄膜为纯铝薄膜,并且晶粒很小.实验得到制备铝薄膜的工艺参数为:本底真空度4.0×10-4Pa、工作真空度1.7 Pa、氩气流量20 cm3/s、工作电压300 V、工作电流1 A.     

NiFe层厚度对薄膜磁阻性能的影响

用直流磁控溅射方法制备了以Ta为缓冲层的Ni80Fe2O薄膜。研究了NiR层厚度对薄膜电阻变化量△R的影响。实验发现△R随NiFe厚度先变大后减小，最大约为0．3Ω，当NiFe厚度达到140nm后△R趋于饱和。其变化的原因是NiFe厚度影响着晶粒尺寸和表面粗糙度，进而影响着电子的散射，使△R呈现上述的变化趋势。     

氮气流量对反应磁控溅射制备TiNx薄膜的影响

采用直流磁控溅射法,在S i基底上制备TiNx薄膜。研究了溅射沉积过程中氮气流量对TiNx薄膜生长及性能的影响。研究发现:在其它工艺参数不变的情况下,改变N2流量,薄膜的主要成分是(110)择优取向的四方相Ti2N。随着N2流量的增加,薄膜的厚度逐渐增加,薄膜粗糙度、颗粒尺寸和电阻率     

溅射法制备SmS薄膜的XRD研究

分别采用Sm2S3的单靶溅射法和Sm—Sm2S3的双靶溅射法，于单晶Si基板上制备了常温常压下稳定存在的S—SmS和M—SmS微晶薄膜，并采用卢瑟福背散射仪及薄膜X—射线衍射仪系统地研究了基板温度和溅射功率对薄膜微晶结构的影响规律。     

人工复合铁电薄膜的相变性质研究

建立3层铁电复合薄膜的理论模型,在G inzburg-Landau-Devonsh ire（GLD）唯象理论的框架下,引入局域分布函数描述不同材料间过渡层的性质,重点研究具有不同相变温度的铁电材料复合而成的铁电薄膜的相变性质.通过改变3种不同铁电材料的相变温度,计算复合铁电薄膜内部的极化强度分布和相变温度.研究表明：3种铁电材料相变温度的梯度变化导致了复合薄膜内部极化分布的梯度变化;在未达到薄膜的相变温度前,薄膜的平均极化强度的一阶导数出现了一个突降,造成了平均极化强度的极大降低;不同材料间过渡层厚度对薄     

磁控溅射法制备PET基纳米TiO2膜的XPS表征

利用磁控反应溅射法制备了PET基TiO2薄膜，并用XPS进行了组成结构表征。发现溅射生成的薄膜上存在着多种价态的Ti，No：NTi偏离化学计量比2，即在溅射过程中还能生成Ti2O3及TiO等组分。研究了不同工作压力、不同溅射气体对溅射生成的PET基TiOx膜的各组分百分含量以及氧钛比的影响，并分析了产生这种结果的可能原因和影响因素。     

磁控溅射制备Ti-Zn-O复合薄膜及其光学性质研究

TiO2是作为一种宽禁带半导体材料可作为紫外器件,但因其间接带隙结构、禁带宽度仅为3.0eV等特点,严重影响其应用范围。本文利用共溅射技术,通过Zn掺杂,在K9玻璃基底上制备了Ti-Zn-O复合薄膜,并研究了Zn溅射功率对其结构及光学性质的影响。结果显示：所制备的薄膜为ZnTiO3和不饱和TiO2的复合结构,随着Zn粒子的溅射能量增加,晶粒尺寸和表面粗糙度增加,并可将薄膜本征吸收边蓝移至3.61eV。     

Nb和Co掺杂对PZT铁电薄膜电性能的影响

用Sol-Gel法在ITO玻璃衬底上制备了不同比例Nb和Co掺杂的PZT铁电薄膜,薄膜呈以(1 0 1)为首要方向的多晶结构.测试结果表明:Co掺杂的PZT薄膜的剩余极化、矫顽场、介电常数和漏电流密度均大于PZT薄膜的相应值,但在1 mol%到10 mol%Nb掺杂范围内漏电流密度随着Nb掺杂比例的增加而减小,薄膜的剩余极化强度和介电常数也有所减小.