非挥发性记忆体Read Disturb测试方法的研究

DDF是一种高容量的NAND Flash。以DDF产品为例,研究和讨论了它的Read Disturb测试方法。受测试时间的限制,只能选择局部的存储区间进行DDF的Read Disturb测试。这样局部区间的测试结果是否能够代表整个芯片的性能,设计了一套实验,对这个课题进行了研究和讨论。依据非挥发性记忆体产品的特性,主要以阈值电压的分布为参考来评价DDF芯片性能的一致性和性能恶化趋势的一致度。最后的实验结果证明了这种测试方法的正确性和合理性。这种分析方法也可以用于其他非挥发性记忆体产品的其他可靠性测试项目的评估。     

PCB可靠性测试评估方法简述

印制电路板（PCB）技术向高密度、高集成化等方向发展,导致PCB可靠性问题日益凸显。针对PCB失效机理,并结合现有PCB标准及实践应用情况,详细介绍了3种PCB可靠性测试评估的方法——失效率预计法、加速试验预计法和试验鉴定法,以期为从业者开展PCB可靠性测试评估提供一定的帮助。     

光缆耐鼠咬能力评估方法研究

通过测量护套材料碎屑颗粒的体积,计算用于评估非金属材料耐鼠咬能力的标准化耐鼠咬指数,并介绍了根据鼠啃咬力大小的研究结果,采用合金材料制作的代表其平均啃咬能力的仿真鼠牙。使用仿真鼠牙,对常用的复合金属带进行了穿刺试验,以评估光缆耐鼠咬能力。     

基于阈值电压测试对Flash进行工程筛选及性能评估的方法

随着半导体技术的发展,对flash存储芯片的需求也在日益增加.本文介绍了一种pflash存储器的基本原理及其阈值电压的概念.详细介绍了对其阈值电压进行工程筛选的方法.研究了使用先进的自动化测试设备,通过阈值电压的测量,对flash器件的性能进行评估的方法.这些方法已成功运用于对flash器件的筛选和性能评估中.     

可焊性、焊接能力和焊点可靠性之评估和测试

文章主要在于明确可焊性、焊接能力和焊点可靠性三者之间的联系和区别,指出对它们进行评估和测试时其各自关注的主要特性和常见的评估和测试方法,同时简单介绍影响它们的关键因素。     

对模拟／混合信号测试系统稳定性的一种评估方法

近年来出现了很多新的半导体产品，如可以用于无线通信、过程控制以及实时控制系统的所谓嵌入式半导体器件就是其中一种，它将模拟和数字电路结合到一个器件内，这种技术又称为混合信号技术。数字电路和模拟电路坐在同一块芯片上对产品的“无缺陷”提出了挑战。对于数字部分，可以向电路施加一个给定的输入激励信号会得到一个离散且确定可知的响应信号。其测试稳定性可以通过SHM00 PLOT来找到最佳的窗口；而模拟信号则不同，给定输入产生的响应会在一个可接受范围内。这需要测试机能对模拟信号进行处理，得到所谓测试值，与给定的范围进行比较从而确定芯片的好坏。其测试稳定性的考虑就与数字测试有所不同。本文从一个实例得出一个评判混合信号测试模拟参数稳定性的通用方法。     

一种短数据阵列信号波达方向估计方法

针对传统子空间类算法在短数据测向的不足,提出一种基于稀疏信号描述的非参数最小均方迭代的幅度相位估计算法。该算法首先运用DAS波束形成对信号到达角进行初步估计,然后用最小均方误差准则及幅度相位估计算法( APES)对协方差矩阵进行迭代更新直至收敛。该方法能够在快拍数较少条件下进行DOA估计,且不需要估计信号源个数。理论分析和仿真实验表明其相对传统子空间类算法有较高的估计精度和分辨率。     

Data Randomization Scheme for Endurance Enhancement and Interference Mitigation of Multilevel Flash Memory Devices

In this letter, we propose a data randomization scheme for endurance and interference mitigation of deeply‐scaled multilevel flash memory. We address the relationships between data patterns and the raw bit error rate. An on‐chip pseudorandom generator composed of an address‐based seed location decoder is developed and evaluated with respect to uniformity. Experiments performed with 2x‐nm and 4x‐nm NAND flash memory devices illustrate the effectiveness of our scheme. The results show that the error rate is reduced up to 86% compared to that of a conventional cycling scheme. Accordingly, the endurance phenomenon can be mitigated through analysis of interference that causes tech shrinkage.     

小子样定数试验方案设计研究

为了使研制方和使用方承担的试验风险计算更为准确、明确,对风险计算方法进行了改进,对定数试验方案设计采用的风险相当原则合理性进行了研究,提出了军用装备验证试验的方案设计原则。     

基于硅纳米晶的非挥发存储器制备与存储特性

硅纳米晶非挥发存储器由于其卓越的性能以及与传统工艺的高度兼容性,近来引起高度关注。采用两步低压化学气相淀积(LPCVD)生长方式制备硅纳米晶(Si-NC),该方法所制备的硅纳米晶具有密度高、可控性好的特点,且完全兼容于传统CMOS工艺。在此基础上制作四端硅纳米晶非挥发存储器,该器件展示出良好的存储特性,包括10 V操作电压下快速地擦写,数据保持特性的显著提高,以及在105次擦写周期以后阈值电压(Vt)飘移低于10%的良好耐受性。该器件在未来高性能非挥发存储器应用上极具潜质。     

一种改进的内存数据库的恢复机制

内存数据库的恢复系统是影响系统性能的一个重要的方面.现有的恢复机制在记录undo日志方面I/O比较频繁,事物和检查点进程操作并发度不高,造成系统效率不高.在前人研究的基础上,提出了一种改进的内存数据库恢复机制,重新定义了恢复过程中用到的部分数据结构,提出了改进的记录日志和检查点进程的算法.改进机制使得恢复的效率得到进一步的提高.     

一种改善三栅分栅快闪存储器耐久性能的方法

基于三栅分栅闪存在擦除操作F-N隧穿停止时界面电场恒定的特性,提出一种动态擦除电压模型,该模型基于稳定循环操作后浮栅电位的理念,通过实时可监测的浮栅电位值来动态调节闪存器件擦除操作的工作电压,提升了三栅分栅闪存器件的耐久特性.从实际监测数据可以看出,为保持稳定的浮栅电位,浮栅擦除操作电压随着编程/擦除循环次数先快速增加,并在循环10 000次后逐渐趋于饱和.相对于传统的恒擦除电压方式,通过这种新的动态擦除电压方式,器件在经过100 000次循环编程/擦除后阈值电压的漂移从原始1.2V降低为小于0.4V,优化了器件耐久性的工作窗口约0.8V.     

操作电流对相变存储器单元疲劳特性的影响

基于中芯国际40 nm工艺制备的64 Mbit相变存储器,设计并进行了两组对比实验.分别使用不同幅值和脉宽的RESET电流脉冲对存储器单元进行疲劳操作,对相变存储器单元的疲劳性能与RESET操作电流的关系进行了研究.实验结果表明,存储单元的疲劳寿命和RESET脉冲幅值的平方呈反比关系,和脉冲宽度呈反比关系.在相变存储器的操作过程中,高阻态下的电阻值出现先减小后增大的漂移现象,这是因为操作电流会对相变材料组分产生影响,在相变材料层中会出现逐渐增大的孔洞,孔洞最终导致相变器件失效,与实验中高阻态阻值漂移现象相吻合,同时可以用来预测存储单元的疲劳寿命.