63.5 mm×127 mm英寸UT 1×光刻版的设计及制造

提出一种新的UT 1X光刻版规格:63.5mm×127mm,与原来的76.2mm×127mm的UT1X光刻版适用于同一种UltraTech步进光刻机.相应的光刻版数据处理以及夹具进行了调整.新规格的光刻版将127mm×127mm的基材的产出提高了一倍,加快了光刻版的生产速度,同时减少了废弃物的产生,有利于降低成本和环境保护.     

光刻版清洗工艺及设备研究

光刻版的洁净程度直接影响到光刻的效果,定期对光刻版进行清洗是保证光刻版洁净的必要手段。根据光刻版污染物的特点介绍了多种光刻版清洗工艺及相关设备的种类及组成．最后通过试验考查了工艺设备的使用效果。     

光刻版数据处理中的工艺涨缩问题

介绍了集成电路行业中在光刻版数据处理时的工艺涨缩问题，分别讨论了正涨缩和负涨缩问题，涨缩与反转处理的次序问题，尤其对位于版图边沿图形的涨缩进行了详细的讨论，并且提出了一种电子设计自动化软件的解决方案和实际结果。     

光刻版清洗工艺及设备研究

光刻版的洁净程度直接影响到光刻的效果,定期对光刻版进行清洗是保证光刻版洁净的必要手段。根据光刻版污染物的特点介绍了多种光刻版清洗工艺,并介绍了相关工艺设备的种类及组成．最后通过试验考查了工艺设备的使用效果。     

设计模式在光刻版清洗系统软件设计中的应用

设计模式代表了成功的可复用的优秀设计经验,在系统设计中引入设计模式将有效地提高系统的可扩展性和可维护性。在光刻版清洗系统软件设计中引入了设计模式,介绍了设计模式的概念及使用,描述了单件模式,策略模式和适配器模式在光刻版清洗系统软件设计中的应用。经实践检验,设计模式的应用,增强了设计的灵活性,提高了软件的可扩展性和复用性。该方法具有较高的理论和实践意义。     

普通玻璃光刻版对产品成品率影响的研究

介绍了半导体工艺中光刻版的重要作用,特别针对在实际工艺中使用普通玻璃材质光刻版对产品造成的成品率波动问题。通过对大量实验中失效现象的分析总结,找出波动产生的原因,并且根据实际采集数据进一步验证。最后得出结论:由于使用普通玻璃光刻版,使该产品的对位一直处于临界状态;当在单台设备上作业时,由于不存在设备之间的匹配问题,因而没有发生大规模的良率波动问题;但是,当使用多台设备交叉作业时,就不可避免地发生了良率的波动。     

光刻版图形处理过程的计算机仿真

采用有限状态机模型来仿真集成电路行业中光刻版图形的处理过程,涵括了层次处理、涨缩处理和反转处理。将不同的处理过程定义为相应的状态,将图形处理要求定义为输入条件触发状态转换。该模型已应用于光刻版数据处理的电子设计自动化软件。     

基于时序分析的光刻版清洗机运行效率提升方法

光刻版清洗机是典型的多轴运行类自动化清洗设备,清洗效率的提升是此设备的关键技术之一。介绍了一种基于时序分析的提升该设备运行效率的方法,实验证明此方法通过对控制时序的分析和优化,有效提升了设备的运行效率。     

全自动光刻版清洗机工艺原理与工作过程介绍

介绍了常用的光刻版清洗工艺,并详细讲解了全自动光刻版清洗机的工作过程。同时,简单介绍了为提高光刻版清洗效果而设计的浸泡系统、药液供给与循环系统和温控系统。     

PECVD淀积Si3N4作为光刻掩膜版的保护膜

采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)方法淀积Si3N4薄膜作为光刻掩膜版的保护膜,可以降低掩膜版受损程度,延长使用寿命.分析了Si3N4膜厚的选取要求,给出了PECVD淀积Si3N4膜的工艺条件.实际制作了带有Si3N4保护的光刻掩膜版,并与不带Si3N4保护的掩膜版的使用情况做了对比.结果表明,带有Si3N4保护的光刻掩膜版的使用寿命可明显延长2倍以上.     

传统光学光刻的极限及下一代光刻技术

分析了传统光学投影光刻分辨力的物理极限,介绍了国内外各大器件和设备厂商、科研单位等为了突破这个物理极限而做出的努力;从原理、发展状况及优缺点等几个方面对比分析了下一代光刻技术,最后对未来几十年的主流光刻技术作出了展望。极紫外光刻、浸没式光刻和纳米压印光刻将作为主流技术应用到超大规模集成电路的批量生产中,电子束光刻可以在要求极高分辨力时和这几个主流技术配合使用。其他下一代光刻技术由于工艺不成熟、不能批量生产等原因,在近期还不具备占领光刻设备市场主流的能力。     

同步辐射光刻的X射线反射谱表征

采用X射线反射（XRR）谱对同步辐射导致的氧化物薄膜的刻蚀进行了在位测试,结果表明波长为0．154nm的单色X光在室温下可对MgO和Cr2O3产生轻微的刻蚀。与文献中大量报道的同步辐射X射线光刻及烧蚀不同．这是单色X射线光刻的首次报道。尽管刻蚀速率极慢,但利用XRR谱的高分辨率,成功地检测到了膜厚的减薄。     

用于化合物半导体制造的先进光刻技术

重点讨论了化合物半导体材料加工中的先进光刻技术应用现状。薄形衬底材料在高频及功率器件中的需求,在处理非常易碎和昂贵的衬底时出现了一些新的问题。这种损伤的风险由于要求的多个加工工序而增大,且在接转生产的采用背面加工时会再次出现。叙述了进行自动光刻加工中片子传递和对准过程的一些解决方法。     

光刻技术在微电子设备的应用及发展

介绍了光刻技术在微电子领域的应用,具体分析多种短波长光刻技术的最新进展,并对在0.1μm之后用于替代光学光刻的下一代光刻技术的发展趋势作了展望。     

φ300mm/0.18μm的光刻工艺及设备

综述了３００ｍｍ／０１８μｍＣＤ对光刻工艺的要求以及光刻设备的发展。     

基于有限状态机模型的光刻版图自动布局系统

采用有限状态机模型设计了集成电路光刻版上各个图形布局的自动系统。将布局的各个阶段定义为不同的状态,布局规则定义为触发条件,组成一个有限状态机。基于此模型的计算机自动布局系统能自动完成图形在光刻版上的布局,充分利用硅圆片面积并给出布局报告。     

先进掩膜帮助延长光学光刻的寿命

作为光刻技术的“替罪羊”，光刻掩膜版已成为光成像途径中越来越重要的一部分。随着改善的光学邻近修正（OPC）和其它分辨率增强技术（RET）的发展——包括双重图形技术的前影--掩膜版将会是保持光学光刻在商业上的地位的关键。     

基于X光移动光刻技术的PMMA微透镜阵列制备

微透镜阵列的制备已经成为微光学领域的研究热点。利用两次X光移动光刻技术,以聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为正光刻胶,在PMMA基板上制造了微透镜阵列,并对其制作原理进行了详细说明。设计了制备微透镜阵列用的掩膜图形,并通过掩膜图形模拟仿真,预测了微透镜在两次移动曝光显影后的形状。第一次X光移动光刻后,理论上会得到半圆柱状三维结构;第一次光刻后将掩膜板旋转90,进行第二次移动曝光光刻,最终在PMMA基板上制备了面积为10 mm10 mm的3030个微透镜阵列,阵列中每个微透镜的直径约248m、厚度约82m。同时也研究了X光曝光量与PMMA刻蚀深度之间的关系。微透镜阵列形貌测试表明此种制备微透镜阵列的新方法是可行的。     

EB制作1：1UT Stepper掩模的工艺技术研究

一、前言UltratechStepper1500是一种比较特殊的1：1投影光刻机。它只能使用3”X5”的掩模，掩模上除用户提供的主芯片图形和PCM图形外，还要由掩模制造厂附加许多辅助图形。UltrachStepper1500对俺模的特征尺寸控制、套准精度、缺陷检查、保护膜安装等都有很严格的要求。国内使用UltratchStepper1500光刻机的用户以前只能委托台湾或国外的掩模生产厂家制作掩模，制作周期长，成本也比较高。掩模工厂引进ZBA23电子束以后，客观上基本具备了制作1：IUTStepper掩模的条件。八年初开始。在用户的配合下，据模工厂开始研究1：IUTSteppe…