首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 0 毫秒
1.
采用I-V亚阈测量技术,分析了封闭栅和条形栅结构CMOS/SOS器件的logI-V曲线亚阈斜率和阈电压的总剂量电离辐照特性,以及不同的辐照偏置条件对上述两个电参数的影响。结果表明,在总剂量辐照下,封闭栅和条形栅CMOS/SOS器件的阈电压及logI-V曲线亚阈斜率的变化趋势。  相似文献   

2.
Ohno  T 于向东 《微电子学》1989,19(5):32-36,56
我们把用SIMOX工艺所形成的纵向隔离结构和新开发的横向隔离结构结合起来,研制出抗辐照CMOS/SIMOX器件。 n沟MOSFET的纵向隔离由多层高浓度氧掺杂多晶硅和埋层二氧化硅组成,横向隔离由多层薄的侧壁二氧化硅、侧壁多晶硅和厚的场二氧化硅组成。p沟MOSFET的纵向隔离结构与n沟MOSFET相同,但其横向隔离中没有侧壁多晶硅层,而是使用厚的场二氧化硅层。高浓度氧掺杂多晶硅和侧壁多晶硅层用来屏蔽被俘获在埋层二氧化硅和场二氧化硅中的辐照感生正电荷。利用这些隔离结构和薄栅二氧化硅层开发的CMOS/SIMOX器件,即使在经受2Mrad(Si)的~(60)Co伽马射线辐照之后,仍具有良好的工作特性。  相似文献   

3.
Bage  MP 王界平 《微电子学》1991,21(4):48-54
我们对不同CMOS工艺技术制作的器件在高低剂量率条件下的试验结果作了比较,低剂量率的试验进行了一年多的时间,以期能尽量接近空间的剂量率;高剂量率试验的器件可以在室温下进行长时间退火,也可以在高温下作短时间的退火。对某些器件来说,100℃的退火温度太低了。文中列出了期望值与实际值的差异,亦对改进实验步骤提出了建议。  相似文献   

4.
5.
6.
本文介绍了CMOS/SOS CC4066器件长期可靠性试验结果。对失效器件的分析表明,硅-蓝宝石技术没有新的失效机理。该器件的可靠性不低于国内体硅MOS IC能达到的水平,并接近“七专”器件的水平。  相似文献   

7.
在表层硅厚度约6μmBESOI材料上,制备了Al栅CMOS器件。实验样品消除了纵向寄生结构和困扰SOI薄膜器件的背沟效应、边缘效应、Kink效应。样品未作抗辐照工艺加固,γ累积辐辐照剂量已达3×105rad(Si)。实验表明,该结构埋层SiO2的存在对器件的辐照性能影响不明显。  相似文献   

8.
采用亚阀Ⅰ-Ⅴ技术,分析了CMOS/BESOI器件在^60Co-γ辐照场中的电参数退化行为和机制。结果表明,器件经辐照后产生了较严重的损伤。  相似文献   

9.
张兴  王阳元 《电子学报》1996,24(11):30-32,47
利用薄膜全耗尽CMOS/SOI工艺成功地研制了沟道长度为1.0μm的薄膜抗辐照SIMOXMOSFET、CMOS/SIMOX反相器和环振电路,N和PMOSFET在辐照剂量分别为3x105rad(Si)和7x105rad(Si)时的阈值电压漂移均小于1V,19级CMOS/SIMOX环振经过5x105rad(Si)剂量的电离辐照后仍能正常工作,其门延迟时间由辐照前的237ps变为328ps。  相似文献   

10.
通过测定专门设计的寄生样电流增益,用注入电流法测定CMOS器件的产锁阈值及用JT-1图示仪扫描测定闭锁曲线,有力地证实了体硅CMOS器件经中子辐照后其抗闭锁能力及抗瞬时辐照能力均有明显提高,激光脉冲器的瞬时辐照结果亦证实了这点。  相似文献   

11.
12.
CMOS/SOS器件同体硅CMOS器件相比,载流子迁移率较低,沟道漏电电流较大,它们主要是由异质外延硅膜缺陷,特别是靠近硅蓝宝石界面的硅膜缺陷造成的.本文描述一种改进的固相外延技术提高外延硅膜质量进而改善CMOS/SOS器件特性的实验结果.  相似文献   

13.
张兴  石涌泉  路泉  黄敞 《半导体学报》1995,16(11):857-861
本文较为详细地介绍了能有效地改善SOS材料结晶质量的双固相外延DSPE工艺,给出了优化的工艺条件.通过比较用DSPE及普通SOS材料制作的CMOS/SOS器件和电路的特性可以看出,采用DSPE工艺能显著改善SOS材料的表面结晶质量,应用DSPE工艺在硅层厚度为350nm的SOS材料上成功地研制出了沟道长度为1μm的高性能CMOS/SOS器件和电路,其巾NMOSFET及PMOSFET的泄漏电流分别为2.5pA和1.5pA,19级CMOS/SOS环形振荡器的单级门延迟时间为320ps.  相似文献   

14.
甘学温  奚雪梅 《电子学报》1995,23(11):96-98
SOI-MOSFET主要模型参数得一致的提取,因而该模型嵌入SPICE后能保证CMOS/SOI电路的正确模拟工作,从CMOS/SOI器件和环振电路的模拟结果和实验结果看,两者符合得较好,说明我们所采用的SOI MOSFET器件模型及其参数提取都是成功的。  相似文献   

15.
对条栅CMOS/SIMOX倒相器在不同偏置条件下进行了^60Coγ射线的总剂量辐照试验,比较研究了PMOS、NMOS对倒相器功能的影响,发现NMOS抗总剂量副照性能比PMOS差,主要是NMOS引起器件功能的失效。  相似文献   

16.
17.
薄膜亚微米CMOS/SOS工艺的开发及其器件的研制   总被引:2,自引:0,他引:2  
张兴  石涌泉 《电子学报》1995,23(8):24-28
本文较为详细地介绍了薄膜亚微米CMOS/SOS工艺技术的开发过程,薄膜亚微米CMOS/SOS工艺主要包括双固相外延,双层胶光刻形成亚微米细线条硅栅、H2-O2合成氧化薄栅氧化层以及快速退火等新的工艺技术,利用这套工艺成功地研制出了高性能薄膜来微米CMOS/SOS器件和门延迟时间仅为177ps的19级CMOS/SOS环形振荡器,与厚膜器件相比,薄膜全耗尺器件和电路的性能得到了明显的提高。  相似文献   

18.
刘忠立  李宁  高见头  于芳 《半导体学报》2005,26(7):1406-1411
利用注硅固相外延的方法对0.2μm SOS薄硅膜材料进行改性,并制作了单管pMOSFET,nMOSFET及54HC04电路.测量了单管的迁移率,并对样品进行了瞬态辐射实验和总剂量辐射实验,发现用改性后的SOS薄硅膜材料制作的电路,不仅具有同标准0.5μm SOS材料制作的电路相当的动态特性,而且具有很好的抗瞬态辐射能力,并且其抗总剂量辐射能力也达到了很高的水平.  相似文献   

19.
对条栅CMOS/SIMOX例相器在不同偏置条件下进行了60Coγ射线的总剂量辐照试验,比较研究了PMOS、NMOS对倒相器功能的影响,发现NMOS抗总剂量辐照性能比PMOS差,主要是NMOS引起器件功能的失效。  相似文献   

20.
利用注硅固相外延的方法对0.2μm SOS薄硅膜材料进行改性,并制作了单管pMOSFET,nMOSFET及54HC04电路.测量了单管的迁移率,并对样品进行了瞬态辐射实验和总剂量辐射实验,发现用改性后的SOS薄硅膜材料制作的电路,不仅具有同标准0.5μm SOS材料制作的电路相当的动态特性,而且具有很好的抗瞬态辐射能力,并且其抗总剂量辐射能力也达到了很高的水平.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号