采用四乙基正硅酸盐的二氧化硅PECVD技术

本文介绍用四乙基正硅酸盐(TEOS)等离子体加速化学气相淀积SiO_2膜的试验研究情况。发现,当采用氧作氧化剂的时候,所产生的膜大约含有1个原子百分比浓度(a/o)的氮或碳。在反应中采用N_2O时,膜中氮浓度略有增加,达到2(a/o)。然而,在没有氧化剂的条件下,氮和碳浓度大致分别为18(a/o)和6(a/o)。膜的台阶覆盖(不考虑氧化剂)接近34％,与主要用硅烷的化学方法淀积的SiO_2膜所达到的10％相比较,有显著的改进。折射率、红外光谱和膜密度,似乎可表征淀积SiO_2膜的特征。TEOS-O_2膜的电特性产生大于6MV/cm的击穿电场,在1MV/cm下,漏电流密度为8×10~(-9)A/cm~2。具有同等厚度的热生长SiO_2的击穿电场和漏电流密度,分别为8MV/cm~2和2×10~(-9)A/cm~2。     

采用TEOS和H2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜

开展了使用TEOS和H2O混合物进行PECVD生长SiO2膜的研究工作.氧化硅折射率分布在1.453±0.001的范围,且随偏离中心距离基本不变.薄膜厚度是中央大,边沿薄,其厚度相对变化不超过±1.5％（51mm衬底).利用TEOS源PECVD,并结合退火技术,摸索出厚膜氧化硅生长工艺,已成功地在硅衬底上生长出厚度超过15μm氧化硅厚膜,可用于制备氧化硅平面波导器件.     

采用TEOS和H_2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜

开展了使用 TEOS和 H2 O混合物进行 PECVD生长 Si O2 膜的研究工作 .氧化硅折射率分布在 1.45 3±0 .0 0 1的范围 ,且随偏离中心距离基本不变 .薄膜厚度是中央大 ,边沿薄 ,其厚度相对变化不超过± 1.5 % (5 1mm衬底 ) .利用 TEOS源 PECVD,并结合退火技术 ,摸索出厚膜氧化硅生长工艺 ,已成功地在硅衬底上生长出厚度超过 15 μm氧化硅厚膜 ,可用于制备氧化硅平面波导器件 .     

多室连续式PECVD装置

多室连续式PECVD装置可实现多层薄膜的连续淀积,是制备PIN结构非晶硅太阳能叠层电池的重要设备。本文介绍我们研制的PECVD—L425型连续淀积设备的结构特点和调试结果。     

纳米压印光刻胶

光刻胶是纳米压印的关键材料,其性能将影响压印图形复制精度、图形缺陷率和图形向底材转移时刻蚀选择性。提出了成膜性能、硬度黏度、固化速度、界面性质和抗刻蚀能力等压印光刻胶的性能指标。并根据工艺特点和材料成分对光刻胶分类,介绍了热压印光刻胶、紫外压印光刻胶、步进压印式光刻胶和滚动压印式光刻胶的特点以及碳氧类纯有机材料、有机氟材料、有机硅材料做压印光刻胶的优缺点。列举了热压印、紫外压印、步进压印工艺中具有代表性的光刻胶实例,详细分析了其配方中各组分的比例和作用。介绍了可降解光刻胶的原理。展望了压印光刻胶的发展趋势。     

生产型管式PECVD设备

太阳能电池作为新一代的绿色安全、无污染、长寿命的能源,已经广泛在欧洲等发达国家的军民行业中应用并在我国迅速推广。论述了由中国电子科技集团公司第四十八研究所研制的生产型管式PECVD设备的原理、构成及特点,并对其工艺结果进行了讨论。该设备已在国内太阳能电池生产线上运行近一年,其可靠性高,成膜均匀性好,得到了用户的好评。     

光刻胶处理系统的国内外现状

光刻胶处理技术及其在半导体器件和集成电路制造中的应用是过去10年半导体微细加工领域中最引人注目的研究课题之一。本文综述了光刻胶处理系统的基本原理、特点和处理技术,重点介绍了系统的国内外研制现状,最后对系统的发展趋势进行了探讨。     

光刻胶对等离子腐蚀的影响

为了揭示光刻胶在氯化物等离子体中所起的作用,研究了具有不同光刻胶敷层的多晶硅和二氧化硅的腐蚀特性。二氧化硅的腐蚀速率随片子上光刻胶的减少而下降。虽然多晶硅的额定腐蚀速率对光刻胶敷层不敏感,但是二氧化硅掩蔽的多晶硅图形的腐蚀速率要比光刻胶掩蔽的高。推测由于光刻胶腐蚀产生的氯化碳物质是产生这些特性的原因。此外,我们发现,如果采用不受腐蚀的掩膜,那么在用氟化物等离子体腐蚀多晶硅时就有工种负载效应,但是光刻胶存在则抑制这种效应。     

叠层光刻胶牺牲层工艺研究

通过溅射电镀种子层前预烘胶与严格控制烘胶温度变化速率、用KOH稀溶液去胶、再用稀腐蚀体系加以轻度超声干涉去除电镀种子层和使用丙酮与F117进行应力释放等方法改进工艺后,解决了在叠层光刻胶牺牲层工艺中极易出现的烘胶龟裂、光刻胶不容易去除干净、去除电镀种子层时产生絮状物和悬空结构释放时易黏附等问题.运用叠层光刻胶牺牲层改进工艺可以制备出长4 mm,悬空高度20 μm,平面误差不超过3 μm的悬空结构.     

光刻胶材料的研究进展

简单介绍了光刻胶的组成部分,综述了近年来国内外光刻胶成膜树脂合成、开发的研究进展,并根据不同曝光波长所需的不同光刻胶(包括紫外(UV)光刻胶、深紫外光刻胶、极紫外光刻胶等)进行了介绍。重点介绍了各光源下分子量和分子量分散指数对光致抗蚀剂的影响,并对国内外研究中通过不同聚合工艺制备的不同分子量光致抗蚀剂性能进行了评述,总结了近年来含有特定化学结构的光致抗蚀剂以及其制备工艺的研究进展。最后对国内外光刻胶的发展和应用进行了展望,指出进一步提高光刻胶的分辨率、改善其综合性能是今后的研究重点。     

聚酰亚胺基底上双光子直写负性光刻胶

近年来,聚酰亚胺薄膜因其良好的柔韧性、透明度、耐辐射等优点,逐渐成为制备柔性电子器件的重要材料.利用飞秒激光双光子直写技术,以聚酰亚胺薄膜为基底,对负性光刻胶进行加工.研究发现线条分辨率随着激光功率的降低和扫描速度的增加而提高,并获得了115 nm最小线宽.柔韧性测试实验表明,在聚酰亚胺薄膜上制备的亚波长线条具有很好的...     

紫外光/臭氧干法去除光刻胶

本文介绍紫外光/臭氧干法去除光刻胶的工作机理及实验装置;列出这种方法去除三种不同型号的国产负性光刻胶的去胶速率及利用俄歇光电子能谱仪分析去胶效果的能谱曲线;最后,对紫外光/臭氧干法去胶方法作了评价.     

基于光刻胶回流特性的平面化工艺

研究了一种利用光刻胶的回流特性去除表面的磨痕，使其表面平整化的方法，结合牺牲层结构可以非常简便地制备出微机电器件中各种悬臂梁结构。着重研究了光刻胶的前烘胶温度、回流温度、回流时间对回流效果的影响。通过大量的实验得到了较好的回流工艺，即光刻胶90℃下60min前烘后，并在90℃下回流60min，不但能通过机械抛光准确控制减薄厚度，而且还可以完全除去其表面的磨痕，获得平滑的表面结构。     

正性光刻胶的噪声抑制

本文从偏振光干涉和正性光刻胶版的电子显微照片的分析中找到了噪声的源泉和提出了解决办法，有较大的实用价值。     

光刻胶处理系统的国内外现状

光刻胶处理技术及其在半导体器件和集成电路制造中的应用是过去十年半导体微细加工领域中最引人注目的研究课题之一。本文综述了光刻胶处理系统的基本原理、特点和处理技术,重点介绍了系统的国内外研制现状,最后对系统的发展趋势也进行了探讨。     

多孔化PECVD硅薄膜的室温光致发光

本文采用阳极氧化腐蚀技术对等离子ＣＶＤ方法制备的微晶硅薄膜进行了多孔化处理．在室温下用Ｎ２激光激发，在多孔化微晶硅薄膜上观测到了强的可见荧光，其荧光谱中包含１．９４ｅＶ和２．８６ｅＶ两个峰．我们还对其激发谱进行了研究，发现除与跃迁有关的吸收峰（３．４ｅＶ）外，在２—３ｅＶ间还有新的吸收峰．此结果与Ｆ．Ｂｕｄａ等人最近对硅量子线的理论计算相符合．     

全球光刻胶产业现状及布局

随着5G、智能家居、物联网、增强现实（VR）/虚拟现实（AR）等新兴领域应用的发展,对半导体芯片、显示面板、印刷电路板（PCB）等的需求也逐渐提升,对应领域产业链中的上游光刻胶是制造中的关键材料,也是保证产品和技术顺利变革发展的重要支撑。光刻胶主要用于光刻过程中的图形转移,其分辨率、对比度等技术指标直接影响最终产品质量。本文对光刻胶进行了系统性介绍,包括组分、制造流程、评价指标和分类等,同时分析了当下光刻胶市场和竞争格局情况,并对其产业未来的发展趋势进行了预测和判断。