印制板上形成凸块的倒芯片安装技术

该文概述了在印制板(PWB)上形成倒芯片安装用的凸块的方法和工艺条件,并进行可靠性试验和评价,确认了Boss B~2it 技术可以实现低成本倒芯片安装。     

任意层互连技术应用研究

任意层互连技术是目前高密度互连印制电路板领域新的工艺技术,通过微孔来实任意层与层之间的连接。本文主要介绍了任意层互连技术的应用进展,分析了电镀、导电膏及铜凸块三种微孔互连技术,同时,描述了各任意层互连方法的工艺技术流程,并对其进行了对比分析。     

MCM芯片安装互连及相关技术

下填充料应具有以下性能：(1)良好的流动性，以适于窄间隙、细间距的应用；(2)适宜的固化收缩应力；(3)与芯片、基板间优良的CTE匹配性，热循环应力低，满足大尺寸芯片、薄基板的需要；(4)粘接强度高；(5)良好的抗潮湿能力；(6)遮光，适于光敏器件的应用；(7)阻燃；(8)导热率高，满足大功率、高密度、高频需要；     

埋置无源及有源元件的B2it印制电路板

文章介绍了在埋入凸块互连技术印制电路板内,埋置无源元件及有源元件的B2it印制电路板。     

LTCC 3D-MCM垂直互连技术研究

LTCC3D—MCM是采用低温共烧陶瓷（LTCC）为基板,实现有源元件和无源元件高密度集成的组件。垂直互连是完成2D-MCM转化为3D-MCM的重要途径。本文介绍了叠层型LTCC3D—MCM制作的基本工艺和几种垂直互连技术;对垂直互连所形成的焊料凸点、基扳之间的连接进行了分析和讨论。     

一种新的互连延迟度量

互连线的延迟已成为集成电路设计中必须解决的问题,人们已展开了全面、深入地研究,提出了许多方法.本文将在这些方法的基础上,利用二阶瞬态推出新的单极点模型,并利用它来计算延迟.实验证明这种方法准确,有效.     

一种无线键合的互连技术

混合集成电路分两种：薄膜混合集成电路和厚混合集成电路，薄膜是蒸 发或溅射在微晶玻璃片上或99%陶瓷片上沉积金属膜，通过光刻形成薄膜图形，厚膜通过浆料印刷在96%陶瓷片上经烧结形成必要的厚膜图形。这种成熟的技术已经用在科研生产中。     

一种新的互连网络拥挤控制

本文详细讨论了互连网络拥挤控制;指出了一般网络内拥挤控制方法不能成功地应用于互连网络的原因。首次提出了一种新的互连网络的拥挤控制方法,它视互连网络为一黑匣,完全利用互连设备网间连接器(Gateway)的功能进行拥挤控制。计算和模拟分析验证了该方法的突出特性,并与R。Jain(1986)提出的拥挤控制法进行了比较。     

一种新的求解ULSI双介质互连电容的模拟电荷法

论述了一种模拟电荷法与镜像格林函数法相结合 ,对模拟电荷用 DFP法进行最优设置的提取双介质 UL SI互连电容参数的基本算法 ,并与其它互连电容模拟软件模拟的结果进行了比较 ,相对偏差小于 10 % ,表明这种新的模拟电荷法是有效的和可行的     

一种新的求解ULSI双介质互连电容的模拟电荷法

论述了一种模拟电荷法与镜像格林函数法相结合,对模拟电荷用DFP法进行最优设置的提取双介质ULSI互连电容参数的基本算法,并与其它互连电容模拟软件模拟的结果进行了比较,相对偏差小于10%,表明这种新的模拟电荷法是有效的和可行的．     

新一代铜基材PCB互连技术——阶梯式互连技术简介

介绍了阶梯式封装互连技术的原理、做法、优点及应用前景。     

一种新的基于互连工作站的并行编辑模型：异步远程计算（APC）

传统的并行编程模型把一个并行程序当作一组相互作用的进程、进程之间通过消息传递进行通讯,编程复杂。异步远程计算（ARC）不同于传统编程模型,它把并行程序看成由几个结构松散的远程命令块（RIB）组成,RIB之间没有消息通讯、提高了并行编程的透明性。ARC模型具有分布透明性、异构透明性和负载的动态平衡。     

一种新型的双L 型基片集成同轴互连阵列

基片集成同轴线(Substrate Integrated Coaxial Line,SICL)是一种由基板上下导体板、内导体和金属化过孔阵列构成的集成波导结构,具有低损耗、宽频带、抗干扰、易于集成等优点。本文在基片集成同轴线的基础上提出了一种新型的双L型基片集成同轴互连阵列结构。首先通过仿真将它与传统的微带线和带状线进行了对比,结果表明该结构在损耗、反射以及隔离度方面均表现出优良的特性。然后采用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺实现该结构,并通过实验测试了该样品的S参数、隔离性能、眼图及误码率。实验结果表明,在1~40GHz的频率范围内,双L型基片集成同轴互连阵列的耦合度在-40 d B以下,传输速率可达到30 Gbps,具有高速数据传输能力。     

一种低成本的硅垂直互连技术

采用KOH刻蚀工艺制作硅垂直互连用通孔,淀积SiO2作为硅垂直互连的电绝缘层,溅射Ti和Cu分别作为Cu互连线的黏附层/扩散阻挡层和电镀种子层.电镀10μm厚的Cu作为硅垂直互连的导电层.为实现金属布线的图形化,在已有垂直互连的硅片上试验了干膜光刻工艺.采用化学镀工艺,在Cu互连线上沉积150～200 nm厚的NiMoP薄膜作为防止Cu腐蚀和Cu向其上层介质扩散的覆盖层.高温退火验证了Ti阻挡层和NiMoP覆盖层的可靠性.     

步入深亚微米的互连技术《半导体国际》互连技术在线研讨会

半导体产业发展至今,大部分时间内AI互连技术都扮演了极为重要的角色,铝材料和SiO2一直作为制造集成电路中的微连线或配线;0．13微米以下的设计标准中,采用铝微连线制造的器件开始在可靠性方面出现问题．铜互连工艺应运而生。基于双大马士革的Cu工艺、高／低K介质材料等已成为业界热门话题,进一步改善互连性能的需求,推动今后互连技术的发展。集成电路技术的进一步发展对互连性能提出更高的要求。     

一种低成本的硅垂直互连技术

1引言 近年来，随着三维叠层封装技术和MEMS封装技术的发展，硅垂直互连技术正在受到越来越多的重视【1】。这一技术通过在硅片上制作出垂直电互连来实现芯片正面与背面或上下芯片之间的互连，从而缩短了互连线的长度并为芯片提供更为优异的电性能。其应用包括：台面MOS功率器件的倒装芯片封装【2】、垂直集成传感器阵列的制造【3】、RF-MEMS器件的封装【4】、高性能硅基板的开发【5】和芯片的三维叠层封装【6】。     

一种新的面向迁移学习的L2核分类器

基于密度差(Difference Of Density, DOD)思想,L2核分类器算法具有良好的分类性能及稀疏性,然而其训练域与测试域独立同分布的假设限制了其应用范围。针对此不足,该文提出一种新的面向迁移学习的L2核分类器(Transfer Learning-L2 Kernel Classification, TL-L2KC),该方法既保持了L2核分类器算法良好的分类性能,又能处理数据集缓慢变化及训练集在特定约束条件下获得导致训练集和未来测试集分布不一致的问题。基于人造数据集和UCI真实数据集的实验表明,该文提出的TL-L2KC算法较之于经典的迁移学习分类方法,具有相当的、甚至更好的性能。     

新的层间连接技术——NMBI

概述新的层间连接技术——NMBI的用途和今后的开发动向,适用于创造薄型、多层、高密度和高设计自由度的印制板。     

一种新的集成电路互连线串扰模型和估计公式

建立了一个考虑分布电阻,分布电容的互连线混П模型,在这个模型的基础上,分析了终端在最坏条件下的串扰响应,并推导了三阶S域系数的精确表达式,最终,获得了一个新的互连线串扰响应的估计公式,通过与SPICE模拟的结果相比较,该文的模拟结果非常接近实际电路的串扰响应,与相关文献所发表的结果相比较,该模型更符合实际情况,结果也更精确。