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相似文献
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1.
《电子与电脑》2009,(3):80-80
Vishay目前推出采用Bulk Metal箔技术制造的多款表面贴装电阻,以实现最高端领域对器件高可靠性和高稳定性的严苛要求。这次发布的器件中包括新改进的VSMP(0805至2512)系列、及VCS1625Z和CSM2512S在内,Vishay产品系列均纳入各种超高精度规格和配置,以实现更优异的性能。  相似文献   

2.
《电子设计工程》2014,(8):130-130
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,将2512外形尺寸的FIN系列精密表面贴装薄膜片式电阻的功率等级提到2W。Vishay Dale薄膜器件采用自钝化的耐潮钽氮化物电阻膜技术,具有高功率等级和低至±25ppm/℃绝对TCR,在-55-+125℃宽温条件下,经过激光微调的公差低至±0.1%。  相似文献   

3.
正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,将2512外形尺寸的PTN系列精密表面贴装薄膜片式电阻的功率等级提到2 W。Vishay Dale薄膜器件采用自钝化的耐潮钽氮化物电阻膜技术,具有高功率等级和低至±25 ppm/℃的绝对TCR,在-55~+125℃宽温条件下,经过激光微调的公差低至±0.1%。PTN电阻的钽氮化物电阻膜使器件的耐潮水平超过MIL-PRF-55342的极限,使这款器件非常适合军工、航天、电信和工  相似文献   

4.
Vishoy推出采用Bulk Metal箔技术制造的多款表面贴装电阻,以实现高端领域对器件高可靠性和高稳定性的严苛要求。这次发布的器件中,包括新改进的VSMP(0805至2512)系列、及VCS1625Z和CSM2512S。  相似文献   

5.
正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,将2512外形尺寸的PTN系列精密表面贴装薄膜片式电阻的功率等级提到2W。Vishay Dale薄膜器件采用自钝化的耐潮钽氮化物电阻膜技术,具有高功率等级和低至±25ppm/°C的绝对TCR,在-55°C~+125°C宽温条件下,经过激光微调的公差低至±0.1%。PTN电阻的钽氮化物电阻膜使器件的耐潮水平超过MIL-PRF-55342的极限,使这款器件非常适合军工、航天、电信和工业应用的低噪声、高精度控制系  相似文献   

6.
《电子元器件应用》2008,10(6):83-83
Vishay Intertechnology.Inc.推出的新系列VEMT宽角光电晶体管采用可与无铅(Pb)焊接兼容的PLCC-2表面贴装封装。VEMT系列中的器件可作为Vishay当前的TEMT系列光电晶体管的针脚对针脚及功能等同的器件,从而可实现快速轻松的替代。以满足绿色环保对无铅(Pb)焊接要求。  相似文献   

7.
《电子设计工程》2012,20(5):179
Vishay Intertechnology宣布,推出新款采用2512外形尺寸的表面贴装Power Metal Strip电阻——WSLP2512,这种电阻具有高达3W的功率和0.0005Ω的极低阻值。  相似文献   

8.
《电子与电脑》2011,(6):90-90
日前,Vishay宣布,推出采用钽外壳和glass-to-tantalum密封的新系列液钽电容器---T16,该器件特别适用于航空、航天领域。T16电解电容器具有Vishay SuperTan系列器件的所有优点,同时还具有更好的反向电压和高耐震性能。  相似文献   

9.
《电子设计技术》2006,13(6):144-146
使用无铅回流焊工艺的SMD LED Vishay Intenechnology推出可使用无铅(Pb)回流焊工艺的高强度SMD LED,这些产品可直接替代Vishay TLM系列中的器件。新型VLM系列中的器件主要用于以下方面的应用:汽  相似文献   

10.
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用钽外壳和glass-to-tantalum密封的新系列液钽电容器---T16,该器件特别适用于航空、航天领域。T16电解电容器具有Vishay SuperTan系列器件的所有优点,同时还具有更好的反向电压和高耐震性能。  相似文献   

11.
Vishay Intertechnology,Inc.推出新的专业和精密系列宽接头薄膜片式电阻——MCW 0406 AT,这些电阻是首批采用0406小外形尺寸的此类器件。Vishay的MCW 0406 AT专业和精密电阻可在恶劣和高温应用中提供稳定的性能表现。专业系列器件可在175℃的高温  相似文献   

12.
《中国电子商情》2010,(8):94-94
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出满足严格的IPC/JEDEC J-STD一020焊接指导的新款器件,扩充了高温140CRH器件和低阻抗150CRZ系列表面贴装铝电容器。  相似文献   

13.
《国外电子元器件》2010,(8):152-152
Vishay Intertechnology.Inc.推出满足严格的IPC3EDEC J-STD-020焊接指导的新款器件,扩充了高温140CRH器件和低阻抗150CRZ系列表面贴装铝电容器。  相似文献   

14.
《电子产品世界》2006,(9X):50-50
Vishay Intertechnology,Inc.推出新型Tantamount Hi—Rel COTS T95系列固体钽电容器芯片。这些新型T95电容器主要面向安全性至关重要的航空及军事应用。日前推出的这些器件属于Vishay Tantamount钽电容器系列,它们的电容值范围介于0.1μF~680μF,电压范围介于4V~50V。这些器件提供了低ESR值选择,在+25℃、100kHz时,ESR值低至0.055。T95系列中的器件工作范围介于-55℃~+125℃。  相似文献   

15.
《半导体技术》2008,33(4):374
2008年3月14日,Vishay Intertechnology,Inc宣布推出采用业界标准Int-A-Pak封装的新系列半桥IGBT。该系列由8个600V及1200V器件组成,这些器件采用多种技术,可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。  相似文献   

16.
Vishay Intertechnology推出将遥控接收器与IrDA收发器整合到单个3透镜表面贴装封装中的新型器件以面向PC市场的需求,从而扩展了其光电子产品系列。  相似文献   

17.
《电子设计工程》2014,(5):109-109
Vishay Intertechnology,Inc.宣布,扩充其TANTAMOUNT。低ESRTR3和标准工业级293D系列固钽表面贴装片式电容器,使B、C、D、E、V和W外形尺寸器件的电压提高到75V。来自于Vishay Sprague的该款器件是业内首个75V模塑钽电容器,是为满足在+28V和+35V应用中降额50%额定电压而设计的。  相似文献   

18.
《电子设计工程》2014,(6):76-76
Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款可编程开关——Vishay Siliconix SiP12109,其频率高达1.5MHz,输入电压4.5~15V的4A器件,扩充了Vishay的microBUCK系列集成式同步降压稳压器。  相似文献   

19.
日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE)宣布,其E系列器件新增650 V功率MOSFET。这些22款新器件采用8种不同封装,将10 V下的导通电阻扩展到30~600 mΩ,将最高电流等级扩大为6~105 A。650 V E系列MOSFET基于下一代Vishay Siliconix超级结技术,针对可再生能源、工业、照明、电信、消费和计算市场中对输入电压安全裕量有额外要求的应用,Vishay  相似文献   

20.
Vishay推出新系列径向铝电容器——EKX系列器件,这些器件可实现+105°C的高温运行,且具有低阻抗值以及高电容值及纹波电流。  相似文献   

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