用微波等离子体化学气相沉积法低温生长织构多晶硅薄膜

本文报道用微波等离子体沉积／原子氢处理交互进行方法低温制备多晶硅（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）薄膜及其结构特征和光电特性．Ｘ光衍射（ＸＲＤ）、透射电镜（ＴＥＭ）、光吸收、光电导等测量分析表明，柱状晶粒分布致密，呈现良好的（２２０）择优取向生长．锐利的光吸收边意味着样品中有很低的带尾态密度，光吸收过程主要由晶粒中电子的带间跃迁所支配．小的光电导激活能说明晶界缺陷密度低，晶界势垒小．所有这些都是由于在薄膜生长过程中引入了氢等离子体的周期性原位处理，不仅抑制了非晶态相的形成、促进了晶粒的生长及织构构造的形成     

电子束辅助热丝CVD法在Si（100）衬底上织构生长金刚石薄膜

电子束辅助热丝ＣＶＤ法在Ｓｉ（１００）衬底上织构生长金刚石薄膜傅广生，王晓辉，于威，韩理（河北大学物理系保定０７１００２）织构生长的金刚石薄膜以其优异的光学、半导体和电学性能而具广泛的应用前景，它一直受到众多研究者的关注。由于金刚石与所用的衬底材料（...     

有机聚合物CPU的结构形态

本文用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）研究了有机氰基－苯基－脲（ＣＰＵ）的表面结构。在不同的ＣＰＵ薄膜制备条件下，得到了不同的ＣＰＵ薄膜的ＳＴＭ像，表明制备条件与成膜结构的密切关系。观察到了ＣＰＵ薄膜中晶区和非晶区的存在，证实了聚合物晶体中晶区和非晶区的模型。     

脉冲激光沉积铌酸锶钡铁电薄膜及其性能表征

利用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）技术在ＭｇＯ、ＬＳＣＯ／ＭｇＯ衬底上在位制备了铌酸锶钡（ＳＢＮ）铁电薄膜,发现ＳＢＮ薄膜在ＭｇＯ、ＬＳＣＯ／ＭｇＯ衬底上均呈（００１）择优取向。用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和原子力显微镜（ＡＦＭ）表明ＳＢＮ薄膜的晶粒细小致密,铁电微畴尺寸约为２００ｎｍ。ＳＢＮ薄膜的剩余极化强度为１８．６μＣ／ｃｍ２,矫顽场为２２．３ｋＶ／ｃｍ。     

750℃下用低压化学汽相沉积在Si上外延生长单晶SiC薄膜

在（１００）硅单晶衬底上，７５０℃外延生长了立方晶系（１００）晶向的ＳｉＣ薄膜，该生长温度是目前所报道的最低生长温度。采用一种简单的硅碳比为１：１的甲基硅烷（ＳｉＣＨ３Ｈ３）源材料和Ｈ２，用低压化学汽相沉积工艺生长了ＳｉＣ薄膜。用透射电子显微镜（ＴＥＭ）、单晶和双晶ｘ射线衍射仪、红外吸收、椭球仪、厚度测量、四探针测量以及其它方法表征了生长的薄膜。ｘ射线测量结果表明，我们生长的薄膜结晶学质量与类似厚度的商用ＳｉＣ薄膜的质量相当。介绍了本研究中所用的新的生长装置和ＳｉＣ薄膜的性质。     

沉积温度对Ti—B—N复合薄膜微结构及力学性能的影响

采用多靶轮流溅射技术，用Ｔｉ和六方氮化硼（ｈ－ＢＮ）反应合成了Ｔｉ－Ｂ－Ｎ薄膜，采用ＸＲＤ、ＴＥＭ和显微硬度计研究了薄膜的微结构及其力学性能。结果表明，室温下沉积的Ｔｉ－Ｂ－Ｎ薄膜为非晶体的Ｔｉ（Ｎ，Ｂ）化合物，其硬度达到ＨＫ２４７０；高温下沉积的薄膜为ＴｉＮ结构类型的Ｔｉ（Ｎ，Ｂ）晶体，薄膜在晶化后硬度略有降低。     

α—Fe2O3薄膜的制备,结构和气敏特性

采用等离子增强化学气相淀积工艺（ＰＥＣＶＤ）制备出了Ｆｅ２Ｏ３薄膜，用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）分析了薄膜的结构、表面形貌和粒度，研究了薄膜对乙醇、液化石油气、煤倔和氢气的敏感特性。结果表明所研制的薄膜对乙醇有较高灵敏度，共检测下限可达１ｐｐｍ，而对液化石油气、煤气和氢气不太敏感，具有优良的选择性。     

用室温红外透射谱研究Hg_（1－x）Cd_xTe外延薄膜的组份分布

根据Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ本征吸收系数的经验公式及Ｈｏｕｇｅｎ模型，建立了一种用室温红外透射谱研究Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜组份均匀性的方法，用这种方法检测了ＬＰＥ、ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ薄膜的组份分布，并与二次离子质谱（ＳＩＭＳ）测量结果进行了比较     

用室温红外透射谱研究Hg1—xCdxTe外延薄膜的组份分布

根据Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ本征吸收系数的经验公式及Ｈｏｕｇｅｎ模型，建立了一种用室温红外透射谱研究Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜组份均匀性的方法，用这种方法检测了ＬＰＥ、ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ薄膜的组份分布，并与二次离子质谱（ＳＩＭＳ）测量结果进行了比较。     

碲化物薄膜的附着牢固度与其显微结构的关系

用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和透射电镜术（ＴＥＭ）观察Ｓｉ和Ｇｅ基板上ＰｂＴｅ、ＣｄＴｅ及ＰｂＧｅＴｅ单层薄膜及其与ＺｎＳ组合的多层薄膜的显微结构,给出了薄膜附着牢固度与薄膜显微结构的关系     

工艺参数对氧化镁(MgO)薄膜的结构影响

氧化镁（ＭｇＯ）薄膜作为等离子体显示器（ＰＤＰ）的介质保护膜，其结构对于显示器的工作特性有重要影响。本文研究了ＭｇＯ薄膜在制备过程中工艺条件对薄膜结构的影响。结果表明：ＭｇＯ薄膜有（１１１）晶面的择优取向；基底温度超低或沉积速率越低，择优取向越明显；薄膜厚度或退火温度增加，各衍射强度增强；择优取向不变。     

热处理引进Au／NiCr薄膜系统表面状态变化的SEM／SAM研究

采用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）技术，对氧化铝基底上用磁控溅射法沉积的Ａｕ／ＮｉＣｒ薄膜系统分别经３５０℃，２０ｍｉｎ真空和大气环境下热处理后样品表面状态的变化进行了研究。     

MOCVD技术制备ZnS：MnACTFEL器件的进展

本文综述了用金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）技术制备ＺｎＳ：Ｍｎ交流薄膜电致发光（ＡＣＴＦＥＬ）器件的发展历史及研究现状，对各种改进技术和使用的原材料进行了比较，并指出进一步的研究方向。     

用MOCVD方法制备ZnS：Mn交流薄膜电致发光显示器

用ＭＯＣＶＤ方法制备ＺｎＳ：Ｍｎ交流薄膜电致发光显示器赵丽娟，钟国柱，杨宝钧，郑陈玮，赵国璋（中国科学院长春物理研究所１３００２１）（中国科学院激发态物理开放实验室）Ｚｎ：ＭｎＡｌｔｅｒｎａｔｉｖｅＣｕｒｒｅｎｔＴｈｉｎＦｉｌｍＥｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉ...     

用STM研究表面原子的运动

用ＳＴＭ研究表面原子的运动１９９３年１１月《今日物理》（２４－３１页）上发表了威斯康星大学材料科学和工程及物理学教授Ｍ．Ｇ．Ｌａｇａｌｌｙ的长篇专文“表面原子的运动”，介绍用扫描隧道显微术（ＳＴＭ）观察真空淀积到表面上的原子的扩散过程和薄膜生长的初始...     

溅射法制备硫化锌薄膜的XPS剖析

用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）技术，测量了射频磁控溅射法（ＲＦＭＳ）制备的硫化锌薄膜（ＺｎＳ：Ｅｒ＾３＋）的表面及内部构态，认为氧吸附形成的表面构态是产生薄膜界面态和界面陷阱能级的主要原因，对研究器件的激发过程有参考意义     

PbZrO3和PLZT（8／65／35）薄膜的电性能及相转变

采用ＭＯＤ工艺制备了多晶ＰＺ反铁电薄膜和ＰＬＺＴ（８／６５／３５）铁电薄膜，和相应的块状材料相比，ＰＺ和ＰＬＺＴ薄膜的相变温度向高温移动为５０℃，而且相变温区宽化。这些现象可以用存在于薄膜平面内的二维应力的作用加以解释。     

高结晶度石墨薄膜结构的AFM研究

制备了不同条件下的高结晶度石墨薄膜，产用原子微镜镜（ＡＦＭ）系统地研究了其表面结构，获得了原子分辨率的图像，探讨了温度对薄膜石墨化程度的影响，及温度、拉伸比对其微观结构的影响。     

淀积条件对GDa—SiNx薄膜电学特性的影响

本文讨论了用辉光放电法制备氮化硅薄膜时衬底温度、射频功率和气体流量比对薄膜的电导率、介电常数和击穿强度的影响。通过优化生长条件，制备了优质非晶氮化硅薄膜，其介电常数为７．５、击穿强度为５．５ＭＶ／ｃｍ、电导率为１０－１３（Ωｃｍ）－１。     

PtSi薄膜超薄化及连续性研究

减薄膜厚有利于提高ＰｔＳｉ红外探测器的量子效率。本文研究了膜厚减薄工艺对薄膜连续性的影响。用ＸＲＤ观察物相,ＳＥＭ、ＴＥＭ研究薄膜连续性,并给出理论解释,实验表明用混合生长（Ｓ－Ｋ）模式能形成超薄连续薄膜。