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用二次离子质谱对As+注入Si(1-x)Gex的快速退火行为进行了研究.Si(1-x)Gex样品中Ge组分分别为x=0.09,0.27和0.43.As+注入剂量为2×10(16)cm(-2),注入能量为100keV.快速退火温度分别为950℃和1050℃,时间均为18秒.实验结果表明,Si(1-x)Gex中As的扩散与Ge组分密切相关,Ge组分越大,As扩散越快.对于Ge组分较大的Si1-xGex样品,As浓度分布呈现“盒形”(box-shaped),表明扩散与As浓度有关.Si1-xGex样品中As的快 相似文献
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Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格的LACBED研究段晓峰(中国科学院北京电子显微镜实验室,北京100080)Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格是一种新的能带工程材料。人们可以通过调整合金层的合金成分等结构参数,来调整应变层超晶格的能... 相似文献
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对1.3μm和1.55μm波长的Si1-xGex波长信号分离器(WSD)和Si1-xGex/Si应变超晶格(SLS)红外探测器的集成结构进行了系统的分析和优化设计.优化结果为:(1)对Si1-xGexWSD,Ge含量x=0.05.波导的脊高和腐蚀深度分别为3μm和2.6μm.对应于λ1=1.3μm和λ2=1.55μm波长的波导脊宽分别为11μm和8.5μm.(2)对Si1-xGex/SiSLS探测器,Ge含量x=0.5.探测器的厚度为550nm,由23个周期的6nmSi0.5Ge0.5+17nmSi组成. 相似文献
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用二次离子质谱对As+注入Si1-xGex的快速退火行为进行了研究,Si1-xGex样品中Ge组分分别为x=0.09,0.27和0.43,As注入剂量为2×10^16cm^-2,注放能量为100keV,快速退火温度分别为950℃和1050℃,时间均为18秒,实验结果表明,Si2-xGex样品,As浓度分布呈组分密切相关,Ge组分越大,As扩散越快,对于Ge组分较大的Si1-xGex样吕,Asdispla 相似文献
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对1.55μm波长的Si1-xGex光波导开关和Si1-xGex/Si红外探测器的集成结构进行了系统的理论分析和优化设计。设计结果为:(1)对Si1-xGex光开关,Ge含量x=0.05,波导的内脊高、脊宽和腐蚀深度分别为3,8.5和2.6μm,分支角为5~6°。要实现对1.55μm波长光的开关作用,pn+结上所需加的正向偏压值应为0.97V;(2)对Si1-xGex/Si探测器,Ge含量x=0.5,探测器由23个周期的6nmSi0.5Ge0.5和17nmSi交替组成厚度为550nm,长度约为1.5~2mm的超晶格,内量子效率达80%以上。 相似文献
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气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究 总被引:1,自引:1,他引:0
用气态源分子束外延(GSMBE)法研究了GexSi1-x合金的低温(≤500℃)生长动力学问题,所使用的源分别是乙硅烷和固态锗.在恒定的乙硅烷流量(4scm)Ge源炉温度(1200℃)下,合金中的Ge组分x随衬底温度的降低而升高;另一方面,当衬底温度(500℃)和乙硅烷流量(4scm)保持恒定时,合金中的Ge组分x最初随Ge源炉温度的升高而增大,当Ge源炉温度升高到一定值以上时,x值不再随Ge源炉温度的升高而增大,而趋向于饱和在0.45附近.基于乙硅烷及H原子在Si原子和Ge原子表面上不同的吸附和脱附过程 相似文献
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徐至中 《固体电子学研究与进展》1995,15(3):222-227
采用紧束缚方法计算了生长在GexSi1-x(001)衬底上的应变GaAs层带间光跃迁的振子强度以及三次非线性光极化率,讨论了振子强度及三次非线性光极化率随衬底合金组分X的变化关系,计算结果表明,对所有X值,fhc=0,fHC,fLC及fSC随X的变小而变小,fLc及fSc随X的变小而变大。对n型GaAs/GexSi1-x(001),应变使Xxxxx变小,对p型GaAs/GexSi1-x(001)应 相似文献
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GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管 总被引:1,自引:1,他引:1
用气态源分子束外延(GSMBE)法生长了掺杂GexSi1-x/Si合金并试制了p-n异质结二极管,X射线双晶衍射和二极管I-V特性表明,GexSi1-x/Si合金的完整性与异质结界面的失配位错是影响异质结二极管反向漏电的主要原因.通过控制GexSi1-x/Si合金的组分及厚度,我们获得了较高质量的GexSi1-x/Sip-n异质结二极管材料,其反向电压为-5V时,反向漏电流密度为6.1μA/cm2. 相似文献
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《微纳电子技术》1995,(5)
用一种简练的异质结双极晶体管(HBT)模型来模拟SiC基双极晶体管的高频和大功率特性。研究了一种外壳温度在27℃(300K)到600℃(873K)下的6H-SiC/3C-SiCHBT。将其高频大功率特性与AlGaAs/GaAsHBT作了比较。不出所料,欧姆接触电阻限制了SiCHBT的高频性能。现在看来,在SiC上只能可靠地产生1×10 ̄(-4)Ω-cm ̄2的接触电阻。所以f_T和f_(max)的最高实际值仅分别为4.4GHz和3.2GHz。但假定发射极、基极和集电极的接触电阻低到1×10 ̄(-6)Ω时,则6H/3CSiCHBT的f_T和f_(max)分别可达到31.1GHz和12.76Hz。 相似文献
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《半导体光子学与技术》1997,(3)
ElectronMobilityofDopedStrainedSi1-xGexAloysGrownonSi(100)Substrate①②LIBaojun,LIGuozheng,LIUEnke(DepartmentofMicroelectronics... 相似文献