凌特推出双通道理想二极管LTC4413

凌特目前推出双通道理想二极管LTC4413，它能减少热量、压降与占板面积，延长电池使用时间，适用于需要理想二极管“或”功能来实现负载共享或两个输入电源间自动切换的应用。     

能执行11GHz的双通道RF功率检测器LTC5533

LTC5533双通道射频功率检测器是凌特公司（Linear Technology）推出的一款11GHz器件，适用于多频带WiFi、WiMAX和其它射频应用。双通道EFC5533可覆盖从300MHz至11GHz的射频应用，该器件的每个检测器都消耗极低的500uA功率，极大地降低了系统的电源要求。     

LTC4353：二极管控制器

凌力尔特公司推出0V-18V双通道理想二极管控制器LTC4353，该器件可取代两个大功率肖特基二极管，以低损耗实现多个电源“或”，且对电源电压的干扰小。     

双通道理想二极管控制器取代两个肖特基二极管以在大功率应用中提供高效率电源“或”和电源保持

凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出0～18 V双通道理想二极管控制器LTC4353,该器件可取代两个大功率肖特基二极管,以低损耗实现多个电源"或",且对电源电压的干扰最小。LTC4353调节外部N沟道MOSFET的正向压降,以在二极管"或"应用中确保电源之间的平滑转换。在低压系统中,当电源切换时,控制器之间的慢速切换导致电压下降。LTC4353     

LTC3456：集成式电源管理IC

凌特公司日前推出完整的电源管理系统集成电路LTC3456，该器件为由两节碱性/镍镉/镍氢金属电池、USB或墙上适配器供电的便携式应用而优化。LTC3456可向固定3.3V主输出提供150mA电流．以及向一个可调(VBATT到0.8V)内核输出提供200mA电流，为微处理器、微控制器和其外部设备电路供电。     

LTC3418：降压型稳压器

美国国家半导体公司日前宣布推出四款专为便携式电子产品而设计的全新降压直涮直流转换器。LM2770、LM2788、LM2797及LM2798等四款直流／直流转换器都可利用锂电池操作，输入电压范围较宽(2．7V至5．5V)，而且可以输出250mA的电流。LM2797及LM2798两款芯片都设有输入／输出电压监控功能，以免芯片在操作时出现意料之外的功率损耗及不稳定的情况。     

高速通信：面向基站应用的高速双通道ADC

高速ADC的进步直接转变成了第三代(3G)基站(诸如WCDMA、TD—SEDMA和UMTS等)的接收(RX)和发送（Tx)通路的性能提升。随着人们对低功耗操作需求的日益高涨，新型基站设计的小外形尺寸对信号链路组件的热性能提出了更多的要求。可在消耗最少功率的情况下实现高性能的小型、低功率ADC能够在运行时保持不过热状态，并节省更多的板级空间。     

双通道4A电源通路理想二极管具超低15mV正向电压

加利福尼亚州米尔皮塔斯-凌力尔特公司推出单片双通道4 A电源通路(PowerPath)理想二极管LTC4415,该器件为减少热量、压降和占用的电路板空间而设计,同时可在电源切换电路中延长电池运行时间。对于那些需要理想二极管"或"(Diode-ORing)功能以实现负载均分或在两个输入电源之间自动切换的应用而言,LTC4415是理想的选择。LTC4415的超低15 mV正     

SiB800EDK：n通道功率MOSFET／肖特基二极管

Vishoy推出20Vn通道功率MOSFET＋肖特基二极管SiB800EDK,该器件采用1．6mm×1．6mm的热增强型Power-PAK SC-75封装。这款新型器件的推出,意味着Vishoy将其在100mA时具有0．32V低正向电压的肖特基二极管与具有在低至1．5V栅极驱动时规定的额定导通电阻的MOSFET进行了完美结合。     

LTC3780：降压-升压DC／DC控制器

凌特公司日前推出高性能降压-升压开关稳压控制器LTC3780，该器件的输入电压可高于、低于或等于输出电压。LTC3780采用单电感器工作，可提供75W的输出功率，四开关同步整流可实现97％的效率。其恒定频率电流模式架构允许400kHz的可锁相频率。LTC3780具有4V至30V(最高36V)的宽输入范围和0．8V至30V的输出范围。     

LTC4061：100mA至1A锂离子电池充电器

凌特公司日前推出紧凑型独立线性单节锂离子电池充电器LTC4061。该器件具有改善充电安全性、简化充电终止和状态报告并延长电池寿命等功能。LTC4061具有一个用于适宜温度充电的热敏电阻器接口，一个作为备份充电终止的可调计时器和精确的浮动电压以防止电池过充电。为消除以最大速率充电时过热的风险，专利的热调节电路可使LTC4061的结温保持存安全水平。此外。I／O引脚存绢流、正常和充电结束模式时能够报告充电状态，     

4H-SiC TSOB结势垒肖特基二极管的结构优化设计

室温下,沟槽底部有氧化物间隔的结势垒肖特基二极管的击穿电压达到2 009V,正向导通压降为2.5V,在正向偏压为5V时,正向电流密度为300A/cm2。在P型多晶硅掺杂的有源区生成双层SiO2间隔,以优化漂移区电场分布,正向导通压降为2.5V,击穿电压达到2 230V,耐压值提高11%。反向电压为1 000V时,反向漏电流密度比普通结构降低90%,有效地降低了器件的漏电功耗。普通结构的开/关电流比为2.56×103(1~500V),而改进结构的开/关电流比为3.59×104(1~500V)。     

一种基于肖特基二极管的逆导型SOI-LIGBT

提出了一种逆导型(RC)SOI-LIGBT。通过在LIGBT阳极发射结反向并联一个肖特基二极管,在没有增大LIGBT正向导通压降的情况下,消除了传统阳极短路RC-LIGBT在正向导通时的电压折回效应。通过二维仿真软件对器件稳态、瞬态的电学特性进行了分析。仿真结果表明,与传统的SOI-LIGBT、续流二极管相比,该RC-LIGBT具有更高的击穿电压,且击穿电压不受阳极掺杂浓度的影响。该器件的反向恢复电荷减小了15.2%,软度因子提高一倍以上。     

LTC4085：电源管理/二极管控制，电池充电器

凌特推出用于便携式USB装置的单片自主电源管理器、理想二极管控制器和独立电池充电器LTC4085。该器件具有电源通路控制功能，可为USB外围设备提供电源，并从USB VBUS或墙上适配器电源为该外围设备的单节锂离子电池充电。当系统负载电流提高时，LTC4085自动降低电池充电电流。为确保总线连接时完全充电的电池仍保持满电量，该集成电路通过USB总线直接向负载供电而不是从电池吸取功率。一旦去掉电源，电流就通过内部200mΩ低损耗理想二极管从电池流向负载，从而最大限度地减小压降和功耗。该器件提供用于驱动一个可选外部PFET连接的板载电路，在应用需要的情况下把理想二极管的总阻抗降至50mΩ以下，从而实现较高的工作效率。     

SMCJ-HR系列等：瞬态抑制二极管

Littelfuse公司为用户提供高可靠性瞬态抑制二极管的定制升级筛选和分类处理流程。此类元件能够保护敏感电子设备免受雷击浪涌和其他瞬态电压事件引致的电压瞬变的影响，并针对航空电子直流线路保护和其它要求高可靠性的应用做了特殊筛选和分类。     

4H-SiC TSOB结势垒肖特基二极管静态特性

为增强器件的反向耐压能力,降低器件的漏电功耗,采用Silvaco TCAD对沟槽底部具有SiO₂间隔的结势垒肖特基二极管(TSOB)的器件特性进行了仿真研究。通过优化参数来改善导通压降(V_F)-反向漏电流(I_R)和击穿电压的折衷关系。室温下,沟槽深度为2.2 μm时,器件的击穿电压达到1 610 V。正向导通压降为2.1 V,在V_F=3 V时正向电流密度为199 A/cm²。为进一步改善器件的反向阻断特性,在P型多晶硅掺杂的有源区生成一层SiO₂来优化漂移区电场分布,此时改善的器件结构在维持正向导通压降2.1 V的前提下,击穿电压达到1 821 V,增加了13%。在1 000 V反向偏置电压下,反向漏电流密度比普通结构降低了87%,有效降低了器件的漏电功耗。普通器件结构的开/关电流比为2.6×10³(1 V/-500 V),而改善的结构为1.3×10⁴(1 V/-500 V)。