基于0.13μm工艺的8Mb相变存储器

采用0.13 μm工艺,4层金属布线,在标准CMOS技术的基础上增加3张掩膜制备了一款8 Mb相变存储器.1.2V的低压NMOS管作为单元选通器,单元大小为50 F2.外围电路采用3.3V工作电压的CMOS电路.Set和Reset操作电流分别为0.4 mA和2 mA.读出操作的电流为10 μA,芯片疲劳特性次数超过了1...     

一种基于电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路

基于相变存储器的擦操作(SET)特性,设计了一种能够产生电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路,采用130 nm标准CMOS工艺将其与128 kb的相变存储器实验芯片集成.相比传统的单一电流脉冲擦驱动电路,这种改进后的擦驱动电路能将相变存储单元的电阻均值从15 kΩ左右降至7 kΩ左右,并且存储阵列的阻值分布一致性也得到提升...     

基于编程电流/电压的相变存储器写驱动电路

相变存储器发生相变时各个单元存在差异性,为了改善其写入数据时的可靠性及芯片的成品率,设计了一种可分别用电流扣电压脉冲编程的写驱动电路.针对相变存储器SET过程的特性,写驱动电路可有选择地产生电流阶梯波或电压阶梯波.设计采用SMIC 130 nm CMOS标准工艺库.对相变存储单元进行了测试,结果表明,用电流梯度波写驱动电路替代传统单一脉高电流脉冲波写驱动电路,相变存储器的低阻分布更加集中,可提高实验芯片的成品率.     

相变存储器中驱动二极管之间串扰电流的分析与减小方法

由于二极管在单元尺寸上的优势,被认为是高密度相变存储器中驱动管的不二之选.如果制备二极管的工艺参数不恰当,则大的漏电流会影响PCRAM存储数据的准确性和长久的保持力.首先简要介绍了具有自主知识产权的相变存储器中驱动二极管阵列的制备方法,然后从载流子分布以及半导体器件角度,分析了驱动二极管之间串扰电流的产生原因,最后,依据工艺流程介绍了一种简单的方法来减小驱动二极管之间的串扰电流.依据SMIC的工艺进行TCAD仿真,结果表明此种方法能够在增大驱动电流的同时大大减小串扰电流.     

一种高精度CMOS带隙基准电路的设计

采用ASMC0.35μm CMOS工艺设计了低功耗、高电源抑制比(PSRR)、低温漂、输出1V的带隙基准源电路。该设计中,偏置电压采用级联自偏置结构,运放的输出作为驱动的同时也作为自身电流源的驱动,实现了与绝对温度成正比(PTAT)温度补偿。通过对其进行仿真验证,当温度在-40～125℃和电源电压在1.6～5V时,输出基准电压具有3.68×10-6/℃的温度系数,Vref摆动小于0.094mV;在低频时具有-114.6dB的PSRR,其中在1kHz时为-109.3dB,在10kHz时为-90.72dB。     

AB类功率放大器驱动电路的研究与设计

功率放大器是无线系统的重要组成部分,驱动电路是任何一类功放都必不可少的。各类功放的设计已有大量的文献发表,但只有较少的专利和文献涉及驱动电路的设计。AB类功率放大器是目前应用比较多的一种,因此AB类功放驱动电路的研究具有重要意义。针对MOS管的BSIM3模型,提出和分析了AB类经典功放的多种驱动电路方案,最后用HSpice对每个所设计的驱动电路进行了精确的仿真,验证了其可行性及正确性。     

一种带隙基准电压源的设计与仿真

设计了一款带隙基准电压源,基于0.18μm的CMOS工艺,在Hspice下仿真,仿真结果表明,温度在-25~80℃内变化时,温度系数为9.14×10-6℃;电源电压在3~5 V之间变化时,基准电压在1 250±43 mV内变化,满足设计要求。     

中小屏幕TFT-LCD驱动芯片的输出缓冲电路

在分析中小屏幕TFT-LCD驱动芯片的负荷特性的基础上,提出了一种新型的驱动电压输出缓冲电路结构.通过负反馈动态控制输出级的工作状态,具有交替提供拉电流和灌电流的驱动能力,可有效抑制输出电压的波动.与传统的两级运算放大器电路相比,该电路结构简单,稳定性能好,降低了静态功耗并节省了芯片面积.采用0.25μm CMOS工艺设计并实现了两种不同输出电压的缓冲电路.HSPICE仿真结果表明,输出电压缓冲电路的静态电流为3μA,Offset电压小于±2mV.同时,当TFT-LCD的驱动电压在-8～+16V之间切换时,输出电压的波动范围小于±0.4V,输出电压的恢复时间小于7μs.经对工程样片的测试知,其性能完全满足中小屏幕TFT-LCD驱动控制芯片的要求.     

高压、高效率白光LED驱动电路的研究与设计

设计了一种高效率的高输入电压,恒定电流输出的白光LED驱动芯片.采用高压工艺,以脉宽调制(PWM)峰值电流的控制方式,实现了宽范围电压输入、恒定电流输出的LED驱动芯片的设计.内部集成了带隙电压基准源,产生0.25V的参考电压.芯片设计采用了高压横向扩散金属氧化物半导体场效应管(LDDMOS),设计了电压预调整电路,实现了输入电压范围在85V-400V间变化,输出电流在1毫安到1安培间设定.芯片仿真结果显示电能转换效率最高可达90%以上.     

320×240非制冷红外焦平面阵列驱动电路的设计

在介绍了320×240非制冷红外焦平面阵列工作原理的基础上,详细分析了非制冷红外焦平面阵列驱动电路的组成原理、设计方法,重点是偏置电压电路、脉冲电压与控制信号驱动电路、焦平面工作温度检测及控制电路的设计等关键技术。提出了一种自适应工作点的驱动电路设计方法,并对主要驱动信号进行了仿真,给出了主要原理框图。试验结果表明:该电路达到了理想的效果,适用于宽的工作温度,具有体积小、实用性好、可靠性高等特点。     

半导体激光器驱动电路设计

设计了一种半导体激光器驱动电路,论述了半导体激光器的构造及其电路原理,阐述了半导体激光器驱动电路中恒流电路与恒压电路的工作原理与设计思路.通过在电路设计中增加恒压电路模块,有效地降低了半导体激光器的功耗.     

非制冷红外探测器低噪声驱动和处理电路的设计研究

随着科学技术的发展,红外波段的成像技术越来越得到人类的重视,其中,非制冷红外探测器作为新一代红外成像的主要工具,在国防和民用中都得到了广泛的应用.根据非制冷红外焦平面阵列的应用需求,设计了一种具有低噪声性能的驱动电路,从电源、偏压、时序驱动、信号处理四个方面对电路进行了改进,测试结果表明,该电路电源噪声在22 μV内,偏压可调范围为0.002～4.960V,噪声小于1 5μV,非均匀性校正后成像效果显著提高,达到了低噪声设计指标.     

基于FPGA的帧转移面阵CCD驱动电路设计

针对e2v公司的CCD67 Back Illuminated NIMO型CCD,对其驱动能力进行详细的分析;选用LM117T和LM317T设计CCD所需的偏置电压;DS0026来完成设计CCD驱动器;AItera公司的可编程逻辑器件EPF10K30RI240-4来设计CCD的驱动时序.实验结果表明,设计的CCD驱动电路可以满足CCD的各项驱动要求.     

新型电流基准源的设计与实现

通过比较几种典型的电流基准源在电路结构、温度特性等方面的优缺点,研究了双极／BiCMOS工艺的电流基准源设计技术。提出了新型的无需启动电路的PTAT（与绝对温度成正比）电流基准源的设计方法,并由此扩展到零温度系数电流基准源的设计技术。最后,用这种新型PTAT电流基准源和零温度系数的电流基准源分别实现了一种高性能精密运算放大器和模拟振荡器电路。     

应用LCD驱动芯片实现OLED驱动电路的设计研究

基于OLED的应用对AM-LCD和AM-OLED的驱动原理进行了深入的阐述,并结合理论进行TFT-LCD芯片的改进设计,将其应用到AM-OLED的驱动电路当中.对基于现有TFT-LCD驱动芯片在OLED驱动电路中的改进应用具有一定的参考价值.     

基于开关选通控制网络的FED驱动电路设计

基于开关控制技术提出了一种开关选通电流型FED驱动电路。该驱动电路包括FET开关选通电路、数字视频锁存电路及PWM调制转换电路等部分,开关选通电路每8路构成一组,各组同步工作,既减少了电流源数量又保证了PWM脉冲有较大的占空比,PWM信号最大脉宽可达TH/8。采用本驱动电路使得在一行内只有1/8的像素数同时导通,有效降低了行扫描驱动电路的输出电流和功耗,同时相邻阴极依次导通减弱了极间电容影响,有利于改善PWM调制性能。     

几种典型的电流源结构和高精度基准电流源的设计

本文介绍并分析了几种典型的电流源结构,并设计了一种具有良好稳定性和高精度的CMOS基准电流源.在高精度的基准电流源电路中使用了带隙电路,使电路获得一个不受电源电压、温度和工艺参数影响的基准电压,然后通过电压-电流转换电路获得稳定的基准电流.HSPICE的仿真结果表明:当温度从-55℃到125℃变化时,电流输出仅变化了0.004.     

一种实时检测芯片内部温度的电路实现

传统的基于Verster原理检测芯片内部温度的电路有着误差较大、结构相对复杂的缺点。在传统电路基础上提出了一种采用电流镜法的实现电路，此种电路能够避免由于温度对器件的影响而造成的误差，且电路结构简单。对此电路及性能指标进行了模拟仿真，结果表明了此电路灵敏度高、误差小。     

非带隙低功耗低温漂CMOS电压基准电路设计

通过Vth与VT(热电压)相互补偿原理,提出一种新型非带隙CMOS电压基准源,其输出基准电压具有极低温度系数.采用0.34μmFoundry18工艺模型和Candance Spectre EDA工具对电路进行模拟验证,获得以下结果:输出电压为552.845mV(T=27℃,VDD=3.3V),温度系数为1.98ppm/℃(-30℃℃～+130℃),功耗为21.85μw.电源电压从2.5V变到4.5V,输出电压的变化为0.15％(相对于VDD=3.3V时的输出).该电压基准源可望应用于高精度、低功耗IC系统的设计研发.