CdTe反常热膨胀系数和能隙的温度关系

采用３个特征频率的声子模型，较好地拟合了ＣｄＴｅ的０￣３０Ｋ反常线膨胀系数ａ和０￣３００Ｋ能隙Ｅｋ的温度关系实验曲线，结果表明ＴＡ声子是导致ＣｄＴｅ低温线膨胀系数反常的原因，能隙随温度的漂移主要受电子－ＴＡ声子相互作用的影响。     

利用有限元法研究散射体对一维声子晶体板中声信号传播的调控作用

声子晶体是一种新型的人工复合周期性材料,其几何参数和材料参数对声信号能带结构有着很大的影响。文章运用有限元的方法计算分析基体为硅时,散射体材料分别为钨和金时的能带结构,结果表明,材料参数对声信号带隙位置有显著影响,散射体为金的带隙比散射体为钨的带隙窄,通过比较具有圆柱形和正四棱柱形散射体样品板中声波的能带结构,发现散射体的形状对低频范围内声信号的禁带分布也有很大影响。     

Holstein分子晶体模型能带结构的温度依赖性

研究了温度对Holstein分子晶体模型能带结构的影响,结果表明固体的能带宽度和禁带宽度都与电子和热声子相互作用以及热膨胀密切相关.对一维Li原子品格链,在所选定的参数下,1s和2s的能带宽度随着温度的增加而变窄,两带之间的禁带宽度变宽,这些结果与实验结果在定性上是一致的.显然,研究能带结构的温度依赖性对于理解固体的光学和输运性质都是十分重要的.     

局域共振型磁流变隔振支座低频完全禁带研究

将声子晶体及超材料理论引入磁流变弹性体隔振支座的设计,构建了局域共振型的隔振支座,并研究其低频完全禁带及振幅分布。结果表明,改变共振型超材料单元质量块的形状,系统不仅在低频处出现共振禁带,且在稍高处产生多条布喇格散射宽禁带。这将为隔振支座设计提供新的思路。     

二维固-气声子晶体带隙特性的研究

本文基于时域有限差分法数值模拟了二维固-气正方声子晶体结构带隙特性,计算了填充率和晶格常数对带隙特性的影响,研究得到填充率在f=0.8时形成最宽带隙,这对声子晶体结构的设计提供了理论基础。     

红外光学薄膜材料折射率温度特性的研究方法

红外光学系统中靠近探测器的光学元件通常处于低温环境中,低温环境会使得光学元件表面薄膜的透射光谱发生漂移,进而严重影响红外光学系统的成像质量。研究发现光谱漂移是由于系统中红外光学薄膜的折射率发生了改变。论文针对红外光学薄膜材料折射率温度特性开展了研究,在光学薄膜理论基础上,通过分析几种波长色散模型的特点,提出了一种红外光学薄膜材料折射率温度特性的研究方法。该方法基于不同温度测得的透射率光谱,通过光谱反演得到不同温度条件下光学薄膜材料的折射率,并在Cauchy色散模型的基础上,通过数据拟合分析,能够得到红外光学薄膜材料的折射率温度/波长色散公式。采用该方法对PbTe、Ge两种典型红外光学薄膜材料折射率温度特性进行了分析研究,验证了该方法的可行性。     

用模型参数优化法改进带隙基准的温度

以GP模型理论和工艺数据为基础,提出了模型中关键温度参数XTB和XTI的优化方法.以典型的带隙基准电路为例,经Hspice仿真分析表明,在-55～125℃范围内带隙基准的温度特性得到较好的改善.     

一类慢变周期结构光子晶体的能带特性研究

本文改造了一种周期厚度保持不变，但相邻周期内部高低折射率区的厚度发生缓慢变化的变周期结构的光子晶体，并对其光子能带特性进行了分析。研究发现，本文所提出的两端带有慢变结构的光子晶体能够有效地拓宽光子能带带隙，与均匀结构相比，拓宽率可以达到200%以上。     

二维声子晶体能带特性研究

介绍声子晶体的概念及其种类,基于平面波展开法,设计了以环氧树脂为基底,铝为散射体材料的二维XY模式声子晶体,模拟得到了能带范围为5．838KHz至8．981KHz,比较了铝、铝2和铝3的能带结构,得到随着铝密度和杨氏模量的增加,剪切模量的减少,能带宽度增加。同时还比较了随着散射体半径的增加,计算得到能带宽度也增加了。结论为二维XY模式声子晶体器件的制作提供理论参考。     

二维色散介质光子晶体的能带结构求解问题研究

给出了一种计算二维色散介质光子晶体能带结构的方法,研究二维色散介质光子晶体的特性。考虑色散光子晶体,即介电常数ε=ε (ω)与频率ω相关,求解一个非线性特征值问题得到能带结构。首先,基于光子晶体电磁波传播的控制方程组推导出变分形式,对离散以后的非线性问题选择合适的解作为初始值,基于牛顿法对不同的波矢k值求解该非线性问题,获得色散关系ω(k),从而得到光子晶体的能带结构分布。基于数值方法,求解了几种不同的色散介质光子晶体在横电（TE）、横磁（TM）模式下的能带结构,数值结果表明该方法是有效的。     

CMOS带隙基准源温度补偿的研究

在模拟和混合集成电路中,CMOS带隙基准源是应用广泛的重要单元,针对温度补偿对基准源性能的影响,本文从介~CMOS带隙基准源的基本原理出发,分析了一阶补偿、二阶补偿以及更高阶补偿的CMOS带隙基准电路结构。     

极性半导体量子点中双极化子LO声子平均数的温度依赖性

采用Huybrechts线性组合算符法和Lee-Low-Pines变分方法研究了极性半导体量子点中双极化子性质的温度依赖性,推导出了量子点中双极化子的LO声子平均数的表达式。数值计算结果表明,双极化子的LO声子平均数随两电子间相对距离的增大或温度的升高而减小,随电子-LO声子耦合强度的增加而增大;两电子间的相对距离、电子-LO声子耦合强度和温度是影响双极化子束缚态稳定性的重要因素。     

十字型结构声子晶体带隙及等效模型研究

该文设计了一种新型十字型声子晶体结构,并采用有限元法对其进行了研究;分析了此结构若干共振频率下的振动模态,分别建立了带隙起始频率与截止频率处振动模态的简化模型,探究了结构与材料参数对带隙的影响,验证了简化模型的合理性;最后计算了结构的反射系数与透射系数。结果表明,该结构带隙产生机理属局域共振型,能够在中低频段内产生一个完全带隙。通过对金属芯体密度、基体密度、包覆层的宽度及弹性模量等因素的调节,可以实现对带隙上、下界频率的调节,结构的反射系数与透射系数随入射波频率的变化也与带隙图相应证,当带隙图显示出现带隙时,结构的透射系数也随之下降。     

新型多重开孔式声子晶体低频带隙研究

设计了一种新型多重开孔式局域共振声子晶体结构,结合有限元法计算并分析所设计结构的带隙生成机理和振动特性,并在此基础上进一步分析了带隙影响因素。结果表明,与传统的全连接结构相比,该单元结构质量较轻,且带隙更宽,可在40.8～256.7 Hz范围产生带隙,带隙宽度达215.9 Hz,占整个低频范围的92.95%。通过进一步优化结构参数,第一带隙起始频率可低至36.1 Hz,带宽为174.1 Hz。该结构保证较轻质量的同时可实现低频内的较宽带隙,对飞机、潜艇等舱室的低频降噪具有潜在应用前景。     

半导体纳米材料光学吸收谱的温度效应

观测了半导体纳米薄膜材料,在室温下的紫外-可见吸收光谱及随测量温度变化至液氦温区的光谱变化,考察光吸收边随温度降低发生蓝移的情况,进而分析温度效应对晶格参数及电子-声子相互作用的影响,造成其能带漂移.     

光纤玻璃的Sellmeier系数和色散与温度的关系

Ｓｅｌｌｍｅｉｅｒ系数与温度的关系是使光纤传输系统的光设计参数最佳化所必须的。首次计算出了石英玻璃，铝硅酸盐玻璃和维克玻璃的Ｓｅｌｌｍｅｉｅｒ系数，以找出在从ＵＶ至１．７μｍ区域的任一波长上色散与温度的关系，零色散波长λ。（２６℃时，石英玻璃为１．２７３μｍ，铝硅酸盐玻璃为１．３９３μｍ，维克玻璃为１．２６５μｍ）随温度的变化呈线性变化，铝硅酸盐玻璃和维克玻璃的ｄλ０／ｄＴ为０．０３ｎｍ／ｋ。石英     

碲镉汞禁带宽度与合金组分和温度的关系

我们从22个不同研究得到的数据导出了Hg_(1-x)Cd_xTe禁带宽度E_g的新的经验公式,即E_(?)=-0.302+1.93x+5.35(10~(-4))T(1-2x)-0.810x~2+0.832x~3。该式在组分值的全部范围内和从4.2K到300K的温度范围内都是正确的。估计标准误差是0.0013eV,比以前发表过的其他表达式的标准误差至少要改善15%。     

双极型静电感应晶体管的温度特性

通过双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）与普通双极型晶体管（ＢＪＴ）温度特性的对比，研究ＢＳＩＴ的温度特性。由实验看出，影响ＢＳＩＴ温度特性的主要因素是载流了迁移率μ和邮源极越过势垒的电子数目ｎ。以盯可解释几个在观察ＢＳＩＴ温度特性时所遇到的现象。     

温度系数可调的基准电压产生电路研究与设计

由于TFT-LCD显示屏的物理特性随温度而发生变化,驱动电路必须提供具有相同温度特性的驱动电压,以补偿显示屏的温度特性,进而提高显示画质。文章研究并设计了一种用于TFT-LCD彩屏手机驱动芯片的基准电压产生电路,其输出电压的绝对值与温度系数可编程调节,从而可实现与液晶显示屏的温度特性相匹配。介绍了该电路的各子模块电路,包括偏置电路、带隙基准电路和输出电压调节电路,详细分析了带隙基准电路所产生的基准电压的温度系数及其调节原理。用Hspice对采用0.25μmCMOS工艺设计的电路进行了仿真。仿真结果表明,基准电压的温度系数可从-1.24~1.13mV/℃变化,输出电压的绝对值可从1.8~2.1V调节,最大可提供负载电流40mA。