真空预处理设备的温度控制

真空预处理设备主要应用于液晶显示器件生产工艺中液晶玻盒的内部深层净化环节,通过对加热、保温、抽真空、充氮气进行自动控制,达到提高LCD产品品质和良品率的目的。文章主要介绍了真空预处理设备的工作原理、实现的功能、控制系统和加热系统,重点介绍了该设备的加热方式、温度控制方式和控制原理。     

高温真空钎焊设备的研制

主要介绍了真空钎焊的发展和高温合金钎焊的工艺特点。根据Inconel 718高温合金钎焊的工艺要求,高温真空钎焊设备应具有高真空度和低泄漏率、高控温精度、高温度均匀性、一定的加热速率和冷却速率等工艺性能。详细阐述了高温真空设备的结构特点和主要关键技术,包括加热室内温度的均匀性、真空度和压升率以及较高的自动化程度等。     

真空电子器件高频钎焊设备的研制

介绍了用于真空电子器件封接的高频钎焊设备的结构及设计难点,该设备可方便更换感应线圈以焊接不同规格尺寸的零部件。     

真空-压力浸渍设备的研制

真空-压力浸渍设备主要用于无线电元件、电器产品的真空加压浸渍,是现代电子产业高标准,高要求所必需的生产设备。介绍了真空-压力浸渍设备在工业浸渍中所应实现的功能流程,以及此设备的主要技术指标,介绍了其主要的机械结构设计,最后对整个设备的控制系统和软件设计也作了简单总结。     

真空气淬工艺研究及设备的研制

介绍了真空气淬炉的技术指标、机械结构、控制系统和软件设计.为了满足工艺对设备的温度均匀性、冷却速度的特殊要求,对设备的强冷系统从冷却介质和冷却方式两方面采取措施,保证工件的冷却速度以及设备的加热温度均匀性满足工艺设计的要求.     

真空探针设备工艺研究

以手动真空探针设备为例,介绍了真空探针设备与常规设备不同的工艺技术,并分析了真空腔体密封方式及操作流程。     

气囊气缸式真空紫外纳米压印设备研制

本文介绍了紫外纳米压印技术原理,以及工艺中模板与基片的平行度对压印质量的影响.研制了气囊气缸式真空紫外纳米压印设备,其通过气囊气缸使模板与基片平行,从而可在大面积基片上确保压力均匀.研制了相应的光学系统,着重讨论了如何实现紫外纳米压印以及光学系统的设计和调整.制备了石英玻璃模板,实现了在商用紫外固化聚合物OG154上的紫外纳米压印,转移复制了具有100nm特征的5cm×5cm面积的纳米结构图形.     

真空系统设计的程序化

在真空系统的设计中,一般涉及到流态判别、流导、泵的抽速和系统的压力等参数。在流导计算中又涉及到不同的管道长度和管道形状,其应用的流导公式不同。有时要反复尝试各种参数使设计的真空系统满足使用要求,使得计算过程非常繁琐。本文介绍了一种真空系统设计的应用程序,可计算常用的20℃空气气体下的流导、差分管参数或系统两端压力等参数,还给出了应用实例。     

五工位真空压力扩散焊设备的研制

真空压力扩散焊是将焊件紧密贴合,在一定的真空、温度和压力下保持一段时间,使接触面之间的原子、分子相互扩散形成连接的焊接方法。而一种金属与非金属的真空压力扩散焊接工艺广泛应用于一种新型高能固体电解质蓄电池的生产上。目前国内生产该种电池的设备还是单工位的。该设备就是在分析了目前市场上对真空压力扩散焊设备的需求情况以及真空压力扩散焊设备存在很多弊端的情况下而研制的。文章重点介绍了五工位真空压力扩散焊设备的主要技术参数、结构特点、控制系统和软件设计。该设备的难点是炉体压头以及压机上、下压盘的平行度（≤2mm）和加荷、卸荷时的压力精度控制。     

真空微电子管的研制

本文介绍了采用硅的各向异性腐蚀、氧化削尖技术制成了发射性能较好的硅尖阴极阵列，并应用硅键合技术研制成真空微电子二极管。测试结果表明，起始发射电压为５－６伏，反向击穿电压大于５０伏，平均单尖发射电流在阳极电压２０伏时为０．０５μＡ。     

CMP中真空供应系统的设计

针对CMP在低生产量及实验室条件下对真空供应系统的特别要求：（1）持续稳定的真空供应;（2）能够及时处理倒流液体;（3）真空电机不易长时间连续工作的要求,从气动性、硬件电路和软件流程图进行全面设计：增加独立的真空槽体和排液槽体,在正常运行情况下二者串联增加真空供应容积,并且自主收集倒流废液,而排液中依然可保证真空稳定供...     

曝光机双玻璃晒架及其真空系统的设计

曝光机是图形转移中的重要设备。传统的迈拉晒架存在着需要赶气、效率低等缺点,已不能满足现代生产的需要。现今双玻璃晒架已在国外中、高档曝光机上普遍采用,但在国内各厂商还不具备生产能力。设计了散射光曝光机的双玻璃晒架系统,研究了玻璃的固定方式、腔体真空、底片吸附等问题,在实验基础上得出了当膨胀密封圈气压为0.03MPa,腔体真空度和底片吸附分别为40kPa和80kPa时,该晒架系统的真空效果较好。     

石英晶振真空传感器及真空计的研制

本文研究了音叉型石英晶体谐振器的谐振阻抗与周围气压的关系，设计了一种全新的自稳幅自跟踪晶体振荡电路和精密动态阻抗测试电路，以测量石英晶振的谐振阻抗。实验测得，当晶振周围气体压强从１０－２Ｐａ上升到大气压时其谐振阻抗相对变化也几乎以相同数量级单调增加，阻抗随气压变化关系与理论分析和国外文献报道一致。利用石英晶振的气压敏感性，本文研制了一种新型的石英晶体真空计，量程从０．１Ｐａ到２×１０５Ｐａ，全量程内无须进行量程切换，各点测量误差小于１２％。     

基于ARM和Linux真空镀钛数据库系统设计与实现

介绍了基于ARM和linux平台真空镀钛数据库系统,该系统记录镀钛过程中的各种参数,包括乙炔和氮气流量,炉温、炉数、真空度等影响镀钛结果的参数以及经过镀钛处理、经检验合格的不锈钢板表面色彩值(黄色、红色)。通过数据库的建立,为镀钛提供样本控制参数,有效提高色彩目标成功率。给出了快速存储及查询的算法。文章的创新点在于用记录信息直接变为数据存储的地址这种方法来编写程序,使查找更方便。     

真空微电子三极管几何参数的设计考虑

真空微电子三极管是近年来兴起与发展的真空微电子学中的一类重要器件。本文从真空微三极管的工作特性出发,分析了这类器件中所需考虑的几何参数和工作特性的关系,并给出了一些理论和实验公式,为今后的设计提供一些参考。     

从真空微电子学到真空纳电子学

微细加工技术和场发射作为电子源促成了真空微电子学的诞生,许多从事微细加工技术、真空电子技术、微波电子学、材料科学、表面科学、薄膜科学等领域的研究人员也开始了这方面的研究工作,1988年在美国召开了第一届国际真空微电子学会议（IVMC）,随后每年一届在世界各地轮流召开。科学技术的发展非常之快,纳米结构、纳米加工技术、纳米材料等也渗透到这个领域,真空微电子学的研究领域也随之扩展,所以2004年在美国召开的第17届国际真空微电子学会议改名为国际真空纳电子学会议（IVNC）。本文就真空微电子学的发展历史,该领域的技术发展做了综述和分析,对目前真空纳电子学的兴起、研究内容的变化做了分析。     

超高真空快速关闭阀控制器的改进

本文介绍了超高真空快速关闭阀是国家同步辐射实验室光束线真空联锁保护和控制系统的关键部件。快速关闭控制器则要求反应速度快、瞬时功率大、抗干扰能力强。本文介绍快速关闭阀控制器的设计与解析，对传统的快速关闭阀控制器有创新的改进措施。     

一种真空开关管真空度测量及校准方法

详细介绍了一种真空开关管真空度测量及校准方法。这种方法对规范真空开关行业真空度测量及校准将起积极的作用。