基于C8051单片机的金属探测器系统设计

为提升和完善金属探测器的性能,并且降低其成本,设计了一种基于单片机C8051F350单片机的金属探测的方案。通过采用平衡式线圈作为接收线圈来感应通电线圈周围磁场的变化,并将磁场的变化转化为电压的变化,经放大器AD620进行放大,在单片机内进行MD转换,并将测得的电压与预设的基准电压相比较来确定是否检测到了金属。本设计采用软硬件结合的方法消除干扰,提高探测器的性能,确保系统的精确性。     

一种基于电压向量分解的金属探测器的研制

本文首先在能耗式检测电路基础上,分析了限制传统金属探测器精度的因素,提出将电压向量分解为有功分量和无功分量,从而将探测线圈电感和电阻的变化分开以检测金属的方法,最后分析了各种属性金属对电压有功分量和无功分量的影响,所提出的检测原理提高了检测的精度和准确性.     

金属物体RF感应电压的危害与测量

金属物体RF感应电压对人员和燃油都有危害.常规RF电压表不能方便、精确地测量金属物体RF感应电压.为配合GJB5046<舰艇金属物体感应电压测量方法>和HJB34-90<舰船电磁兼容规范>的贯彻执行而研制的金属物体RF感应电压测试仪,其频率响应指标和幅度精度指标均符合标准要求,且使用方便,重复性好.     

便携式金属探测仪的设计

文章根据金属切割磁力线引起电压变化的原理 ,设计研制了一种金属探测仪。基于被检测信号具有较大动态范围的特点 ,系统采用了单片机、A/D转换器、D/A转换器组成的三段程控放大器以达到动态调整量程的目的。     

一种用于锂电池保护芯片的低功耗电压基准源

介绍了一种应用于锂电池保护芯片的低功耗CMOS电压基准源.该电路采用耗尽型NMOS管作电流源器件,结合负反馈,实现了稳定的电压基准.这种新型电压基准电路适用于锂电池保护芯片,提供检测基准电压.采用这种基准电路的锂电池保护芯片已在0.6 μm双层多晶硅单层金属的CMOS工艺下实现.测试结果表明,电源电压在2.5～5 V范围内变化时,输出基准电压为1.2 V,变化不超过5 mV,最大工作电流小于1 μA,休眠状态下电流小于50 nA,完全符合锂电池保护电路对低功耗基准源的要求.     

基于L6562的金卤灯电子镇流器恒功率控制技术

设计了一种可用于小功率金属卤化物（MH）灯的电子镇流器。电路的主要特点是成本低,电路简单,可靠性高。利用L6562内部自带的运算放大器根据输入电压和负载的变化而引入负反馈,以达到近似恒功率控制的控制策略。实验结果表明,当灯电压变化&#177;15%左右时,采用该控制策略,输出功率变化可控制在5%左右。     

金属化薄膜电容器金属损耗检测的实验分析

金属化薄膜电容器在高频、高电压、高脉冲、大电流场合下使用，易发生损耗变化。通过对RDBWA—522灌注机焊接头定位，焊接头机械压力及焊接功率的调整试验，找到了金属化薄膜电容器损耗变化的主要原因是金属损耗变化，并对焊接状态对金属化薄膜电容器金属损耗的影响进行了详细分析。     

基于等离子体光强信号的激光除锈实时监测系统

激光除锈是一种利用激光去除金属锈蚀物的新颖去锈方法,激光除锈过程的实时监测系统是检测激光除锈效果的关键技术。采用价格便宜的光电二极管探测器件,检测除锈过程中激光诱导等离子体的光强信号,并利用示波器将其转换为电压信号。根据不同激光能量辐照时峰值电压的变化可确定清洗阈值,根据同一点多次辐照的峰值电压变化可判断锈蚀层是否清除干净。这种检测方法快速有效、操作简单且成本低,为分析和控制激光除锈工艺提供了依据。     

50Hz交流电控制的可变焦液体透镜

研究了采用"金属导电基底/Parylene介电层/Teflon疏水层"透镜内芯材料的介电上电润湿(EWOD)特性。实验获得了导电液滴分别在直流电(DC)和50Hz交流电(AC)控制下的接触角随电压变化的曲线。实验结果表明,为达到DC电源控制下的液滴的EWOD相同效果,使用低频的AC电压应考虑其瞬时最大值而不是有效值(均方根值)。目前已经制作出基于50Hz交流电控制的可变焦液体透镜并进行加电压变焦实验。给出了该液体透镜的焦距与电压之间的变化曲线,实验结果与上述分析一致。     

铌酸锂双面金属包覆波导电压传感特性

设计了一种利用铌酸锂作为波导基片的双面金属包覆平板光波导,利用波导中超高阶导模高敏感特性制成了一种反射型光学电压传感器。入射激光束采用小角度入射,当光波导处于导模共振状态时,选择一个恰当的工作点,再通过两金属电极对该器件施加直流电压,通过检测反射光强,获得相应的电压值变化。实验测量中所用的电压范围是-800～800V, 得到的线性度值为0.995,波导反射光的反射率变化灵敏度为0.2V-1,实验表明这种电压传感器具有较好的线性和灵敏度,该新型电压传感器具有结构与制作简单、调节方便和成本低廉等优点。     

TFT-LCD公共电压耦合畸变的影响因素及与线残像关系的研究

为了解决TFT-LCD的线残像不良,对信号线与公共电极之间的电压耦合的大小和影响因素进行了研究。利用金属熔接技术,测量了屏内公共电极电压在信号线电压作用下发生的耦合畸变的大小,并将其与线残像的严重程度进行了对比。同时通过对不同的影响因素,即版图设计、信号线电压及反转方式、TFT工艺流程、TFT膜质调整分别进行了研究和测试。结果显示信号线和公共电极及绝缘层构成了MIS结构的电容,电容容值的变化导致的公共电压耦合程度与线残像的严重程度呈现明显的对应关系。通过改变非晶硅半导体层的介电常数或者尺寸设计,可以减小信号线与公共电极间的寄生电容(包括信号线金属与公共电极线金属的交叠电容和信号线与像素公共电极间的侧向电容),降低公共电极电压的耦合程度,改善线残像不良。其中提高信号电压转换频率和用紫外光照射半导体层的改善效果最为明显,耦合电压分别下降了55%和62%,线残像的消失灰阶从L172或更高转变为低于L127。研究成果对于大尺寸、高分辨率、高亮度、低功耗的TFT-LCD产品的设计和性能改善,有着重要的指导和参考意义。     

射频电缆金属皱纹管轧制用弯月形轧纹模具设计

针对目前常用的偏心环和整体螺旋两种形式轧纹模具存在的缺陷,设计了一种新型射频电缆金属皱纹管轧制用弯月形轧纹模具.详细介绍了该弯月形轧纹模具结构特征和关键尺寸的确定,以及模具加工要点.该弯月形轧纹模具制造的金属皱纹管尺寸精度高,能防止皱纹尺寸出现周期性的变化,提高金属皱纹管射频电缆产品的电压驻波比性能和稳定性,适合于高精...     

大规模光伏电站的防雷评估及雷击风险管理

对大规模光伏电站户外场的雷击感应电压原理进行分析,确定雷电电流波的数学模型,推导雷电冲击电流产生的瞬态电磁场分布。计算了单个光伏电池板上的感应电压,对金属边框和背面铝箔屏蔽层的影响因素进行分析,并通过有限元方法得到相应的衰减因子,计算出了有和没有金属边框这两种情况下的光伏电池板的雷击感应电压。最后给出整个光伏电池串的感应电压的计算方法,计算结果证实上述方法的可行性和有效性。     

电致表面等离子体振子的色选吸收

报道在金属－液晶界面上表面等离子体振子的电致色选吸收现象。当白光入射到金属－液晶界面上时，处于表面等离子体振子谐振频率范围内的那些光子将全部被吸收，于是反射光呈现为互补色。如果用电压来改变液晶的折射率，那么表面等离子体振子的谐振频率也将改变，于是反射光也半呈现出颜色变化。     

高温氩退火对提高Si片质量的研究

首先研究了氩退火对大直径直拉Si单晶表面的空洞型微缺陷的影响。样品在1 200℃下进行退火,退火前后样品上的晶体原生粒子缺陷(COP)利用激光计数器SP1来观察。试验表明Si片经过1 h退火后,表面的COP全部被消除;另外,对样品退火前后的几何参数和金属含量也做了测试,发现样品的几何参数和金属含量都没有明显的变化;最后研究了高温退火对MOS电容栅氧化层性能的影响,结果表明退火前后的样品分别制备为MOS电容,利用斜坡电压法来测试其击穿电压。实验发现,Si片经过1 200℃热处理后,MOS电容的击穿电压有了明显的提高,这表明高温退火工艺能够有效提高栅氧化层的性能。     

铜靶上激光等离子体诱发电势信号的实验研究

纳秒脉冲激光等离子体在周围空间激发电场,以金属靶作为探针即可测定靶上感应电随时间的变化,提出了"元靶探针"探测等离子体电学信号的测试方法.测试数据表明,在无偏置电压条件下,靶电势曲线呈双峰结构,电势峰值随激光能量单调增大;在外加负高压偏置条件下,靶感应电势曲线整体上(约ms)呈单峰结构,电势峰值随偏置电压增大而增大并出现饱和趋势,同时在信号的初期阶段(约700 ns)出现高频振荡现象,振荡频率不随激光能量及置电压发生变化.     

2.5 mW 370mV/pF 高线性度不受寄生电容影响的全对称电容式传感器读出电路

本文提出了一种不受寄生电容影响的适用于电容式传感器的全对称电容电压转换电路。通过引入参考支部实现了对称的读出电路结构,线性输入的范围从而得到增大,两个运放的系统失调也相互抵消,共模点的噪声干扰和偶次谐波得到了抑制。窄波技术的运用进一步减小了运放失调和闪烁噪声的影响。Verilog-A模型的容抗管用来模拟真实的可变待测电容。仿真结果表明该电路的输出电压能够准确的响应待测电容在1KHz频率下的变化。该芯片采用片上金属绝缘金属电容阵列来进行测试。测试结果表明电路的灵敏度为370mV/pF,非线性误差在1%以下,功耗为2.5mW,该电路可以响应由FPGA控制的每隔1ms变化的电容传感阵列。     

MFMIS铁电场效晶体管的制备及存储特性

在磁控溅射法制备Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜的基础上,结合半导体工艺制备了金属/铁电/金属/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的铁电场效应晶体管。器件的顺时针电容-电压(C-V)特性曲线和逆时针漏电流-栅电压(Id-Vg)特性曲线表明,n沟道PZT铁电场效应晶体管具有明显的栅极化调制效应和极化存储性能,且在-5~ 5 V的电压下存储窗口为2 V。     

导线贯通金属腔体端接负载电磁脉冲响应规律*

为分析金属导体贯通腔体时导体腔内端接负载电路的电磁脉冲耦合响应,基于时域有限积分方法的 电磁数值计算软件CST 建立了贯通导体端接负载电磁辐射响应耦合模型,研究了高斯脉冲作用条件下入射电场角 度、贯通孔径、外部导体长度、端接负载等对终端负载响应的作用规律,分析了耦合机理。基于GTEM 室搭建了实验 平台,在贯通导体两端开路条件下,通过测量腔体的屏蔽效能,与数值计算结果对比,两者吻合较好。结果表明:贯 通导体方向的电场分量大小对终端负载耦合电压影响显著;入射波长远大于贯通孔径时,贯通导体为主要耦合通 道;负载耦合响应与裸露导体长度、导体半径成正比;负载变化时,自身响应电压随阻值变化,而对另一端负载响应 电压影响不大,两端阻值变化导致负载响应电压波形的衰减振荡不同;容性或感性阻抗是影响响应电压及频率的关 键因素之一。     

金属-氧化物-半导体集成电路(三)

三、金属-氧化物-半导体集成电路的应用金属-氧化物-半导体器件逻辑电路的工作特点是:电源电压种类多,逻辑摆动范围宽。较之普通的双极型逻辑电路,共输入/输出电平和电源电压一般都低。金属-氧化物-半导体门典型的金属-氧化物-半导体门电路的作用,相当于一个电容器。当它处于高态或低态时根本不通电流,改变电平等于电容器经一个阻值适当高的电阻充电和放电。