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3开放帧中继业务所需设备投资至此,我们有必要对现有DDN和分组上开放帧中继业务所需增加的设备及投资作简要说明。31新桥DDN网上开放帧中继业务需要增加FRS或FRE卡、FIP(FastTbusInterconnectPanel)、FRE-HUBClamp、Cable、FastTbusSTPModule。各设备所需费用介绍如下:FRSCard9700×47%美元FRE14000×47%美元FASTTbusInterconnectPanel(FIP)5500×47%美元FRE-HUBClampCable2… 相似文献
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OPTICALFIBER-MOBILECOMMUNICATION¥FENGXi-Yu;SUNTie-Cheng(DalianUniversityofTechnologyDalian116023)Abstract:Thetechniqueofmobil... 相似文献
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宽带综合业务数字网技术讲座──第四章B-ISDN用户网络接口李英灏(邮电部电信传输研究所)4.1概述本章主要介绍B—ISDN用户网络接口(UNI)当速率为2048kb/s、155520kb/s和622080kb/s时的参考配置的SB和TB参考点的物理... 相似文献
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宁波GSM系统LAC状况 目前宁波GSM系统共有LAC区22个,每个BSC分配一个LAC(除市区BSC23,BSC24外),这样,某些BSC的Location-Update占OK-ACC-PROC的比例(后称LU-RATE)相当高,如余姚BSC8,其LU-RATE高达79.42%,其SDCCH负荷相当重,且已导致SDCCH拥塞,具体每个BSC的LU次数,LU-RATEPAGE-REQUESTS/PAGE-RESPONSE,PAGES-PER-SECOND,SD-CONGESTION-RATE,… 相似文献
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分析了AlxGa1-xAs/GaAsHBT外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响,用光致发光(PL)谱和Al/SiNx-S/GaAsMIS结构C-V特性,研究了GaAs表面(NH4)2S/SiNx钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明,ECR-CVD淀积SiNx覆盖并在N2气氛中退火有助于改善GaAs表面硫钝化效果的稳定性。在此基础上形成了一套包括(NH4)2S处理、SiNxECR-CVD淀积及退火并与现有HBT工艺兼容的外基区表面钝化工艺,使发射区面积为4×10μm2的器件增益比钝化前提高了4倍,且60天内不退化。 相似文献
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日本索尼公司研制的DSR-200A型数字式摄录机可在标准的DVCAM盒式带上录制184min的图像。该机上的NPA-10000/B电池舱可装3节锂离子电池,提供的电能足够摄录机工作7.5h。该机体积为216mm×237mm×474mm,净重3.6kg,售价650000日元(4710美元)。索尼公司研制的DSR-V10型DVCAM式可视随身听配有14cmLCD监视器,该机设计紧凑、重量轻,可连续播放2.5h,还可对画面进行编辑。DSR-200A型数字式摄录机和DSR-V10型可视随身所@吴铭 相似文献
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14位10MHz CCD/CIS信号处理器 总被引:1,自引:0,他引:1
Burr-Brown公司的VSP3100是一款 工作在+5V单电源的完整CCD/CIS图像处理器。这种完整的图像处理器包含处理CCD(电荷耦合器件)信号的3个相关双取样器(CDS)和可编程增益放大器(PGA)(见图1)。3个通道输入(RINP——红色通道模拟输入,GINP——绿色通道模拟输入;BINP--兰色通道模拟输入)也为接触图像传感器(CIS)提供输入。 VSP3100主要特性有: ·集成了3个相关双取样器 ·可选择的工作模式(1通道、3通道,10Msps,CCD/CIS模式) ·0dB~13… 相似文献
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报道Ka频段GaAs单片平衡混频器的设计和研究结果。用自行开发的“TUMMIXER”软件进行电路设计,工艺以半绝缘GaAs为衬底,采用NbMo/GaAs接触形成肖特基势垒二极管,以SiO2和聚酰亚胺双介质为保护膜,增强了工艺的成功率。研制成功的芯片尺寸为:2mm×3mm×0.2mm,在f=31~36GHZ范围内NFSSB≤10dB,最佳点f=32.2GHzNF.SSB=8.7dB[fIF=1.2GHz]。 相似文献
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本文概要报导我们HgCdTeMBE上作的最近进展。一批面积2.0-16.6cm2,组份x0.188-0.30,载流子浓度7.81×1014~1.0×1016cm-3,迁移率1.0×104~1.45×105cm2v-1.s-1和x射线双晶衍射半峰宽(FWHM)64~100arcsec的N型原生HgCdTe外延膜已经得到,某些参数已接近或达到国外报导的典型值,并在国内首先研制了直径为50mm的HgCdTe外延膜。为了评价材料的特性,用一块X=0.243的外延膜经适当热处理后研制了光伏探测器试验阵列,其最好的一元探测率Dλ*=2.44×1010cmHz1/2W-1(λc=7.9μm)。 相似文献
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MolecularDopedPolymerLightEmitingDiodeswithAir-stableAluminumasCathode①②CHENBaijun,HOUJingying.XUEShanhua,LIUShiyong(StateKey... 相似文献