α-SiC∶H薄膜的热行为研究

采用射频反应溅射工艺沉积了αSiC∶H薄膜。利用微分扫描量热器 (DSC)和差热分析仪 (DTA)两种热分析方法确定了αSiC∶H薄膜的脱H过程和相转变温度 ,35 3.2℃脱Si—H和 60 2 .6℃脱C—H ,并在 10 80℃相变结晶。在氮气流保护下的光热炉内进行热处理 ,Fourier红外光谱 (FTIR)和反射谱的研究表明 :40 0℃热处理后薄膜内的H含量急剧下降。高温热处理中的脱H过程有利于游离硅和游离碳的反应形成额外的Si—C键 ,促进薄膜致密 ,并能提高其在紫外部分的反射率 ,降低红外区域的反射率。热处理温度超过 5 0 0℃ ,容易导致薄膜脱落。适当的退火工艺有利于拓展碳化硅薄膜在空间材料上的应用     

碳热还原法低温合成SiC粉末的研究

研究了碳热还原法低温合成SiC粉末。对SiC-C系统进行了热力学分析以指导合成工艺。研究了合成温度、保温时间、SiO2/C配比等对合成SiC粉末的影响,并对合成SiC粉末的成型性能和烧结性能进行了研究,在此基础上制定出较为合理的合成工艺制度。由此制得晶粒尺寸约为0.1um,二次粒径小于0.5um的烧结性能较佳的β-SiC粉末。     

纳米SiC－Ca－α－Sialon复相陶瓷的研究

研究了用表面活性剂有效地分散纳米ＳｉＣ粉体中的聚集体的实验过程，发现分散状态取决于表面活性剂用量、ｐＨ值和浸泡时间。以Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮ，ＣａＣＯ３和纳米βＳｉＣ为原始粉料，用反应热压法制备了不同ＳｉＣ含量的纳米ＳｉＣＣａαｓｉａｌｏｎ复相陶瓷，并分别对其相组成、力学性能和显微结构等进行了研究。     

炭纤维,SiC涂层炭纤维高温下热失重研究

本文通过对炭纤维，ＳｉＣ涂层炭纤维在３３０℃和３７０℃下失重及其它变化的研究而知ＳｉＣ涂层对炭纤维的防护作用很有效，涂层内存在缺陷，但这些缺陷在３７０℃热氧的长期作用下没有明显变化。     

碳热还原法制备重结晶SiC粉末的研究

研究了碳热还原制备重结晶α-SiC粉末的工艺过程，重点讨论了重结晶α-SiC的生长机理，同时，还探讨了SiC各相的稳定范围及工艺参数对产物形貌及产率的影响。     

C－B_4C－SiC复合材料抗氧化性能的研究

对碳／陶瓷复合材料（Ｃ－Ｂ＿４Ｃ－ＳｉＣ）的抗氧化性能进行了研究，结果表明：Ｃ－Ｂ＿４Ｃ－ＳｉＣ复合材料抗氧化性能比碳素材料大大提高，而且烧结助剂对Ｃ－Ｂ＿４Ｃ－ＳｉＣ复合材料的抗氧化性能影响很大。在复合材料中分别加入了Ａｌ，Ａｌ＿２Ｏ＿３，Ｎｉ，Ｔｉ，ＴｉＣ，Ｓｉ等不同烧结助剂，发现添加Ｎｉ的材料抗氧化性能最佳，经１０００℃氧化１５ｈ后，氧化度小于０．５％；加入Ｔｉ，Ｓｉ和ＴｉＣ的次之，不加烧结助剂的又次之，加入Ａｌ和Ａｌ＿２Ｏ＿３的最差。     

溶胶－凝胶法制备SiC－AIN复合超细粉末的研究

用溶胶－凝胶碳热氮化法在１５５０～１６５０℃，５０ｍｉｎ下制得平均粒径为０．２μｍ左右的ＳｉＣ－ＡＩＮ复合超细粉末，粉末烧结性能良好；在较低合成温度下（１５５０～１６００℃），粉末中出现晶须。本研究还探讨了粉末氨化合成条件对粉末颗粒及物相的影响。     

SiC基太阳能热发电吸热陶瓷制备及热性能分析(英文)

吸热材料是塔式太阳能热发电中的核心部件,其热性能起着至关重要的作用。本工作研究了以红柱石、SiC、高岭土以及石英为原料,采用陶瓷制备工艺无压烧结制备SiC基吸热陶瓷。测试和分析了烧结样品的抗折强度、热膨胀系数、抗热震性、热导率、耐火度、氧化增重率、物相组成以及显微结构。结果表明:SiC基吸热陶瓷样品具有高耐火度和热导率、低热膨胀系数和氧化增重率以及良好的抗热震性和均匀的微观结构。经1460℃烧结后,最佳配方样品的抗折强度为32.52 MPa、热膨胀系数为6.32×10–6℃–1、30次热震无裂纹且强度增加率为11.15%、室温热导率为10.03W/(m.K)、耐火度为1 650℃、1 300℃氧化3 h后样品氧化增重率为2.769 mg/cm2。样品主晶相为α-SiC、莫来石和石英,存在较多连通气孔,孔径为10～20μm。如果将吸热器材料用SiC基吸热陶瓷替代,吸热器将会表现出更好的稳定性,可望用于塔式太阳能热发电高温吸热器用吸热材料。     

碳热还原法合成SiC供电参数的研究

在碳热还原法合成SiC生产中,供电参数对SiC产品的产量、质量及能耗有重要影响。以SiC生产实测参数为基础,通过对SiC冶炼过程温度场的数值模拟,揭示了合成SiC的传热传质规律,建立了用数值模拟预测冶炼SiC供电参数的方法,准确预测了单热源炉合成SiC的供电时间为36h,表面负荷为11～13W/cm2,模拟结果得到了生产实践验证。     

煤矸石合成SiC的研究

煤矸石中SiO2 与C具有天然紧密结合的特点 ,这有利于在较低温度下合成SiC。但由于矸石中有相当数量的氧化铝 ,妨碍了SiC的生成。本文研究了在氮气保护下热解活化煤矸石 ,确定了最佳活化条件 ,然后用酸浸去除其中的铝 ,从而达到除铝又不损失碳的目的 ,最终利用除铝后的矸石合成SiC。     

自烧结C,TiC／C和SiC—B4C／C材料的热处理行为

本文研究了自烧结Ｃ，ＴｉＣ／Ｃ和ＳｉＣ－Ｂ４Ｃ／Ｃ材料高处理后的行为变化，实验发现随着处理温度的升高，各类材料的收缩率和重量损失随之增加，自烧结Ｃ和ＴｉＣ／Ｃ材料的弯曲强度逐渐下降，而ＳｉＣ－Ｂ４Ｃ／Ｃ复合材料的弯曲强度在２２７３Ｋ时达到一个最高值。     

SiC窑具材料抗热震性的研究

本文主要对高铝结合剂结合SiC窑具材料抗热震性与材料本质,热循环次数、冷却介质、结合剂含量、成型压力、颗粒级配、杂质引入量诸方面进行探讨并进行电镜分析研究.为合理选择原料,有效控制使用工艺,稳定产品质量,延长窑具材料寿命指出方向.     

α－Al_2O_3／SiC，莫来石／SiC和ZrO_2／SiC二元复合材料的显微结构

用热压法制备了氧化物（刚玉、莫来石、氧化锆）与非氧化物（碳化硅）的二元复合陶瓷材料。采用ＴＥＭ和ＨＲＥＭ等手段对上述材料的显微结构和晶界附近的微区成分进行了研究，确定氧化物与碳化硅相可以直接结合并形成一定厚度的互扩散层     

纳米SiO2包覆SiC填充改性UHMWPE的热性能

采用纳米粒子表面包覆处理技术制备了纳米碳化硅/超高摩尔质量聚乙烯(SiC/UHMWPE)复合材料,并用傅立叶红外光谱(FTIR)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、热重分析(TG)和差示扫描量热(DSC)进行了测试表征。结果表明:纳米SiC经包覆处理后表面有一层均匀致密的SiO2,包覆处理能改善SiC在UHMWPE基体中的分散效果。当SiC质量分数为5%时,UHMWPE/SiC复合材料具有较高的耐热性能和热导率,这是由于纳米粒子包覆改性纳米SiC与UHMWPE基体均匀分散并形成良好的结合界面,增加了填料对UHMWPE的成核作用,提高其结晶度和耐热性能。     

C／SiC复合材料的氧化行为研究

论述了ＳｉＣ的两种氧化行为－活性氧化和惰性氧化以及ＳｉＣ发生惰性氧化时Ｃ／ＳｉＣ复合材料的氧化行为,通过热重分析和电镜观察分析研究了温度,时间,氧含量等因素对抗氧化性能的影响;并对Ｃ／ＳｉＣ复合材料的氧化机理进行了探讨。     

Si－C－O－N系统相稳定性及制备C－SiC纤维和SiC涂层的研究

根据Ｓｉ－Ｃ－Ｏ－Ｎ系统的相稳定性计算，绘制了于平衡状态下相稳定性与Ｎ＿２分压和Ｏ＿２分压以及相稳定性与Ｎ＿２分压和ＳｉＯ分压的关系图，发展了以气态ＳｉＯ与碳纤维反应将碳纤维转变为ＳｉＣ纤维，以及气态ＳｉＯ与ＣＯ反应于碳纤维上形成ＳｉＣ涂层的新方法。本文介绍这两种方法的工艺原理和主要实验结果。     

第十届国际热分析协会简介和国外热分析研究及应用动态

一、第十届国际热分析协会简介第十届国际热分析协会(10thICTA)于1992年8月24日至28日在英国Hatfield的Hertfordshire大学举行。我应大会主席D.V.Nowell教授邀请出席会议。到会代表约300人。来自世界几十个国家和地区的热分析专家济济一堂,进行学术交流,报告近年来最新的研究和应用成果,探讨共同感兴趣的问题。24日上午举行开幕式,D.V.