流出分支管道引起的三维磁流体动力学效应研究

介绍了在液态金属实验回路上开展分支管道接口引起的三维磁流体动力学效应研究所取得的结果,包括分支管道阀门开,闭两种状态下的流速分布和三维ＭＨＤ压降效应修正项;并了二维ＭＨＤ效应和部分区域流速未全展开对实验结果的影响。     

流体从分支管道流人引起的3维磁流体动力学效应

分支管道引起的磁流体动力学(MHD)效应是磁约束聚变堆液体金属包层或自冷包层的关键问题之一。然而,由于磁流体的复杂性和实验条件的限制,尤其2维(2D)和3维(3D)效应的实验数据还很少,分支管道的MHD效应实验结果尚未见报道,而且MHD压降理论值与实验值相差10％～25％,何种原因尚未深究。继开展流出分支管道引起的磁流体动力学     

涂层裂纹引起的MHD效应不稳定性实验模拟

介绍了用铜电极和铜导线模拟管道内电绝缘涂层裂纹，引起磁流体动力学（MHD）效应的最新实验结果。结果表明：绝缘涂层的裂纹不仅使MHD压降大大提高，而且产生MHD效应的不稳定性。边界电位差U和MHD压降△P产生跃变，偏离了经典规律，跃变的幅度达100%；且在实验参数不变的情况下，边界电位差U和MHD压降△P随时间在振荡。     

流出圆形分支管道引起的MHD效应实验研究(英文)

介绍了在液态金属实验回路上开展的流体从分支管道流出引起的三维(3D)磁流体动力学(MHD)效应研究所取得的结果。包括两种情况下的流速分布和三维 MHD 压降效应,即磁流体流出分支管道阀门关闭和开启状态下实验值和理论值的比较,通过理论分析得出三维 MHD 压降效应的修正因子。     

ITER中国液态锂铅实验包层模块液态金属流动MHD效应数值模拟

为研究国际热核聚变实验堆(ITER)的中国双功能锂铅实验包层模块(DFLL-TBM)中液态金属磁流体动力学(MHD)效应,对在强磁场环境下磁流体动力学效应对液态金属LiPb流动和传热的影响进行数值模拟和分析.主要包括三部分:(1) 建立模拟液态金属磁流体的磁感应方程数学模型和程序简介;(2) 对液态LiPb MHD流体在全模块内流动的数值模拟,给出了速度场和压力场分布,重点考察和分析局部的流动特点和对传热的影响;(3) LiPb在进口供给联箱内的流场的数值模拟,对供给联箱的分流作用给出了初步的估算和评价.     

二维流速分布引起的MHD压降效应

磁流体动力学流体在管道截面上的流速分布关系到材料的相容性、传热以及磁流体动力学(MHD)压降。为此研究了矩形管道截面中心线上的流速分布利由于二维流速分布引     

二维流速分布引起的MHD压降效应(英文)

磁流体动力学流体在管道截面上的流速分布关系到材料的相容性、传热以及磁流体动力学(MHD)压降。为此研究了矩形管道截面中心线上的流速分布和由于二维流速分布引起的MHD压降效应。在这一领域,首次得出的二维效应因子,解释了目前的理论值为什么比实验值低的原因。     

宽禁带半导体低维纳米结构力敏效应的研究

选择了均匀沉淀法来制备氧化锌纳米颗粒,用PEG200进行表面改性,使制备的氧化锌纳米颗粒更加分散。利用X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)表征证明了制备样品是粒径约20nm的氧化锌纳米颗粒,结晶性良好、粒径均匀,单个颗粒呈米粒状,颗粒相连呈薄片状。最后通过半导体特性分析仪(Agilent 4156C)和精密阻抗特性分析仪(Agilent 4284A)分别测量了受不同力时的氧化锌纳米颗粒的特性粘度(I-V特性)和阻抗值,并进行分析,得出其力敏特性。分析得出氧化锌纳米颗粒应用于加速度传感器、压力传感器、位移传感器、振动传感器、角度传感器等的可能性,具有广泛的应用前景。     

基于首次碰撞源方法的多维SN射线效应研究

通过半解析法求解由孤立点源产生的未碰撞中子源项,进而求出首次碰撞源分布,以将孤立的源分布到更广的范围中,从而减轻由离散纵标法计算产生的射线效应。编制了适应于三维离散纵标计算程序CTDOS的射线效应减轻程序REM3D,与Kobayashi三维基准题的结果进行比对,证明了射线效应减弱的正确性与本程序的可行性。     

BF_3正比管的管壁效应

本文从实验上证明,BF_3正比管慢中子反应核脉冲分布曲线低能段的两个平台式分布,是由于反应产物氦核及锂核的管壁效应所引起的。     

涂层裂纹的MHD压降研究

目前的研究已表明,自冷包层中的MHD压降问题可以在与液态金属流体接触的通道壁上涂电绝缘陶瓷涂层或自修复涂层而得到很好的解决。但因热应力等因素引起陶瓷出现裂纹或剥落,在陶瓷涂层出现裂纹或剥落后的MHD压降需要开展相应的实验工作。考虑到低成本和方便的涂层工艺,本研究中的绝缘涂层使用了     

1.55 MeV 3He离子辐照单晶Si引起的损伤效应研究

室温下使用1.55 MeV、5×1013-5×1016/cm2注量的3He离子注入单晶Si,采用透射电子显微镜(TEM)观测分析了高温退火后单晶Si中由注入引起的损伤形貌,同时使用核反应分析(NRA)技术研究了3He气体原子的热解吸.结果显示,低注量3He离子注入在Si中产生的缺陷主要为一些小尺寸的位错或位错环;在中等照射剂量,退火导致了气泡和气泡团簇的形成并伴随着高密度的位错环从这些气泡团簇中发射出来;而对于较高的照射剂量,3He离子注入加上随后的高温退火则在离子射程附近产生了一个具有确定边界的空腔带.结合NRA结果对实验现象进行了分析.     

铁基纳米微晶薄膜巨磁阻抗效应的Mossbauer研究

本文采用Mossbauer谱学方法以及其它手段对FeCuNbSiB薄膜样品在退火过程中出现的巨磁阻抗效应发生显著变化的原因进行了探讨。研究表明,样品在退火过程中除了生长纳米晶粒α-FeSi相对提高材料的软磁性能有利外,同时随退火温度变化样品中磁矩分布方向会发生重取向。由制备态到570℃退火温度期间,薄膜样品磁矩取向发生由平行于平面为主变为垂直为主,而后再转变为平行为主。这些因素对多层膜巨磁阻抗效应的变化会产生重要影响,尤其当磁矩在垂直于平面方向分布占优势时,磁阻抗效应会显著下降。     

DyGa2和DyGa1.8Cu0.2化合物的结构和磁卡效应

利用电弧炉制备了DyGa2和DyGa1.8Cu0.2合金样品。通过X射线粉末衍射方法和测量磁性研究了两种合金的晶体结构和磁性能。研究结果表明：DyGa2和DyGa1.8Cu0.2化合物的晶体结构为P6/mmm六方结构,用少量Cu替代Ga可使晶胞体积变小。DyGa2和DyGa1.8Cu0.2合金的奈尔温度分别为16K和113K,温度低于奈尔温度发生顺磁-反铁磁相变,且相变类型为二级相变。DyGa2在8K温度附近发生变磁转变,为一级相变。DyGa2的最大磁熵变值为7.3J/（kg•K）,具有较强的磁制冷能力,约为131J/kg,在5K附近出现－14.9J/（kg•K）的异常负磁熵变,使DyGa2具有了温度自调节功能。掺杂少量Cu将合金的磁制冷温度提高到100K附近,具有很好的磁制冷应用开发潜力。     

偏转磁铁的六维传输矩阵

本文给出在实空间为平面曲线坐标和相空间为六维循环坐标的情况下,离子束团在静磁光学元件的六维相点运动方程组,从此方程出发导出了偏转磁铁的六维线性传输矩阵,并进而给出了由于横向对纵向的耦合效应所引起的脉冲宽度修正公式。     

二维电离室阵列探测器的室壁效应研究

由于二维电离室阵列探测器在剂量测量精度、实时性、可重复性上具有优势,其在放射治疗中的应用日益广泛。二维电离室阵列探测器由平行板电离室单元组成的二维平面阵列构成,阵列单元由充空气的腔室（空腔）及其室壁构成。根据空腔理论,空腔中的电离几乎全部由来自室壁的次级电子产生,因此研究室壁效应是提高二维电离室阵列探测器性能与优化其结构设计的重要环节。利用蒙特卡罗方法,分析研究了不同能量的入射光子在不同部位的室壁中产生的次级电子数量随室壁厚度的变化规律。结果表明,进入空腔的大部分次级电子由电离室前壁产生,且随入射光子能量增加,次级电子数达到最大所需的室壁厚度也增加;对于侧壁和后壁,大部分次级电子产生于空腔附近2~3 mm厚的室壁中,且对入射光子能量不敏感。同时还研究了不同探测器结构对各探测单元之间信号串扰的影响。结果表明,串扰程度与侧壁厚度密切相关,且随入射光子能量的增加而增大,而与空腔尺寸的关系不大。研究结果对二维电离室阵列探测器的设计具有重要的指导价值。     

3C-SiC辐照诱发缺陷演化及温度效应分子动力学模拟

运用分子动力学方法,采用LAMMPS程序模拟了3C-SiC中的级联碰撞过程。研究了不同初始运动方向、不同能量下的PKA级联碰撞产生点缺陷的演化,结果表明,级联碰撞产生的空位数与PKA初始运动方向无关而与PKA能量之间呈线性关系。通过对级联碰撞过程中热峰、损伤区域瞬态温度分布分析可看出,级联碰撞过程中会产生高温区域,且此区域大小随时间的变化与PKA能量无关。     

铁基纳米微晶薄膜巨磁阻抗效应的Mssbauer研究

本文采用 M?ssbauer 谱学方法以及其它手段对 FeCuNbSiB 薄膜样品在退火过程中出现的巨磁阻抗效应发生显著变化的原因进行了探讨。研究表明,样品在退火过程中除了生长纳米晶粒α ? FeSi相对提高材料的软磁性能有利外,同时随退火温度变化样品中磁矩分布方向会发生重取向。由制备态到 570 ℃退火温度期间,薄膜样品磁矩取向发生由平行于平面为主变为垂直为主,而后再转变为平行为主。这些因素对多层膜巨磁阻抗效应的变化会产生重要影响,尤其当磁矩在垂直于平面方向分布占优势时,磁阻抗效应会显著下降。     

聚变驱动次临界堆输运燃耗计算二维效应分析研究

使用多功能中子学程序系统VisualBUS对聚变驱动次临界堆进行二维输运燃耗计算,分别使用与一维计算模型相同的材料份额、相同的初装质量和相同的初始keff三种情况与一维计算结果进行比较.计算结果的比较和分析表明,在相同材料体积份额和相同初装质量情况下,二维计算的中子学参数与一维计算结果差别较大,而在相同初始keff条件下,两者结果较为接近,可以满足设计方案的中子学目标.