Y2O3-YCr0.5Mn0.5O3NTC陶瓷烧结一致性研究

宽温型负温度系数(NTC)热敏陶瓷具有高灵敏度、宽温度范围内的稳定性等特殊性能,使其成为理想的温度传感器,但是目前NTC陶瓷烧结一致性差,无法保证NTC陶瓷器件的良品率。通过优化NTC陶瓷制备过程中分散剂的用量、成型方式、烧结方式以及引入离子掺杂等工艺来提高NTC陶瓷的一致性。研究结果表明,分散剂引入和Mg²⁺掺杂可以有效提高NTC陶瓷的烧结一致性。     

面向动静态人体的被动式热释电红外探测器

针对被动式热释电红外探测器只对动态人体有效的缺点，提出通过双稳态液晶光阀亮／暗状态切换，将静态人模拟出动态人效果的解决方案，使探测器的适用对象从传统的动态人延拓至动静态人。     

热释电红外传感器及其报警电路

概述了红外辐射的知识、热释电红外传感器的结构和工作原理.利用热释电红外传感器设计了一种被动式红外报警电路,分析了该电路的功能和工作原理.热释电红外传感器具有很多的优点,在防盗、警戒等装置中应用较广.     

K掺杂优化CaCu3Ti4O12陶瓷介电性能的研究

使用固相反应法制备了不同浓度K~+掺杂的CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)陶瓷试样,采用XRD、SEM、EDS、XPS、宽频介电谱仪对掺杂后的CCTO陶瓷的相结构、显微结构、晶粒与晶界内阳离子分布、阳离子氧化态、介电性能进行了表征,结果表明:K~+优先替代了Ca~(2+)形成受主掺杂。根据电荷守恒,晶粒内以生成氧空位为主,金属离子析出被抑制,此时晶粒尺寸趋于减小。当掺杂浓度超过6 mol%时,晶胞膨胀形成了Cu空位。介电性能的变化与点缺陷和显微结构的变化有关,K~+掺杂后,晶粒尺寸先减小,然后随掺杂浓度的增加而增大。掺杂使晶界与晶粒比例的变化或阻抗的改变,导致了晶粒尺寸或阻抗的变化,从而影响CCTO介电性能。因此,点缺陷调控是改善CCTO介电性能的有效方式。     

陶瓷再生集料沥青阻热面层性能的室内试验研究

采用导热系数相对较小的陶瓷再生集料等体积取代石灰岩集料制备陶瓷沥青阻热面层,以有效解决沥青路面高温稳定性问题。进行了陶瓷沥青混合料高温稳定性、力学性能、水稳定性、温度阻热性能研究。结果表明:当陶瓷再生集料掺量为60%时,沥青混合料的动稳定度为4893次/mm,浸水残留稳定度为90.6%,冻融劈裂强度比为90.1%,路用性能良好;相比普通沥青混合料,陶瓷再生集料掺量为60%时,试件上表面层与中面层温差从3.7℃增加到6.6℃,阻热降温效果显著。综合陶瓷沥青混合料的路用性能和阻热性能说明,陶瓷再生集料在沥青路面阻热面层中的应用具有可行性。     

Co掺杂对Bi_5Ti_3FeO_(15)陶瓷电学性能的影响

用常规固相法制备了Co掺杂Bi5T3FeO15陶瓷,并用超声波进行表面处理。采用X射线衍射(XRD),压电常数以及电阻率测试等对其性能进行分析与表征。重点讨论了Co掺杂后,对比BTF电学性能和压电性能的变化。结果表明:Co掺杂后,样品中没有杂质出现,同时可以有效的增强压电系数,可以从纯的5p C/N提升至16pC/N。随着掺杂的增加,电阻率有所下降,后续进行了添加提升,表明该材料在高压无铅压电领域具有广阔的应用前景。     

Sr、Cr掺杂NaCo_2O_4热电材料的制备及电性能

NaCo2O4具有良好的导电性能,是一种较有发展前景的热电材料。掺杂法通常被用来改变材料的物理化学性能。文章采用自助熔剂法制备Na位掺杂Sr和Co位掺杂Cr的NaCo2O4热电材料。通过XRD物相组成分析和电性能的测试,研究不同掺杂元素和不同掺杂量对NaCo2O4电性能的影响。试验结果表明,掺杂Sr和Cr均可提高材料的Seebeck系数,当两种掺杂元素的掺杂量为0.3时,其Seebeck系数在823 K时达到最大值,分别为180μVK-1和185μVK-1。虽然掺杂Sr和Cr均降低了NaCo2O4的电导率,但是Sr掺杂量为0.1时,由于Seebeck系数增大的贡献大于电导率减小的作用,功率因子有所提高,在823 K时达到最大值870μWm-1K-2,说明通过调控Sr量可以有效提高NaCo2O4的热电性能。     

锶掺杂的钛酸钡陶瓷制备及介电性能

钛酸钡作为一种高介电材料,在相变温度120℃附近具有较大的介电常数,为了更好应用于电子陶瓷材料中,需添加锶、锆、硅等掺杂物降低其相变温度至室温附近。本文用固相反应法制备了多种比例锶掺杂的钛酸钡陶瓷(Ba1-xSrxTiO3)。在不同频率下对其介电性能与相变温度做了对比研究。研究结果表明:一定比例锶掺杂能提高钛酸钡陶瓷的有效介电常数,同时随着掺杂比例增加可使相变温度向低温方向移动。x=0.3的锶掺杂比例使钛酸钡的相变温度移至室温附近,介电常数高于6 000,满足了一般电容器的工作环境要求。     

MOA阀片中有害杂质微掺杂研究

研究了掺杂Cu、Cd和Na杂质对MOA阀片的大电流残压比的影响,指出Cu对MOA阀片极为有害。     

铌掺杂对Ce-Nb-TiO_2系压敏陶瓷结构与电性能的影响

研究了铌对Ce,Nb掺杂的二氧化钛压敏陶瓷结构和电性能的影响。结果表明,在1 350℃烧结条件下,掺入0.8%Nb2O5的样品具有优良的综合电性能,显示出低的压敏电压(U1mA=7.22V/mm)、高的非线性系数(α=5.76),是一种很有潜力的新型电容-压敏陶瓷材料。铌掺杂主要是Nb5+对Ti4+的掺杂取代,该掺杂存在一饱和值。Nb2O5在不同的掺杂浓度下,存在的形式和位置不同,同时与一些低熔点化合物相如Ce2Ti2(Si2O7)O4等相互作用,使得样品的电性能发生变化。