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本文在对原有模型改进的基础上建立了一个P^+-GexSi1-x/p-Si异质结内光发射长波红外探测器量子效率的解析模型。与原有模型相比,其特点是考虑了载流子输运作用对量子效率的影响。理论计算与实际结果比较表明,该模型与现有模型相比能更好地与实际相符合。 相似文献
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P^+—GexSi1—x/p—Si异质结红外探测器性能的提高 总被引:3,自引:0,他引:3
通过采用层叠结构、增加SiO2介质腔和铝反射镜、背面蒸镀SiO抗反射层等措施,使P^+-GexSi1-x/p-Si异质结内光发射红外探测器在77K下的性能提高到在不加偏置电压的条件下响应范围2 ̄8μm,D(5.5,1000,1)^*=1.1×10^10cmHz^1/2/W,量子效率可达4%。其Dp^*已达到实用的PtSi红外探测器的量级。另外,在器件的结构设计中,我们采用了一种改进的电极结构,以提 相似文献
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描述了 Ge_xSi_(1-x)/Si 异质结长波长红外探测器的基本工作原理及结构,并结合器件介绍了实现异质结生长的各种工艺,如 MBE,CVD 等。 相似文献
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介绍了应变层GexSi1-x/Si异质结构的生长,材料特性及其在异质结双极晶体管(HBT),双极反型沟道场效应晶体管(BICFET),调制掺杂场效应晶体管(MODFET),谐振隧道二极管,负阻效应晶体管(NERFET),毫米波混合隧道雪崩渡越时间(MITATT)二极管入和光电探测器等器件中的应用状况,并指出了其发展前景。 相似文献
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GexSi1—x/Si超晶格红外探测器最佳结构 总被引:3,自引:1,他引:3
通过对GexSi1-x/Si超晶格机理的研究,算出了GexSi1-x/Si超晶格红外探测器的最佳结构参数,以对1.3μm红外光有最大的利用率。 相似文献
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文章介绍了硅基光电子器件-p-GeSi/n^+-Si异质结电光调制器的初步试验研究之后,给出了所研制调制器的调制深度为90%时的调制电流约180mA。为了进一步减小调制电流和提高调制频率,提出了一些改进措施。 相似文献
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提出了一种调制器与探测器集成的方案。它是在<100>n^+-Si衬底上用外延、两次扩散等常规工艺先制作Si脊表波导光调制器,接着在调制器光输出端的波导上用分子束外延和反应离子刻蚀制作p-Ge0.6Si0.4/p-Si探测器。 相似文献
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首次报导了一种改进结构的P^+Ge0.3Si0.7/P-Si异质结内光发射长波长红外探测器在77K下的电学特性和光学响应特性。 相似文献
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GexSi1—x/Si异质结大截面脊形BOA型光开关的模型分析及设计 总被引:1,自引:0,他引:1
本文提出了一种简便可行的GexSi1-x/Si异质结无间距定向耦合光开关(BOA型)模型分析方法。该方法采用等离子体色散效应分析了这种光开关的电学调制机理;采用异质结超注入原理分析了开关的电学性质;并根据大截面单模脊形波导理论和上述分析,设计了利用双模干涉机制工作的Ge0.1Si0.9/Si异质结BOA开关的结构参数和电学参数。 相似文献
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本对P^+-GexSi1-x/P-Si异质结内光发射以长红探测器的电极结构进行了改进,并在国内首次报道了这种器件在77K下的电学特性和光学响应特性。 相似文献
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已制成截止波长16/μm具有接近理想热离子发射的暗电流特性的Ge_xSi_(1-x)/Si异质结內光发射红外探测器。由截止波长9.3μm的Ge_(0.44)、Si_(0.56)/Si探测器和单片CCD读出电路组成的400×400元焦平面阵列,在长波红外波段进行了成象演示,不经均匀性校正取得了高质量图象。 相似文献