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随着半导体中、大规模集成电路的飞速发展,光刻掩模的制备手段和使用材料都发生了巨大变革,乳胶掩模版几乎已全为金属掩模、表面敷有防止反射膜的掩模以及橙色透明金属氧化物的掩模所取代。但是在初缩、精缩的过程中母版的制作及在通常的光学照相系统中,暂时还找不到更理想的替代物。所以,如何提高乳胶干版的质量,找出最佳的使用工艺成为从事制版工作的人们不断探讨的课题。本文仅对乳胶掩模版的制备工艺提出一些方法和意见。 相似文献
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本文研究了用常规光学制版设备制作微细线条光掩模的加工技术,分析了精缩机,初缩版(原版)、化学处理、工艺环境在1μm光掩模版制作中的作用和要求。研制结果表明,采用反差大、过渡区小的初缩版,在严格聚焦的情况下进行分步精缩制版,精确控制显影和腐蚀时间,就能够制作出1μm条宽的光掩模版。 相似文献
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激光直写系统制作掩模和器件的工艺 总被引:1,自引:0,他引:1
激光直写系统是国际上90年代制作集成电路光刻掩模版的新型专用设备。微细加工光学技术国家重点实验室从加拿大引进了国内第一台激光直写系统。利用这台系统,通过高精度激光束在光致抗蚀剂上扫描曝光,将设计图形直接转移到掩模或硅片上。激光直写系统的应用,可以分成一次曝光制作光刻掩模和多次套刻曝光制作器件两个方面。介绍使用激光直写系统制作光刻掩模和套刻器件的具体工艺,并给出利用激光直写工艺做出的一些掩模和器件的实例 相似文献
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提出一种由曝光单元拼接斜矩形线条的数学模型,基于该模型编制了一款数据处理程序。利用该数据处理程序和特制的光栏版,使精缩机实现图形发生器的功能,精确拼接出无锯齿状边缘的斜线条图形,为制作特殊的掩模版提供了一种实用的方法。 相似文献
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一、前言电子束曝光机制作的高精度分离掩模版,精度高。要检查一套版之间的相对套准精度,往往比较困难。若用掩模版比较仪测量,只能测量相对精度,且精度较低,要测到±0.5μm的相对误差,已属不易。采用光刻工艺来检验掩模版的相对套准精度,尽管和器件生产工艺相容好,但测试周期长;而且由于光刻、腐蚀等工艺过程要带来相当可观的精度损失。因此作为一种工艺考核是可以的,而作为掩模版的套准精度就不合适了。 相似文献
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激光直写系统是制作光刻掩模和ASIC器件的新型专用设备。微细加工光学技术国家重点实验室引进了男内第一台激光直写系统,利用这台系统,通过高精度激光束在光致抗蚀剂上扫描曝光,能够把设计图形直接转移到掩模版或芯片上,本文介绍激光直写系统在ASIC器件制作中的应用和具体工艺。 相似文献
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叶恩霖 《电子工业专用设备》1983,(2)
<正> 初缩镜头与精缩镜头都属于半导体工业用的微缩制版照相镜头,简称微缩镜头。它的质量的优劣直接影响光刻掩模的质量,继而影响半导体器件平面工艺的质量。近年来,我国半导体工业在迅速的发展。半导体器件的图型结构越来越细,进而对光刻掩模的要求也越来越高。因此,对微缩镜头的要求亦越来越严。微缩镜头应具备的性能光刻质量的高低与光刻掩模版的质量有着密切的关系。质量较高的掩模版应当具备:1、整幅版的图像边缘要清晰,而且在图型阵列中的每一个微小图型的图像也要清晰。2、图型尺寸要准确且不发生变形。 相似文献
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介绍了一种通过微细加工技术即二次X射线曝光制作凹面光栅的方法。首先利用X射线截面光强遵循高斯分布的性质,无LIGA掩模版曝光显影后在PMMA上得到凹面,凹面深度可由曝光时间控制;再用带有光栅图案的LIGA掩模版第二次曝光显影在凹面上制作光栅。利用不同的掩模版,非常方便地制作了一维和二维凹面光栅,其粗糙度RMS值小于20nm。 相似文献
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针对制版工艺中典型质量问题事例,分析了影响光刻掩模版的质量因素,提出了有效的解决方案,对保证掩模版质量、提高掩模版的制作水平具有指导意义。 相似文献
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本文叙述了用匀胶铬版制作光刻掩模代替超微粒干版制作光刻掩模的工艺过程,文中就图象发生器直接曝光匀胶铬及图象的黑白反转工艺作了较为详尽的介绍,对集成电路的光 刻技术有一定参考作用。 相似文献
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以环氧树脂为材料,用简单、低成本的非接触式光 刻法制作多模光波导。通过实验,找出一种可靠有效的有机溶剂作为 显影剂及其相应的显影时间; 并研究了温湿度和旋涂工艺对光波导厚度的影响;以及光刻掩模版透光部分宽度、光刻 掩模版与下包 层之间的间距、曝光光强和曝光时间对光波导宽度的影响。扫描电子显微镜(SEM)对 样品形貌分析表明,脊形光波导表面光滑且侧壁笔直,光波导芯横截面约为 50μm×50μm。采用cut-back法,测出环氧树脂多模光波导的传输损耗为0.1dB/cm@850nm。考虑到 光电集成过程中对光波导的高温冲击,对样品进行了热稳定性试验,获得的最高稳定温 度为210℃。 相似文献
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TFT用掩模版与TFT-LCD阵列工艺 总被引:3,自引:0,他引:3
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产业经过20年的发展,其规模已经远远超出10年前的预想,技术发展也呈现出加速进步的趋势.各种新一代光刻技术的出现显著提升了掩模版的制作精度,对其市场价格也造成了不小的冲击.在TFT-LCD阵列基板制造方面,4掩模版光刻工艺技术逐渐成为当今主流,而3掩模版光刻工艺因其技术难度大、良品率低,目前还掌握在少数几家TFT-LCD厂商手中.通过对掩模版的国内外市场行情、技术进展以及掩模版数目与TFT-LCD阵列工艺的关系作全面的阐述,指出加强TFT-LCD掩模版等配套材料的自主研发、采用更加先进的制造技术是简化生产工艺、降低生产成本的有效手段,也是我国TFT-LCD产业下一步努力发展的方向. 相似文献
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X-ray光刻(XRL)是微/纳米光刻技术中至关重要的批量复制技术,XRL的发展在于不断对X-ray源、新型的stepper、X线掩模版以及相关处理工艺的研究进展。其中,X线掩模版不仅直接关系到XRL的分辨率水平,也极大地影响其使用效率及其费用。我们在此报道一种采用云母薄片作为载片的新型X-ray掩模版,其载片厚为8μm,自支撑能力、平直光滑度等几方面都符合高分辨率光刻的要求。基此采用新的工艺可大大简化制作步骤,降低造价,并可在0.5-1.5nm波长范围内的X-ray光刻中获得实际成功的应用。 相似文献
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王琬 《电子工业专用设备》1985,(1)
<正> 一、前言从六十年代末以来,电子束曝光设备在技术上的进展是十分显著的。由于电子束曝光设备具有高分辨率、高精度和使用灵活的特点,在集成电路的制造工艺中,主要用于制版(1×掩模版、10×和5×中间版)和在硅片上直接扫描制作电路图形。目前,电子束曝光设备已经成为大规模集成电路和超大规模集成电路 相似文献
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光刻是一种将图形复印和腐蚀相结合的精密表面加工技术.在半导体平面管和集成电路的生产过程中,光刻的目的就是按照设计的要求,在氧化硅或金属膜上,刻蚀出与掩模版完全对应的或预计的几何图形,以实现选择性扩散和金属膜布线的目的. 相似文献