C波段低噪声场效应晶体管放大器

本文介绍C波段低噪声场效应晶体管放大器的初步研制结果。采用国产CX-50型砷化镓场效应晶体管。通过对晶体管S参数和噪声参数的测试进行电路设计。制成两级级联放大器作为接收机低噪声前端,实现了5公分频段的指标是:(包括前置限幅器、隔离器和后置接收机噪声在内的)系统噪声系数4.0分贝,放大器增益14分贝。文中并简介放大器承受射频脉冲功率的实验情况,以及与雷达使用有关的若干指标的初步测试结果。     

四公分低噪声场效应晶体管放大器

本文介绍四公分低噪声场效应晶体管放大器的初步研制结果,通过对晶体管S参数的测试进行电路设计。制成两级级联放大器作为接收机低噪声前端。在实验室内实现的指标是:放大器的噪声系数小于4.3分贝,放大器增益为14分贝。文中同时介绍了放大器所能承受的射频脉冲功率及实验数据。     

场效应晶体管微波参数测量

本文介绍了用作图法测量场效应晶体管的噪声参数,用网络分析仪测量散射参数(s参数)的方法。给出了国产WC50型低噪声砷化镓场效应晶体管在C波段的噪声参数及在C、S波段的s参数。用测出的s参数设计的C波段场效应晶体管放大器获得了初步良好的结果。     

11和14千兆赫低噪声砷化镓场效应晶体管放大器

采用亚微米栅砷化镓场效应晶体管(NEC V-388)研制成11和14千兆赫低噪声放大器。两级放大器实现的最小噪声系数,在11.2千兆赫时为4.2分贝,14千兆赫时为5.7分贝。该放大器将用作接收机前置级。它由未封装的砷化镓场效应晶体管管芯与制作在兰宝石衬底上的薄膜微带输入和输出电路组成。本文介绍了这类放大器的设计、结构和性能。     

G波段限幅低噪声场效应晶体管放大器组合

本文介绍了G波段限幅、低噪声场放组合的研制结果。我们采用国产WC-50型砷化镓场效应晶体管(GaAs FET),通过对该管S参数测试后进行电路设计。已制成限幅、级联场效应放大器组合作为某雷达接收机低噪声前端。整个组合采用混合集成电路工艺,制作在50毫米×90毫米×1毫米的氧化铝陶瓷基片上。实现G波段整机的最佳指标是:系统噪声系数3.5分贝(包括前置限幅器、隔离器、波导-同轴转换和后置高中频接收机噪声在内),组合增益≥20分贝,带宽10％。对该组合作过各项例行试验,它均能满足要求,文中还介绍了发射机泄漏波尖能量的测量方法和放电管运用中的注意事项。在采取若干保护措施后,已将其作为接收机前端,自1981年1月起装入整机,已装备多部整机,提高了整机性能,展示了良好的前程。近年来采用WC-61、FLS-10型GaAs FET管制作的场放组合,其噪声性能更佳。     

X 波段砷化镓场效应晶体管

做出了10千兆赫微波频率下低噪声放大砷化镓场效应晶体管,使固体放大器频率范围比使用硅晶体管提高2～3倍。GaAs FET 最高振荡频率达30千兆赫,8千兆赫和16千兆赫下测得的功率增益分别为8分贝和3分贝,见图1。4千兆赫下噪声3分贝,低于迄今为止报导的晶体管噪声水平。此外,场效应晶体管噪声随频率的变化较小,8千兆赫下仅为5分贝,见图2。器件制于半绝缘 GaAs 衬底上的10~(17)厘米~(-3)掺硫外延薄膜上。外延层必须很薄(约0.3     

砷化镓微波场效应晶体管的信号和噪声性能(一)

已经证明高频砷化镓场效应晶体管(GaAsFET)在微波频率下有非常低的噪声系数和高的功率增益。因此对通信和雷达应用的低噪声放大器和接收机来说它们是优秀的候选者。例如,在实验室已做出了在10千兆赫下噪声系数小于4分贝、增益超过10分贝的单级GaAsFET放大器(Liechti等人1972年,Baechtold等人1973年)。场效应晶体管的基本工作原理是由肖克莱(1952年)首先叙述的。他提出了以多数载流子流动为基础的作新型半导体放大器的器件,这种器件不像通常的晶体管那样以少数载流子为基础。肖克莱设想的场效应晶体管是一种包含一电流通路的半导体器件,这     

4～8千兆赫7分贝噪声系数场效应晶体管放大器的设计

场效应晶体管正在迅速地成为低噪声放大器(特别在 C 波段以上)的“首席候选者”。本文介绍4～8千兆赫6分贝增益平衡放大器的设计。     

用于4千兆赫无线电设备的低噪声砷化镓场效应晶体管放大器

4千兆赫无线电设备用的低噪声放大器已设计成功,并投入生产。其噪声系数≤2分贝,典型增益值是10分贝,输入和输出回波损耗≥25分贝。当电源或低噪声晶体管任何一个失效时,其插入损耗通常为5～8分贝。该放大器采用了把一个砷化镓场效应晶体管与一个利用环型器的无源可靠旁路网络相连接的方法。这种方法可以使噪声系数和增益平坦度对每一个放大器都是最佳状态,而无须对输入和输出匹配进行折衷考虑。可以断定,这种单级晶体管放大器的设计与平衡放大器的设计相比,在性能和简单化方面都具有显著的优点。     

低噪声S波段集成放大器

为了低噪声的应用,研制了一种具有亚微米发射极宽度的微波双极晶体管的新型结构。叙述了这种晶体管的噪声和增益性能,并与以前的低噪声晶体管进行了比较。这种晶体管用于单级和三级的集成S波段放大器时,其最小噪声系数分别为1.9分贝和3.0分贝。介绍了这些放大器的设计和性能。三级放大器是为工作于3.1～3.5千兆赫的S     

WFB65型1～1.5千兆赫双栅场效应放大器

<正>随着卫星通讯、卫星直播电视、微波接力通讯、射电天文、微波遥感等接收技术的发展,研制在常温下获得低噪声的宽频带高频放大器,作为高频放大和高中频前置放大是很重要的.WFB65型双栅场效应放大器,采用三只本所研制的WC54型双栅场效应晶体管,由聚四氟乙烯玻璃纤维介质衬底的微带线电路与分立元件构成,因而它造价低,电路调试技术简单.放大器工作频率为1～1.5千兆赫.噪声系数小于1.5分贝,典型值1.2分贝,最佳值达0.8分贝.小信号增益大于30分贝,带内增益起伏±0.5分贝.1分贝增益压缩点的输出电平大于+6分贝毫瓦.噪声、增益、温度特性的典型曲线见图1和图2.     

阳调速调管放大器的脈间、脈内噪声及其对脈冲压缩雷达的影响

本文叙述阳调速调管放大器的脈间、脈内噪声产生的原理,对脈冲压缩雷达工作的影响。介绍脈间噪声功率的测量方法,给出了对D4003管测量的结果,对测量误差进行了分析和计算。给出了D4003管直流状态的脈内噪声特性。最后介绍阳调速调管放大器的脈内噪声对线性调频信号质量影响的测量系统及测量结果,给出了D4003管脈内信号噪声比的测量数据。本文所介绍的脈间噪声功率定量测量方法对于直流运用的三、四极管功率放大器,晶体管功率放大器和前向波放大器都是可以普遍采用的。     

4～5千兆赫低噪声晶体管放大器的初步研制

利用研制中的硅双极晶体管设计制作了4～5千兆赫频段低噪声晶体管混合集成放大器。实验结果表明,利用这种晶体管制作C波段放大器其性能可满足一定的使用要求。初步结果为:4千兆赫频段两级放大器噪声系数4.5分贝左右,增益10分贝(±1分贝),带宽>500兆赫;5千兆赫频段两级放大器噪声系数6分贝左右。增益10分贝±1分贝),带宽>400兆赫。实验分别是在氧化铝陶瓷衬底和聚四氟乙烯玻璃纤维敷铜板上采用微带电路制作的。     

X 波段雷达接收机中低噪声放大器的研究

现代雷达系统结构对接收机的性能提出了更高的要求.低噪声放大器能降低系统的噪声和提高接收机灵敏度,是接收系统的重要组成部分.本文设计的低噪声放大器应用于接收机的前端,利用集成芯片 ATF36163完成了电路的设计并且通过研究 RF 电路中的参数灵敏度对该低噪声放大器进行了灵敏度分析.结果表明:经过参数灵敏度分析的低噪声放大器不仅符合接收机对 LNA 的指标要求,还能使性能更加稳定     

噪声系数测试中的误差分析

本文分析在测试低噪声场效应晶体管放大器的噪声系数中,由于噪声源和被测件失配所造成的误差。     

高增益微波低噪声微带集成化晶体管放大器

本文叙述2千兆赫波段、增益70分贝以上的微带集成化晶体管低噪声放大器的设计制作。实验测试结果:放大器噪声系数为4分贝上下,3分贝带宽为200兆赫。放大器具有体积小、耗电量低工作稳定的特点,对于改进微波技术工作是很有意义的。     

匹配反馈放大器:砷化镓金属半导体埸效应晶体管的超宽带微波放大

一种从350兆赫至14千兆赫频率范围的超宽带放大器组件已经研制成功。在整个这一40:1带宽范围内最小增益为4分贝,输出功率有13分贝毫瓦。该放大器用负反馈和正反馈回路与一个砷化镓金属半导体场效应晶体管做在一起,该砷化镓金属半导体场效应晶体管的主要特性在于寄生参数低。该晶体管栅极尺寸为800×1微米。文中讨论了砷化镓金属半导体场效应管的工艺和射频性能,也讨论了单端反馈放大器的设计考虑和性能。     

用于宽带低噪声放大器中的微波GaAsMESFET的设计

作为宽带低噪声放大器中的 GaAs 肖特基势垒栅场效应晶体管的设计基础,本文以半经验的方式研究了基本器件参数与两端噪声参数之间的关系。一组四个噪声参数表示为 GaAs 肖特基势垒栅场效应晶体管的等效电路元件的简单函数。然后,每个元件以这个器件的几何和材料参数的简单解析式表示。这样,依据几何和材料参数就建立起四个噪声参数的实用表达式。在这四个噪声参数中,对于宽带低噪声放大器来说最小噪声系数F_(min)和等效噪声电阻 R_n 是起决定性的。低的 R_n 对输入失配较不灵敏,且能够由一个短的重掺杂薄有源沟道获得。这样一个高沟道掺杂厚度比率(N/a)能产生高功率增益,但与得到低噪声系数 F_(min)是相矛盾的。所以,对于最好的全面的放大器性能来说,折衷选择掺杂浓度 N和沟道厚度 a 是必要的。为表示最佳选择给出了四个数字例子。     

采用砷化镓场效应晶体管的18千兆赫前置放大器

引言砷化镓金属半导体场效应晶体管(MESFET)比双极晶体管噪声低,增益高,适用于高至20千兆赫左右频率下的低噪声前置放大器。金属半导体场效应晶体管的特性金属半导体场效应晶体管由高阻衬底上的薄导电层构成。N 型导电层包括源和漏两个欧姆接触以及栅的整流接触。图1示出的砷化镓金属半导体场效应晶体管中,1×200微米的栅     

改善结型场效应晶体管噪声性能的措施

对于一个用作微弱信号放大的结型场效应晶体管来说,要求它具有尽可能低的噪声。本文分析了结型场效应晶体管的主要噪声来源,指出了低频噪声与管芯结构参数的关系,阐述了获得低噪声的途径和措施。