硅尖阵列二极管性能的研究

简述了真空微二极管的结构参数设计考虑、工作特点、工艺制备技术。给出了微二极管不同温度下的Ｆ－Ｎ曲线及湿法腐蚀制备硅尖的开貌。该微二极管转换电压为２伏左右，发射锥尖电流为５μＡ／锥尖。     

真空微电子器件中的场致发射阴极硅锥尖的制备工艺研究

本文介绍了真空微电子器件中的场发射阴极硅锥尖的制作工艺，采用不同的腐蚀方法以及氧化削尖技术，制成了形状较好的硅尖，并对实验研究结果进行了比较、分析和讨论。     

微密封真空微电子二极管阵列

本文介绍了一种微密封真空微电子二极管阵列的工艺及实验结果。     

硅尖阵列-敏感薄膜复合型阴极真空微电子压力传感器特性的测试

封装、测试了硅尖阵列-敏感薄膜复合型阴极的真空微电子压力传感器，在计算机模拟计算的基础上，对封装好的真空微电子压力传感器进行了实物测试，得出实物测试场发射电流曲线（开启电压低，发射电流曲线与计算机模拟曲线一样，电压45V时发射电流可达到86mA，平均每个硅尖为21μA）、压力特性曲线（呈线性变化，与计算机模拟计算的曲线相近）及灵敏度数据。电压1.5V即可测试并且其压力特性成线性变化，灵敏度为0.3μA/kPa。     

硅场发射二极管阵列的实验研究

介绍了Ｐ型硅场发射二极管阵列的工艺与实验研究，并讨论了硅发射体表面薄氧化层对其伏安特性的影响。     

纳米硅二极管的独特性能

摘要:使用PECVD薄膜淀积技术制成的纳米硅薄膜(nc-Si∶H)具有优异的性能。把纳米硅薄膜淀积在异型的单晶硅衬底上,制成了nc-Si/c-Si异质结二极管。研制成的纳米硅二极管具有许多优于传统硅二极管的独特性能。     

纳米硅开关二极管及其应用

介绍了纳米硅开关二极管的电特性及其应用。     

硅调谐变容二极管的特性

<正> 变容二极管是指它的端电容按一定的方式随反向偏压而变化的一种半导体二极管。调谐变容二极管的电容—电压特性适用于调谐电路(如在电调谐器UHF和VHF频段中作调谐用),其特点是串联谐振频率和截止频率远高于使用频率。现以无锡元件四厂生产用于C型电调谐器的2CC32型调谐变容二极管为例,介绍其有关特性。     

硅尖阵列场致发射微二极管的制备及特性研究

本文采用各向异性腐蚀和干－湿－干氧化锐化工艺，在ｎ型，（１００）晶向、电阻率为３～５Ωｃｍ、３英寸硅片上均匀制备了三种结构硅尖阵列场致发射二极管。锥尖密度达１５０００个／ｍｍ￣２，硅尖曲率半径小于３０ｎｍ；在３５Ｖ收集极电压下，单尖发出电流达０．１４μＡ，其Ⅰ—Ⅴ曲线与Ｆ—Ｎ公式类似。     

P型硅光电二极管的特性

本文报导了一种光照面积为φ2.5mm 的 P 型硅光电二极管的制造和电学特性。在0.9μm 的峰值波长时,电流灵敏度为0.5μA/μW。器件最小可探测功率可达3.6×10~(-9)W。由于采用保护环结构,使得其暗电流较小,器件的稳定性和可靠性都相当好。     

硅尖的制备

隧道硅尖的制备是微机械隧道传感器制作的一个重要组成部分 ,通过对ICP刻蚀和湿法各向异性刻蚀工艺制备硅尖实验的研究 ,得到了合适的工艺条件以及较理想的硅尖     

硅尖的制备

隧道硅尖的制备是微机械隧道传感器制作的一个重要组成部分,通过对ICP刻蚀和湿法各向异性刻蚀工艺制备硅尖实验的研究,得到了合适的工艺条件以及较理想的硅尖.     

硅尖的制备及应用

本文介绍了硅尖的制备及其在不同领域的应用。硅尖的制备方法可与现代IC工艺兼容且易削尖,故比其它材料微尖更实用。硅尖的应用随着制备工艺的改进与其它相关技术的进步必将得到新的开发。     

2DW^14—18232—236型硅电压基准二极管的研制

本文介绍了２ＤＷ＾１４－１８２３２－２３６型硅电压基准二极管的研制过程及研制结果。     

硅双向稳压二极管及其应用

本文介绍了我厂自行研制的硅双向稳压二极管的原理、特性及其在摩托车上的应用。     

隧道微硅尖的制作技术

讲述了隧道硅尖的大致结构，给出了制作隧道硅尖的两种不同的方法，分析了分别用湿法和干法刻蚀的硅尖及它们产生不同的效果。