超高真空中使用的高纯过渡金属蒸发源

设计了一种超高真空使用的低电流过渡金属蒸发源 ,它能产生高纯金属原子束 ,且具有一定的寿命。该蒸发源是将过渡金属Co,Ni或Cr电镀到一个由W丝弯成的U形加热器上构成的。装入超高真空中 ,利用W丝自身的电阻加热 ,去气后 ,可获得数小时的清洁蒸发。实验结果表明 ,在离蒸发源约 5cm处 ,其淀积速率最高可达 1 0nm/min ,总的淀积厚度超过 5 0 0nm ,而且Auger分析结果显示 ,在超高真空中淀积的上述几种过渡金属薄膜 ,其纯度相当高 ,杂质含量均小于仪器的检测灵敏度。本文详细介绍了这种过渡金属蒸发源的制作技术及性能     

以Al2O3为过渡层脉冲激光法制备PZT铁电薄膜

为实现PZT铁电薄膜与半导体衬底的直接集成引入Al2O3为过渡层，首先用真空电子束蒸发法在Si(100)，多昌金刚石（111）衬底上生长约20nm厚的Al2O3过渡层，接着在上述衬底上采用脉冲激光淀积（PLD）法淀积PZT薄膜，衬底温度为350-550℃。X光电子能谱（XPS）测试表明，在高真空下，电子束蒸发Al2O3固态源能获得化学配比接近蒸发源的Al2O3薄膜。X射线衍射（XRD）测试说明，不论衬底是硅还是多晶金刚石，当衬底温度为550℃时，PZT在Al2O3过渡层上呈现（222）取向的焦绿石相结构，当衬底是金刚石时，通过如下工艺：（1）较低温度（350℃）淀积；（2）空气氛围650℃快速退火5min，可以在Al2O3过渡层上获得高度（101）取向的钙钛矿结构的铁电相PZT薄膜，最后AFM测试显示，在硅衬底上，PZT薄膜的表面均方根粗糙度为9.78nm；而在多晶金刚石衬底上，PZT薄膜的表面均方根粗糙度为17.2nm。     

MOCVD工艺中使用的特种气体

一、引言 金属有机化学气相淀积法(简称MOCVD法)是1968年由H.M.Manasevit等首先提出的。该法以挥发性金属有机物和气态的非金属氢化物作为源材料，采用与硅外延淀积相类似的生长装置，进行化合物半导体的外延淀积。     

电子束蒸发法制备Co／Cu多层膜中巨磁电阻效应的研究

研究了超高真空电子束蒸发法制备的Ｃｏ／Ｃｕ多层膜中过渡层Ｃｒ、磁性金属Ｃｏ怪和非磁性金属Ｃｕ层厚度等对巨磁电阻效应的影响。     

铜薄膜与Al_2O_3陶瓷界面结合力的IBAD过渡层增强

利用离子束辅助淀积(IBAD)方法在Al_2O_3陶瓷基片上镀制过渡金属层,然后在此过渡层上进一步用电子束蒸发镀制铜导电薄膜。这种复合方法镀制的铜膜在具有低电阻率的同时,界面附着力有大幅度增加。在本文实验条件下,有IBAD铜或钛过渡层薄膜的附着力比没有过渡层的薄膜附着力分别增加了5倍和8倍。     

供超高真空用的简单结实高纯度Cr蒸发器

通过将Ｃｒ金属电镀到一根发针形Ｗ丝的尖端，来制造一种简单结实的Ｃｒ蒸发器。离蒸发器５ｃｍ下，可获得高达１０ｎｍｍｉｎ＾－１的沉积速率，总沉积厚度超过４００ｎｍ。对沉积在超高真空的薄膜进行俄歇Ａｕｇｅｒ分析的结果表明，薄膜中所含的杂质已少至不可检测。     

光信息存储量与真空技术

任何一种ＤＶＤ光盘都是由信息记录层、介质保护层、金属反射层．．．．．．等薄膜组成的二层、三层或多层光匹配的薄膜体系。不同膜系要用不同的真空淀积技术制备,各制备单元最终连成完整的光盘生产线。本文着重讨论各类光盘薄膜材料的真空淀积技术和相应的生产线,旨在探讨光盘生产线国产化的前景。     

离化簇的淀积

本文介绍一种淀积形式。这就是:材料在坩埚内汽化,然后它的蒸汽喷出喷嘴,在电子束力的作用下进入高真空。由喷嘴喷出的蒸汽局部地凝聚成簇。这些簇由于电子轰击而电离,并且向基片加速。它们的淀积膜显示出良好的附着力和大晶粒尺寸。例如Cu——玻璃、Si——Si等的淀积。     

Mo／α—Al2O3界面的二次离子质谱研究

采用电子束蒸发方法，在２００℃的抛光（１１０２）取向的蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）单晶衬底上淀积厚度为３００ｎｍ的Ｍｏ膜。经８７０℃下不同真空退火时间处理后，运用ＭＣｓ＾＋－ＳＩＭＳ技术进行了深度剖析，并结合ＸＲＤ物相分析，对Ｍｏ／Ａｌ２Ｏ３界面问题进行了探讨。结果表明，在Ｍｏ／Ａｌ２Ｏ３界面处存在原子相互扩散形成的过渡层。退火处理后，过渡层展宽，有ＭｏＯ２生成。延长退火时间，过渡层变化不大。     

金属蒸发速率Langmuir公式的修正及金属镝、铽、铝蒸馏规律的实验研究

运用气体分子碰撞模型,研究了实际真空蒸馏金属的蒸发速率,对分子蒸馏状态下导出的金属蒸发速率Langmuir公式进行修正,并用金属镝、铽及铝做蒸馏蒸发速率实验研究,其蒸馏规律与修正后的Langmuir公式相符合,这一结果对蒸馏法制备高纯稀土金属具有实用价值,同时对探索其它金属蒸馏规律具有指导意义。     

金属密封技术的进展

本文对新型高真空元件进行了介绍，如：金属密封圈、卡钳等。在真空技术国，为了减少污染，金属密封圈在高真空的获得中得到了广泛应用。金属密封连接方式能抗辐射、耐烘烤，并可运用于低温环境中。为了在有限的通道空间中节省安装时间，卡钳已经被用于固定快速释放法兰接头，以及带铜垫圈的标准合并法兰。现在介绍的是一种改进型ＣＥ兼容垫圈，它由三种不同的材料（铝、铜和镍）制成，可减小所需的密封力。本文还介绍了一种改进后适     

超高真空电子束蒸发钽膜

在生产和科研上常常用溅射法获得钽膜。但溅射钽的淀积速率很低,一般低于0.1μ/分。最近,我们用 H44·500-3型超高真空电子束蒸发机蒸发钽膜,效果较好。其工作情况是:蒸发真空度:5×10~(-7)托,电子束功率:1.5KW,电子枪高压:11000伏,蒸发温度:>3000℃,液态氮耗量:30升/小时,钽膜淀积速率:30～45μ/分。     

Y_2O_3稳定的 ZrO_2薄膜材料的制备和电导性质的研究

以金属有机螯合物为源物质,采用低压等离子体化学气相淀积工艺(PCVD),成功地生长了 Y_2O_3稳定的 ZrO_3氧离子导体薄膜,对薄膜的化学组成、结构以及电导性能进行了研究。通过实验测量了等离子体条件下不同淀积参数对淀积速率的影响,探讨了各种参数对淀积过程的控制作用,进而为改进化学气相淀积工艺提供依据。     

倾斜蒸发一氧化硅的若干问题的探讨

本文研究了各种条件下倾斜蒸发的一氧化硅薄膜与向列液晶分子排列状态的相依关系。使用透射电子显微镜对倾斜蒸发的一氧化硅淀积膜的表面结构进行了分析。讨论了液晶在一氧化硅淀积膜上的定向排列,     

国外文摘

国外文摘摩擦磨损９６０６００１金属离子注入４１４０钢的磨损特性──ＥｖａｎｓＰＪ．Ｓｕｒｆａｃｅ＆ＣｏａｔｉｎｇｓＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，１９９４，６５（１～３）：１７５（英文）采用金属真空离子态弧源，将Ｗ和Ｔｉ注入ＡＩＳＩ类４１４０高强钢中，注入量为...     

真空电弧镀DZ22合金NiCrAlY涂层性能研究

真空电弧镀ＤＺ２２合金ＮｉＣｒＡｌＹ涂层性能研究北京航空材料研究所吴凤筠一、前言真空电弧镀膜设备Ａ１０００采用电弧放电直接蒸发镀膜材料制成的阴极靶，与同类型镀膜设备一样有如下特点：ａ．金属阴极蒸发源不熔化；ｂ．由磁场控制电弧放电，可细化膜层微粒；ｃ．...     

薄膜制备用电子束蒸发强流气固两用离子源

介绍了一种新型的电子束蒸发（ＥＢＥ）强流气、固两用离子源，其基本原理是将电子呸蒸发技术引入离子源放电室内，使的蒸发和游离一同一放电室内完成，该源不仅能引出包括各种难熔材料在内的强流金属和非金属离子束，而且能同时引出气态和固态元素的混合离子束。迄今为止，已引出包括Ｃ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｂ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌ，Ａｒ〉Ｎ以及Ｃ和Ｎ，Ｔｉ等的混合离子束。用于薄膜制备的引出束径为３．６ｃｍ，其最大引     

Mo/α-Al_2O_3界面的二次离子质谱研究

采用电子束蒸发方法，在200℃的抛光（1102）取向的蓝宝石（α－Al2O3）单晶衬底上淀积厚度为300nm的Mo膜。经870℃下不同真空退火时间处理后，运用MCs＋－SIMS技术进行了深度剖析，并结合XRD物相分析，对Mo／A2O3界面问题进行了探讨。结果表明，在Mo／Al2O3界面处存在原子相互扩散形成的过渡层。退火处理后，过渡层展宽，有MoO2生成。延长退火时间，过渡层变化不大。     

金属薄膜材料的低温光化学生长

新一代紫外光源－－激发态双分子紫外光源（Ｅｘｃｉｍｅｒ ＵＶ Ｓｏｕｒｃｅｓ），因其高输出能量，低的反应温度，反应时间 可以大面积应用的优越特性，在物理、化学、医学领域，特别是在现代光刻技术、微电子技术中展现了极广的应用前景。本文报道Ｅｘｃｉｍｅｒ上光源在制备金属薄膜材料方面的应用研究。金属钯是一种优良的催剂，首先在各种衬底如：Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、玻璃以及聚合物等上面淀积钯的金属有机化合物薄膜，再     

硅外延发展趋势

本文综述了硅外延的三大发展趋势，指出降低外延温度是外延发展的迫切要求，同时比较了分子速外延（ＭＢＥ）、光能增强化学汽相淀积（光ＣＶＤ）、等离子体增强化学上淀积（ＰＥＣＶＤ）、超高真空化学汽相淀积（ＵＨＶＣＶＤ）的优缺点，指出ＵＨＶＣＶＤ和ＰＥＣＶＤ二者合二为一是最具应用前景的方法。其次，论述了异质外延和ＳｉＧｅ／Ｓｉ超晶格材料的应用前景。最后，论述了外延生长的原位监测和外延膜的测试技术。