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为了拓宽忆阻器的研究范围,通过分析分数阶差分理论和三次非线性磁控忆阻器数学模型,建立了由分数阶差分方程确定磁通量的离散分数阶忆阻模型。数值模拟结果显示,紧缩磁滞回线具有忆阻器的三个特征,这表明所提出的离散分数阶忆阻器满足忆阻器的定义。最后,作为应用,设计了分数阶忆阻Logistic映射,并得到了系统在特定初值和阶次下的多稳定性和新的混沌序列。建立的忆阻模型输入电流不再局限于连续信号,并且将阶次推广至分数阶,拓宽了忆阻器的研究范围。 相似文献
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近年来,基于亿阻器的混沌电路受到国内外学者的广泛关注.然而现阶段的研究,大都采用通过磁控忆阻器和负电导并联构成的有源忆阻器替代蔡氏电路中蔡氏二极管的方法.而采用荷控忆阻器的混沌电路大都同时使用荷控忆阻器与磁控忆阻器构成的五阶双忆阻器混沌电路.该文在蔡氏电路的基础上,采用荷控忆阻器与电感串联的形式构造了一个新的四阶忆阻混沌电路,并提出改进的忆阻器非线性特性曲线,通过数值仿真的方法进行了验证.最后,对这个新的四阶忆阻混沌电路进行动力学特性分析,主要通过李雅普诺夫指数和吸引子在相平面的投影. 相似文献
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提出了一种基于多态忆阻器的神经网络电路硬件实现方法。采用28 bit的惠普忆阻模型来构建存储权重的双忆阻稳定结构,结合了低功耗轨到轨运放技术以及寄存器技术,设计了模值与极性分离的绝对值电路,以及以忆阻器为核心、可进行正负浮点数运算的权值网络矩阵电路。通过Verilog-A编写激活单元,实现了多层忆阻神经网络。该电路采用并行输入和模拟信号处理方式,控制简单,无需中间数据缓存。实验结果表明,该方法有效提升了以忆阻器为核心的人工神经网络的稳定性和运行效率。 相似文献
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目前,忆阻器模拟器的研究主要集中在磁控忆阻器,对荷控忆阻器模拟器的研究不多,双曲函数型的荷控忆阻器模拟器也很少涉及。因此,该文提出一种基于双曲函数的通用型荷控忆阻器模拟器。模拟器通过电压-电流的相互转换电路,实现电路中电压和电流信号之间的相互转换,再通过电路中对应的电路模块对产生的信号进行计算,最终得到通用型双曲荷控忆阻器模型。模拟器能够实现双曲正弦、双曲余弦以及双曲正切函数对应的荷控忆阻器模型。通用型双曲函数荷控忆阻器模拟器对应的等效电路,主要由运算放大器、电阻、电容、三极管等基本元件组成。分析模拟器在不同幅值以及不同频率的输入信号下的伏安特性曲线,得出荷控忆阻器模拟器符合记忆元件的基本特性。该文提出的通用型双曲函数荷控忆阻器模型,对忆阻器模型的发展具有一定的参考意义。 相似文献
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基于通用忆阻器模型,设计了一个广义忆阻器并将其引入混沌系统,构建了一个新的四阶忆阻超混沌系统,探究了其动力学特性。首先对新型四阶忆阻超混沌系统的相图、耗散性、李雅普诺夫指数、稳定性等特性进行分析,发现其存在无穷多平衡点集,且比原系统有更高的维度、混沌性以及复杂度。通过进一步分析其动力学现象,发现随着参数和初值的变化,其分岔特性和李雅普诺夫指数反映出多吸引子共存等现象。最后通过数值仿真与模拟电路仿真的相图对比,验证忆阻混沌系统电路的可行性。新系统有着更复杂的非线性行为,因此具有更高的研究价值,同时为忆阻混沌电路的实际应用奠定了基础。 相似文献
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使用现有电路元件设计了一种荷控忆阻器的理论模型。由于把忆阻器应用于存储器、神经网络、信号处理等领域均涉及到忆阻器的读写操作,并且目前忆阻器大多是数字量0和1的操作,没有模拟量的操作。所以利用了荷控忆阻器的电荷特性,给出一种描述如何读取忆阻器的模拟忆阻值的方法。利用了荷控忆阻器的频率特性,设计了一个反馈式忆阻值写电路,该电路能够在忆阻器的阻态范围内进行任意模拟量的写操作。仿真结果验证了设计的正确性。 相似文献
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Russian Microelectronics - We describe a bipolar memristor in the Verilog-A language. The proposed model concepts take into account the following parameter deviations in the memristor switching... 相似文献
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The concept of the memristor was proposed by Leon Chua in 1971, along with some electro-magnetic interpretations according to quasi-static expansion of Maxwell''s equations. In 2003, Chua included the memristor into a four-element torus that has infinite circuit elements. This paper uses the quasi-static method to interpret every circuit element in the torus. Two examples are also provided to show how topologic structure of an element affects its electrical properties by affecting the dominant electro-magnetic field components. Additionally, it is proved that the circuit elements in the torus, except the resistive, capacitive and inductive elements, cannot exist independently. Moreover, the incorrectness in Chua''s interpretation of the memristor, that the memristor cannot be interpreted with the transient quasi-static method due to its memory property, is pointed out. Finally, the limitations of the electro-magnetic interpretation method are discussed. 相似文献
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The attractive memristor is interpreted based on its constitutive relation. The memory property of the
memristor is explained, along with the explanation on its three fingerprints: (1) Pinched hysteresis loop; (2) Hysteresis
lobe area decreases as frequency increases; (3) Pinched hysteresis loop shrinks to a single-valued function at
infinite frequency. Where the magnetic flux is in Strukov’s memristor is also introduced. Resistive elements including
the memristor are taken as an example to argue that the constitutive relation determines the electrical property
of a circuit element and diagram method is used to distinguish different elements in the resistive element
series. 相似文献