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Sr—Bi—Ti系高压介质结构与性能的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了Dy2O3、MnO2添加剂及工艺对Sr-Bi-Ti系高压介质显微结构及介电性能的影响规律。结果表明,适量的Dy2O3能提高介质的介电常数,MnO2能降低材料的介质损耗,同时,试样的烧成温度及原料种类对介质的显微结构及介电性能也会产生影响。 相似文献
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根据固溶体的理论探讨了锡铬红色料晶体结构,指出Cr^4+进入晶格取代Sn^4+形成有限置换型固溶体,同时也提出以TiO2部分取代SnO2作原料可降低成本。 相似文献
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合成酯基锡化合物的新方法酯基锡化合物(R'OCOCHRCH)nSnCl4-n(n=1,2。R=H,CH3。R'=烷基)是七十年代后期由英国Hutton小组首先开发出来的一类有机锡化合物[1],以它为中间体与巯基乙酸酯、硬脂酸、月桂酸等反应合成出了一类... 相似文献
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锰对硅酸盐水泥熟料煅烧的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
通过高温差热分析、XRD、高温显微镜分析、SEM、EPMA以及测定fCaO等方法研究了MnO2对硅酸盐水泥熟料煅烧的影响。试验结果表明,锰主要分布在中间相,随着MnO2外掺量的增多,熟料中铁相含量增多,C3A及C3S含量减少,液相大量出现的温度升高。当MnO2掺量小于20%,煅烧温度高于1400℃时,MnO2对生料的易烧性影响不大;当煅烧温度低于1400℃时,MnO2使得生料的易烧性变差。MnO2外掺量越多,生料易烧性越差。MnO2没有矿化作用,它的存在抑制了CaF2的助熔及矿化作用。 相似文献
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本文研究了KIO3滴定法,EDTA络合滴定法和偏锡酸重量法测定异辛酸亚锡中总Sn(TSn,KIO3)直接滴定法和K2Cr2O7间接滴定法测定Sn。 相似文献
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本文介绍了一种通过液相原料形式引入以草酸盐共沉淀来制备PTC粉体的新方法。即BaTiO3、Al2O3、SiO2、MnO2、Y2O3等均采用液相原料引入,然后用草酸进行共沉淀,通过灼烧制得PTC粉体。用这种粉体制得的PTC陶瓷,其晶粒均匀性和电性能都优于传统固相法制得的PTC陶瓷。 相似文献
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在浮法玻璃成形过程中,对典型浮法钠钙玻璃液与锡液之间化学平衡的研究,是在现行作业条件下进行的。考虑到玻璃液中某些氧化物,如CaO,MgO,Al2O3和SiO2的热力学稳定性,它们并不参加“玻璃液-锡液”系统中的多相反应。然而,钠能从玻璃液跃迁到锡液中,锡能被氧化,并以氧化亚锡(SnO)和氧化锡(SnO2)溶于玻璃液中。有关“玻璃液-锡液”系统中,钠和锡反应的热化学资料,本文作了汇集。以此资料为基础 相似文献
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通过添加烧结助剂,采用常压烧结工艺制备出不同气孔率(19%~54%)的氮化硅陶瓷.采用Archimedes法、三点弯曲法和Vickers硬度测试法测量了材料的密度、气孔率、抗弯强度及硬度.用X射线衍射及扫描电镜检测了相组成和显微结构.用谐振腔法测试了氮化硅陶瓷在10.2 GHz的介电特性.结果表明:材料具有优良的介电性能.随着烧结助剂的减少,样品中气孔率增加,力学性能有所下降,介电常数和介电损耗降低.添加Lu2O3所制备的氮化硅陶瓷的力学性能和介电性能优于添加Eu2O3或Y2O3制备的氮化硅陶瓷.当气孔率高于50%时,多孔氮化硅陶瓷(添加入5%的Y2O3或Lu2O3,或Eu2O3,质量分数)的抗弯强度可达170 MPa,介电常数为3.0~3.2,介电损耗为0.000 6~0.002. 相似文献
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ZnO和Na2O对CaO-B2O3-SiO2介电陶瓷结构与性能的影响 总被引:10,自引:0,他引:10
研究了烧结助剂ZnO和Na2 O对CaO -B2 O3 -SiO2 (CBS)系微波介质陶瓷介电性能、相组成及结构特性的影响。烧结助剂ZnO在烧结过程中与B2 O3 及SiO2 生成低熔点玻璃相 ,有效地降低了材料的致密化温度 ,烧结机理为液相烧结。碱金属氧化物Na2 O虽然能够有效降低材料的烧结温度 ,但会破坏硅灰石晶体结构 ,引起材料微波性能显著降低。通过实验 ,制备出了具有优良微波介电性能的陶瓷材料 ,适用于LTCC基板及滤波器等高频微波器件的生产 相似文献
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用固相烧结法,在1200℃烧结2.5h的条件下,制备了(Pb0.97La0.02)(Zr0.66Sn0.23Ti0.11)O3(PLZST)四方相陶瓷和陶瓷粉末,并将其与聚偏氟乙烯-三氟乙烯[polyvinylidene fluoride—trifluoroethylene,P(VDF-TrFE)]相复合制备了70%(体积分数)PLZST/P(VDF—TrFE)复合材料。用3~4MeV、剂量为60Mrad的电子束对PLZST陶瓷及其复合材料进行处理,测量其辐照前后的介电温谱,研究其弛豫性能的变化。结果表明:电子束辐照对PLZST陶瓷的介电温谱几乎没有影响,没有改变它的非弛豫特征;70%PLZST/P(VDF-TrFE)复合材料由于两相界面间的耦合作用产生微畴而具有弛豫特征,而辐照处理对P(VDF—TrFE)内部铁电宏畴的破坏使得其弛豫性能得到显改善,从而获得了一种良好的弛豫型复合材料。 相似文献
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WILLIAM W. COFFEEN 《Journal of the American Ceramic Society》1953,36(7):215-221
Dense bodies were prepared of compositions in the quaternary system BaTiO3 –BaSnO3 –SrSnO3 –CaSnO3 containing from 3 to 60 mole % stannate. The general effect of the stannate addition to barium titanate was to decrease the Curie temperature and broaden the peak. On a molar basis the three stannates were approximately equivalent in their effect on the dielectric properties of barium titanate, although the rate of shift of the Curie temperature was slightly greater when SrSnO3 was used. Bodies containing calcium or strontium stannate had lower power factors than those containing barium stannate. Bodies compounded with calcium stannate matured most readily and at lower temperatures. Bodies having dielectric constants ( K ) of 2300 to 2800 at 1 kc. with low positive temperature coefficients up to about 55°C. were obtained with a 3 mole % addition of stannate. Bodies with minimum K 's of 3000 to 4000 at 1 kc. over the range 25° to 85°C. were obtained from BaTiO3 with an addition of about 6 mole % BaSnO3 , SrSnO3 , or CaSnO3 . Bodies with negative temperature coefficients of K ranging from about 13,000 to about 1000 p.p.m. per °C. were obtained with stannate additions of from 10 to 60 mole %. 相似文献
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以碱式碳酸镁和二氧化钛为原料,采用机械力化学法合成了超细MgTiO3粉体,研究了超细MgTiO3粉体的低温制备条件和单相MgTiO3陶瓷的介电性能.结果表明:高能球磨30 h后,原料趋向于无定形态,在700℃煅烧1 h后,可以得到单相MgTiO3粉体.MgTiO3粉体的烧结性能和MgTiO3陶瓷的介电性能的改善丰要是因为超细粉体具有较大的比表面积.在1400℃烧结3 h后,可以得到致密的微波介性能优良的MgTiO3陶瓷,介电常数和品质因数与谐振频率的乘积分别为16.94和4.8 × 10 4 GHz. 相似文献
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为了获得高质量的SnO2薄膜,我们需要制备高密度、高导电的优质SnO2靶材。这里以分析纯的SnO2、Sb2O5粉体为制备原料,采用冷等静压加上常压烧结方法制备高导电性Sb∶SnO2(ATO)陶瓷靶材。用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析靶材的化学成分和微观形貌并系统研究了不同的成型压力对靶材电学特性和致密度的影响。结果表明:成型压力的大小对于ATO靶材本身的致密度及电学特性都有很大的影响。成型压力为15MPa时,ATO靶材的电阻率最小,为0.38Ω.cm;SnO2靶材的收缩率达10.71%,靶材的致密度为95%;靶材可在射频磁控溅射仪下正常工作,并成功在玻璃基片上沉积性能良好的高红外反射透明导电SnO2薄膜。此制备过程操作方便,工艺简单,降低了靶材的成本,从而能够大大扩大透明导电薄膜的应用领域。 相似文献